比导通电阻降低41.6%，长晶科技推出新一代SGT工艺

电子发烧友网综合报道 30V MOSFET 是 PC 主板中低压电源管理的核心器件之一 ，30V 的电压规格既能提供充足的安全裕量，又能兼顾高频开关、低损耗的需求，主要应用于主板各功能模块的降压供电电路中。
 
近日，长晶科技正式推出新一代 SGT（Shielded Gate Trench）Gen2.0 工艺，其基于该工艺打造的 30V MOSFET 系列产品，在核心性能参数、系统能效及热管理表现上实现全面突破，不仅显著超越上一代技术，更对标国际一流厂商水平，为 PC 电脑等终端应用的电源管理系统带来革命性升级。
 
长晶科技 SGT Gen2.0 工艺在 30V 电压平台的技术升级呈现跨越式特征，核心性能参数实现突破：
 
综合性能指标（Fom）：相较于 Gen1.0 工艺，Fom 值（Figure of Merit，通常以 Rds (on)×Qg 表征，值越低性能越优）降低 50%，较同期欧美系同类产品领先 12.5%，标志着器件在导通损耗与开关损耗的平衡上达到新高度；
比导通电阻（Rsp）：较上一代工艺降低 41.6%，超越欧美系产品 16.6%，直接推动器件导通损耗的大幅下降，为系统能效提升奠定核心基础。
 
基于 SGT Gen2.0 工艺，长晶科技针对性开发了 PC 电脑 30V MOSFET 系列产品，其中 CJAC6R8SN03AL 与 CJAC2R8SN03AL 的上下管搭配方案。上管（CJAC6R8SN03AL）负责高频开关动作，需兼顾低导通电阻与低开关损耗；下管（CJAC2R8SN03AL）负责续流与电流通路，核心需求是超低导通电阻+低驱动损耗。
 
两款产品均采用 PDFNWB5×6 封装，在兼顾功率密度与散热性能的同时，通过工艺优化实现了参数的精准分工，上下管搭配使用可最大化发挥系统协同效应，覆盖 PC 电源管理的核心需求场景。
 
为验证产品实际应用表现，长晶科技在 BUCK 系统评估板上进行了对标测试（测试条件：Vin=19V，Vout=1V，Iout=15A，Fsw=650KHz，Vdri=5V，Ta=25℃），结果显示其系统级性能全面超越竞品。

图源：长晶科技

 
能效表现上，长晶科技产品系统整体效率达 85.17%，相较于三款同类型竞品，能效提升幅度分别为 0.59%、1.13%、1.63%；热管理能力上，上管温升较三款竞品分别降低 1.0℃、3.1℃、4.6℃，下管温升较三款竞品分别降低 1.9℃、4.9℃、6.9℃。
从行业竞争格局来看，长晶科技此次推出的 SGT Gen2.0 系列产品，产品核心性能达到国际一线厂商水平，打破了欧美系品牌在中高端 MOSFET 市场的长期优势，通过从工艺层面实现核心突破，成功在 30V 中低压 MOSFET 细分市场建立起技术壁垒。随着终端应用对能效、可靠性的要求持续提升，该系列产品有望快速抢占市场份额。