电子说
在汽车电子领域,功率 MOSFET 模块扮演着至关重要的角色。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块,了解其特性、应用、电气参数等方面的内容,为电子工程师们在设计相关系统时提供参考。
文件下载:onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模块.pdf


模块的标识包含了特定的设备代码、批次 ID、组装和测试地点、年份、工作周以及序列号等信息,方便进行产品的追溯和管理。
NXV08H350XT1 采用 APM17 - MDC 封装,无铅且符合 RoHS 标准,工作环境温度范围为 - 40°C 至 125°C,包装方式为管装。

| Pin No. | Description | Remark |
|---|---|---|
| 1 | Q2 Gate | |
| 2 | Q2 Source Sense | |
| 3 | B + #2Sense | |
| 4 | Q4 Gate | |
| 5 | Q4 Source Sense | |
| 6 | NTC1 | |
| 7 | Phase Out2 | For 3 phase motor inverter, those 2 pins can be used as one phase out |
| 8 | Phase Out1 | |
| 9 | NTC2 | |
| 10 | Q3 Source Sense | |
| 11 | Q3 Gate | |
| 12 | B + #1Sense | |
| 13 | Q1 Source Sense | |
| 14 | Q1 Gate | |
| 15 | B + #1 | |
| 17 | B + #2 |
| Symbol | Parameter | Max. | Unit |
|---|---|---|---|
| VDS(Q1~Q4) | Drain - to - Source Voltage | 80 | V |
| VGS(Q1 - Q4) | Gate - to - Source Voltage | +20 | V |
| EAS(Q1~Q4) | Single Pulse Avalanche Energy (Note 1) | 1946 | mJ |
| TJ | Maximum Junction Temperature | 175 | °C |
| TSTG | Storage Temperature | 125 | °C |
需要注意的是,超过这些最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
在 $T_{J}=25^{\circ} C$ 的条件下,该模块具有一系列特定的电气特性,如漏源击穿电压(BVDSS)、栅源阈值电压(VGS(th))、源漏二极管电压(VSD)等。不同的 MOSFET 通道(Q1 - Q4)在导通电阻(RDS(ON))方面也有不同的表现,这与模块内部的测量路径有关。
模块的热阻(Rthjc)对于散热设计至关重要。该模块的热阻参数能够帮助工程师合理设计散热方案,确保模块在工作过程中保持稳定的温度。
包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)、栅极电阻(Rg)、总栅极电荷(Qg(tot))等参数,这些参数反映了模块在动态工作过程中的性能。
如导通时间(ton)、导通延迟时间(td(on))、导通上升时间(tr)、关断延迟时间(td(off))、关断下降时间(tf)和关断时间(toff)等,对于评估模块的开关速度和效率具有重要意义。
文档中提供了一系列典型特性曲线,如非钳位电感开关能力、饱和特性、导通电阻与栅极电压和温度的关系、归一化栅极阈值电压与温度的关系等。这些曲线能够帮助工程师更好地理解模块在不同工作条件下的性能表现。
模块具有一定的平整度要求,同时在安装时需要注意安装扭矩。不同类型的螺丝可能会影响最大扭矩额定值,在特殊安装情况下,需要联系 onsemi 获取合适的安装信息。
详细的封装尺寸信息为 PCB 设计提供了重要的参考,确保模块能够正确安装在电路板上。
onsemi 的 NXV08H350XT1 汽车功率 MOSFET 模块具有多种优势,适用于 48V 逆变器和 48V 牵引等汽车电子应用。电子工程师在设计相关系统时,需要充分考虑模块的电气、热性能和机械特性等方面的参数,以确保系统的高效、可靠运行。同时,在实际应用中,还需要根据具体的工作条件对模块的性能进行验证和优化。你在使用类似的 MOSFET 模块时,遇到过哪些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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