AMB覆铜陶瓷基板迎爆发期，氮化硅需求成增长引擎

电子发烧友网综合报道
AMB覆铜陶瓷基板（Active Metal Brazing Ceramic Substrate）是一种通过活性金属钎焊技术实现陶瓷与铜箔直接结合的高性能电子封装材料。其核心原理是在高温真空环境下，利用含有钛、锆、铪等活性元素的金属焊料，与氮化铝（AlN）或氮化硅（Si₃N₄）陶瓷表面发生化学反应，生成可被液态钎料润湿的稳定反应层，从而将纯铜箔牢固焊接在陶瓷基板上。
 
相比传统的DBC（直接键合铜）技术，AMB工艺通过化学键合而非物理共晶实现连接，结合强度更高、抗热震性能更优异，尤其适用于高温、高电压、大电流的工作环境。
 
目前主流材料体系分为三类：AMB氧化铝基板成本最低、工艺最成熟，但散热能力有限；AMB氮化铝基板凭借高热导率成为中高端功率器件首选；AMB氮化硅基板虽热导率略低于氮化铝，但机械性能是其两倍以上，且热膨胀系数与第三代半导体碳化硅高度匹配，已成为SiC功率模块封装的最佳搭档。
 
当前市场呈现国际龙头主导高端、本土企业加速追赶的双层结构。第一梯队由罗杰斯、贺利氏、DOWA、NGK Electronics、电化Denka等日德美企业构成，它们垄断车载级、航空航天级高端产品，毛利率维持在40%以上。
 
中国厂商近年来在政策驱动与市场需求双重刺激下加速追赶。江苏富乐华半导体科技股份有限公司已成为国内龙头，产能和技术水平处于领先地位，市场份额位居国内首位。
 
浙江德汇电子、无锡天杨电子、博敏电子、浙江精瓷半导体、同欣电子等企业通过全产业链布局和技术突破快速崛起。技术突破重点集中在焊料活性元素配比优化、真空焊接温度曲线控制、湿法刻蚀精度提升等环节，部分企业已实现氮化硅AMB基板的稳定量产，产品通过下游车企认证。
 
全球AMB覆铜陶瓷基板市场正处于高速增长通道。市场研究机构数据显示，2024年中国陶瓷覆铜板市场规模约22.85亿元，预计2025年将突破30亿元，其中氮化硅陶瓷覆铜板需求爆发式增长，2025年市场规模预计达8亿元。
 
竞争焦点正从产能规模转向技术深度与认证速度。国际厂商依托与英飞凌、安森美等功率半导体巨头的深度绑定，在SiC模块配套市场拥有先发优势。国内企业则在政策支持下，加速下游客户认证周期，部分企业已将车规级产品验证周期从18个月压缩至12个月。
 
同时，产业链垂直整合成为新竞争策略，如比亚迪电子依托自有功率模块需求，反向布局AMB基板制造，实现内部配套与外部市场双轮驱动。
 
随着2025年五阳新材料二期项目投产（月产能突破30万张），国内产能跃居全球第一梯队，预计国产替代率将从2024年的25%提升至2027年的45%，并在2030年主导全球60%以上市场份额。未来三年，市场将进入产能集中释放期，技术成熟度与成本控制能力将决定最终洗牌结果。