选型手册：VSE002N03MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSE002N03MS-G 是一款面向 30V 低压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，基于 VeriMOS® II 技术实现极致低导通电阻，适配低压大电流 DC/DC 转换器、同步整流、高功率负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 2.2mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 4.4mΩ，低压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 结温约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：155A；\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 99A；
    • 环境温约束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：63A；\(T_a=70^\circ\text{C}\) 时降额为 36A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：620A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：实现低导通电阻与高能量转换效率，提升系统功率密度；
• 快速开关 + 高可靠性：开关速度优异，同时通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 36mJ，感性负载开关场景下稳定性强；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，满足无卤要求且符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	30	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	200	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，结温约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 155；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 99	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	620	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，环境温约束）	\(I_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 63；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 36	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	36	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 36；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 20	W
最大功耗（环境温约束）	\(P_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 3.8；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 2.3	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	1.8 / 2.2	℃/W
结 - 环境热阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	36 / 42	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3333 表面贴装封装，包装规格为 5000pcs / 卷，适配小型化、高密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 低压超大电流 DC/DC 转换器：在 30V 级降压拓扑中作为主开关管，低阻特性大幅降低传导损耗；
  • 同步整流电路：适配低压大电流电源的同步整流回路，提升电源转换效率；
  • 高功率负载开关：用于工业设备、储能系统的大电流负载通断管理。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）