选型手册：VS4620GP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS4620GP 是一款面向 40V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，基于 VeriMOS® II 技术实现低导通电阻与高可靠性，适配低压 DC/DC 转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 4.0mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 4.0mΩ，低压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 结温约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：46A；\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 29A；
    • 环境温约束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：37A；\(T_a=70^\circ\text{C}\) 时降额为 30A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：180A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：实现低导通电阻与高能量转换效率，提升系统功率密度；
• 100% 可靠性测试：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，保障复杂工况下的稳定性；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，满足无卤要求且符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	40	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	50	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，结温约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 46；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 29	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	180	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，环境温约束）	\(I_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 37；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 30	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	22	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 26；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 8.6	W
最大功耗（环境温约束）	\(P_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 2.1；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 1.3	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	4.8 / 5.8	℃/W
结 - 环境热阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	50 / 60	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5x6 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配高密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 低压 DC/DC 转换器：在 40V 级降压拓扑中作为开关管，低阻特性降低传导损耗；
  • 同步整流电路：适配低压电源的同步整流回路，提升电源转换效率；
  • 中功率负载开关：用于消费电子、工业设备的中功率负载通断管理。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）