onsemi NVBG095N65S3F MOSFET：高性能解决方案

在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响着各种电力系统的效率和稳定性。今天，我们来深入了解一下安森美（onsemi）的NVBG095N65S3F这款N沟道、D2PAK - 7L封装的650V MOSFET。

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产品概述

NVBG095N65S3F属于安森美全新的SUPERFET® III MOSFET系列，该系列采用了先进的电荷平衡技术，具有低导通电阻和低栅极电荷的出色性能。这种先进技术不仅能有效降低传导损耗，还能提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种需要小型化和高效率的电力系统。

此外，该系列的FRFET® MOSFET优化了体二极管的反向恢复性能，能够减少额外的组件，提高系统的可靠性。而D2PAK 7引脚封装提供了Kelvin检测功能，允许更高的开关速度，还能帮助设计师减小整体应用的尺寸。

关键特性

电气性能

• 耐压与电流承载能力：在TJ = 150°C时，耐压可达700V；最大漏源击穿电压（V(BR)DSS）为650V，连续漏极电流（ID）在Tc = 25°C时为36A ，Tc = 100°C时为22.8A ，脉冲漏极电流（IDM）可达90A。
• 低导通电阻：典型的静态漏源导通电阻（RDS(on)）为78mΩ ，最大为95mΩ（在VGS = 10V，ID = 18A的条件下），低导通电阻有助于降低功率损耗。
• 低栅极电荷：典型的总栅极电荷（Qg(tot)）在10V时为66nC，这使得器件在开关过程中所需的驱动功率较小，能够实现快速开关。
• 低输出电容：典型的有效输出电容（Coss(eff.)）为597pF，低输出电容可以减少开关过程中的能量损耗。

可靠性与兼容性

• 雪崩测试：经过100%雪崩测试，确保了器件在雪崩状态下的可靠性。
• 汽车级认证：符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
• 环保标准：该器件无铅且符合RoHS标准，满足环保要求。

典型应用

NVBG095N65S3F适用于多种汽车电子应用，如汽车车载充电器和电动汽车的DC/DC转换器。在这些应用中，其高性能和高可靠性能够满足系统对效率、尺寸和稳定性的严格要求。

电气与热特性

绝对最大额定值

在使用该器件时，需要注意其绝对最大额定值。例如，漏源电压（Voss）最大为650V，栅源电压（VGss）在DC和AC（f > 1Hz）条件下最大为±30V。超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

热阻是衡量器件散热性能的重要指标。该器件的结到外壳的最大热阻（ReJc）为0.46°C/W，结到环境的最大热阻（ROJA）为40°C/W。在设计散热系统时，需要根据这些参数来确保器件在正常工作温度范围内。

电气特性

文档中详细列出了该器件在不同条件下的电气特性，包括关断特性、导通特性、动态特性、开关特性和源 - 漏二极管特性等。例如，在关断特性中，漏源击穿电压（BVDss）在VGS = 0V，ID = 1mA，TJ = 25°C时为650V；在导通特性中，栅极阈值电压（VGs(th)）在VS = VDs，I = 0.86mA时为3.0 - 5.0V。

典型特性曲线

文档中还提供了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化等。这些曲线能够帮助工程师更好地理解器件的性能，进行更精确的电路设计。

封装与订购信息

该器件采用D2PAK - 7L封装，订购时每盘有800个。对于封装尺寸，文档中给出了详细的参数，包括各个引脚和封装外形的尺寸范围。

总结

安森美（onsemi）的NVBG095N65S3F MOSFET凭借其先进的技术、出色的性能和高可靠性，为汽车电子等领域的功率系统设计提供了一个优秀的解决方案。作为电子工程师，在选择MOSFET时，需要综合考虑其电气性能、热特性、封装形式等因素，以确保设计出的系统能够满足实际应用的需求。大家在实际使用过程中，有没有遇到过类似高性能MOSFET的应用挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。