新洁能 NCE3080K MOSFET：低阻高速，功率电路的可靠 MOS 管之选

在电子设备的电源管理、电机驱动或高频电路中，一个性能可靠的开关元件至关重要。南山电子代理的新洁能NCE3080K就是这样一款设计精良的N沟道功率MOSFET，它凭借先进的技术和出色的参数，在多种应用场景中展现出不俗的实力。

低导通电阻，高效节能

新洁能NCE3080K的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(ON)）。在10V的驱动电压下，其典型值仅为3.7毫欧，最大也不超过4.5毫欧。这意味着电流流过时产生的损耗非常小，有助于提升整体效率，减少热量产生。即使在5V的较低驱动电压下，其最大导通电阻也控制在8.5毫欧以内，适应了不同驱动电路的需求。这种优异表现得益于其高密度单元设计。

 

快速响应，胜任高频场景

• 开启延迟时间（td(on)）典型值仅7纳秒，上升时间（tr）6纳秒。
• 关闭延迟时间（td(off)）典型值30纳秒，下降时间（tf）8纳秒。
• 总栅极电荷（Qg）低至36.5纳库仑（nC），这意味着驱动它所需的能量更少，开关过程更快。

 

强大性能，稳定可靠

• 充足的电流承载能力： 连续漏极电流（ID）高达80A（在25°C时），即使在100°C壳温下也能承载56.5A。脉冲漏极电流（IDM）更是达到320A，满足瞬态大电流需求。
• 坚固耐用： 它经过了100%的非钳位电感开关（UIS）测试，证明了其抗雪崩能力。单脉冲雪崩能量（EAS）额定值为247毫焦（mJ），提供了额外的安全裕量。其体二极管也具备良好的特性，如20A下最大正向压降1.2V，反向恢复时间45纳秒。
• 良好的热性能： 采用TO-252-2L封装，结到外壳的热阻（RθJC）低至1.8°C/W，非常有利于热量从芯片传导到散热器或PCB板上，确保器件在较高功率下稳定工作。最大耗散功率（PD）为83W（25°C时）。

 

适应广泛的工作环境
新洁能NCE3080K的工作结温和存储温度范围宽广，从-55°C到175°C，能够适应各种严苛的环境条件。其30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS）额定值，也覆盖了常见的应用电压需求。

 

应用场景广泛

电源开关电路（如DC-DC转换器、电源适配器）。

• 不间断电源（UPS）系统。
• 电机驱动控制。
• 其他需要高效、快速开关的功率电路。

 

南山电子自2020年起成为新洁能（NCE）的正式授权代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列产品，我们致力于为客户提供专业的产品服务与解决方案。如需获取最新产品信息，请联系南山电子官网在线客服。