安森美SiC MOSFET NTBG025N065SC1：高效能与可靠性的完美结合

作为电子工程师，我们在设计中常常追求高性能、高可靠性的电子元件。今天，我将为大家详细介绍安森美（onsemi）的一款碳化硅（SiC）MOSFET——NTBG025N065SC1，它在开关电源、太阳能逆变器等领域有着广泛的应用。

文件下载：onsemi NTBG025N065SC1 19mohm碳化硅MOSFET.pdf

产品特性

低导通电阻与低电容

这款MOSFET具有极低的导通电阻，典型值在不同栅源电压下表现出色：在$V{GS}=18V$时，$R{DS(on)}=19m\Omega$；在$V{GS}=15V$时，$R{DS(on)}=25m\Omega$。同时，它的输出电容$C_{oss}$仅为$278pF$，这有助于降低开关损耗，提高电源转换效率。大家可以思考一下，在实际应用中，低导通电阻和低电容能为我们的电路带来哪些具体的优势呢？

低栅极电荷与雪崩测试

NTBG025N065SC1的总栅极电荷$Q_{G(tot)}$为$164nC$，这使得它在开关过程中能够快速响应，减少开关时间。而且，该器件经过了100%雪崩测试，保证了在极端条件下的可靠性，能够承受一定的能量冲击。

宽温度范围与环保特性

它的工作结温范围为$-55^{\circ}C$至$+175^{\circ}C$，能够适应各种恶劣的工作环境。同时，产品符合RoHS标准，环保无污染。

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	650	V
栅源电压	$V_{GS}$	-8/+22	V
推荐栅源电压	$V{GS{op}}$	-5/+18	V
连续漏极电流（$T_{c}=25^{\circ}C$）	$I_{D}$	106	A
功率耗散（$T_{c}=25^{\circ}C$）	$P_{D}$	395	W
连续漏极电流（$T_{c}=100^{\circ}C$）	$I_{D}$	75	A
功率耗散（$T_{c}=100^{\circ}C$）	$P_{D}$	197	W
脉冲漏极电流（$T_{c}=25^{\circ}C$）	$I_{DM}$	284	A
工作结温和存储温度范围	$T{J}, T{stg}$	-55 至 +175	$^{\circ}C$
源极电流（体二极管）	$I_{S}$	83	A
单脉冲漏源雪崩能量（$L = 11.2A_{pk}, L = 1mH$）	$E_{AS}$	62	mJ
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8处，10秒）	$T_{L}$	260	$^{\circ}C$

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。而且，实际应用中的热阻会受到多种因素的影响，并非固定值。

热特性与电气特性

热特性

参数	符号	典型值	最大值	单位
结到壳热阻	$R_{\theta JC}$	0.38		$^{\circ}C/W$
结到环境热阻	$R_{\theta JA}$		40	$^{\circ}C/W$

电气特性

关断特性

包括漏源击穿电压、击穿电压温度系数、零栅压漏极电流和栅源泄漏电流等参数，这些参数反映了器件在关断状态下的性能。例如，漏源击穿电压$V{(BR)DSS}$在$V{GS}=0V$，$I_{D}=1mA$时为650V。

导通特性

栅极阈值电压$V{GS(TH)}$在$I{D}=15.5mA$时，范围为1.8V至4.3V。推荐栅极电压$V{GOP}$为 -5V至 +18V。漏源导通电阻$R{DS(on)}$在不同的栅源电压和结温下有不同的值，如在$V{GS}=18V$，$I{D}=45A$，$T_{J}=25^{\circ}C$时，典型值为19mΩ。

电荷、电容与栅极电阻

输入电容$C{iss}$为3480pF，输出电容$C{oss}$为278pF，总栅极电荷$Q_{G(tot)}$为164nC等。这些参数对于理解器件的开关特性和动态性能非常重要。

开关特性

包括开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间以及开关损耗等。例如，开通延迟时间$t{d(on)}$为17ns，总开关损耗$E{TOT}$为177mJ。

源漏二极管特性

连续源漏二极管正向电流$I{SD}$在$V{GS}=-5V$，$T = 25^{\circ}C$时为83A，脉冲源漏二极管正向电流$I_{SDM}$为284A。同时，还给出了反向恢复时间、反向恢复电荷等参数。

典型应用

该MOSFET适用于多种典型应用，如开关模式电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和储能系统等。在这些应用中，它的高性能和可靠性能够为系统带来更好的性能和稳定性。

封装与订购信息

NTBG025N065SC1采用D2PAK - 7L封装，每盘800个。对于封装尺寸，文档中也给出了详细的表格，包括各个尺寸的最小值、标称值和最大值。

总结

安森美NTBG025N065SC1碳化硅MOSFET具有低导通电阻、低栅极电荷、宽温度范围等诸多优点，在开关电源、太阳能等领域有着广阔的应用前景。作为电子工程师，我们在设计时需要根据具体的应用需求，合理选择和使用该器件，并充分考虑其各项参数和特性，以确保电路的性能和可靠性。大家在实际应用中是否遇到过类似器件的选型和使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。