台积电熊本二厂转攻2纳米背后：AI需求重塑半导体供应链，国产功率器件迎机遇

台积电2024年宣布兴建的日本熊本二厂，在10月动工不到两月便因制程规划调整暂停。据悉，原计划的6/7纳米制程因市场需求下滑被弃用，最新方案拟跳过4纳米直接转向2纳米，以适配辉达、超微等AI芯片大客户需求。这一调整不仅改变项目定位，更折射出全球半导体产业向先进制程加速迭代的趋势，AI需求对供应链的重塑作用愈发凸显。对此，深圳争妍微电子有限公司总经理李学会结合行业实践与技术布局，提出了深度见解。

 

李学会指出：“台积电跳过4纳米直接布局2纳米，本质是AI算力爆发下的必然选择。AI芯片的高运算量带来极致能耗需求，其电源管理、热管理环节对功率半导体的性能要求呈指数级提升，这正是先进制程与高端功率器件协同发展的核心逻辑。”他强调，AI服务器单台功率可达数千瓦，GPU供电模块需大量高性能功率器件，“我们的深圳争妍微二极管、争妍微IGBT、争妍微SiC JBS及争妍微驱动IC等产品，正是瞄准这一赛道，通过低损耗、高耐压特性提升能源转换效率，适配AI芯片的高频工作场景”。

针对制程调整背后的行业逻辑，李学会进一步分析：“台积电4纳米2023年已量产，若熊本二厂两年后投产仍用该制程，必将错失AI客户向2纳米迁移的窗口期。这一决策也标志着全球半导体竞争焦点彻底转向AI算力支撑体系，而功率半导体是其中不可或缺的核心环节。”他以争妍微的技术布局为例，“我们深耕的争妍微MOSFET、争妍微氮化镓HEMT等宽禁带器件，能匹配2纳米AI芯片的高功率密度需求，目前相关产品已通过优化封装工艺，将转换效率提升3-5个百分点，可直接应用于AI服务器电源模块”。

 

对于国产功率器件企业的机遇，李学会认为：“台积电的供应链调整，为国产器件打开了替代空间。AI芯片供应链的国产化不仅需要先进制程代工，更需要上游功率器件的技术突破。我们自主研发的争妍微可控硅、争妍微三极管等产品，已凭借50余项核心专利构建技术壁垒，在工业控制、数据中心电源等领域实现批量应用，正积极对接AI芯片配套供应链。”

据了解，熊本二厂用地32.1万平方米，投资额2.2万亿日元，日本政府最高补贴7320亿日元，与一厂合计月产能将超10万片。李学会提醒：“先进制程工厂的投产周期长，供应链企业需提前布局技术适配。我们正重点推进争妍微驱动IC与SiC、GaN器件的集成封装，开发针对AI算力中心的定制化模块，通过华为云、京东海外供应链拓宽全球合作渠道，抢占AI驱动的半导体产业新风口。”

 

此次台积电制程调整，本质是AI需求主导的产业升级。李学会总结：“半导体产业的竞争已从单一制程迭代，转向‘先进制程+高端器件’的系统竞争。国产功率器件企业需以技术创新为核心，通过产品矩阵完善与场景深度适配，在AI供应链重构中实现突围。”这一趋势下，以深圳争妍微电子为代表的国产企业，正凭借核心器件技术优势，为半导体产业绿色化、高效化转型提供支撑。