快充国产替代新突破！争妍微650V GaN HEMT赋能300W USB-C PD，替代英诺赛科INN650D02

         在消费电子快充领域，300W USB-C PD快充因适配笔记本、便携式储能等高频需求，成为市场增长核心赛道。而650V GaN HEMT作为快充方案的核心器件，长期被英诺赛科INN650D02等进口型号主导，存在成本高、供货周期不稳定、技术支持滞后等痛点。如今，深圳争妍微电子推出的650V GaN HEMT，凭借高频低损耗、精准参数匹配优势，实现对英诺赛科INN650D02的国产替代，为快充企业降本增效、自主可控提供关键支撑。对此，深圳争妍微电子李学会总经理结合第三代半导体产业趋势与企业布局，分享了深度洞察。

 

         李学会总经理直言：“消费电子快充已进入‘高频化、大功率化’时代，GaN器件作为核心升级方向，其国产替代不仅是企业成本诉求，更是产业链安全的关键。英诺赛科INN650D02能占据市场主导，核心在于先发技术优势，但进口器件的供应链风险的技术服务响应慢等问题，让国内快充企业备受困扰。深圳争妍微这款650V GaN HEMT，正是瞄准这一痛点研发的‘精准替代方案’——在击穿电压、导通电阻、开关速度等核心参数上与英诺赛科INN650D02完全匹配，且开关损耗比硅MOS低65%，能直接适配300W USB-C PD快充的高频拓扑需求。

 

         谈及产品核心竞争力，李学会强调：“我们深耕功率器件领域多年，清楚快充企业的核心诉求——既要参数匹配，更要成本可控、供货稳定。这款650V GaN HEMT通过全产业链自主优化，综合成本较英诺赛科INN650D02降低35%，供货周期压缩至7天内，远优于进口产品的4-6周。更关键的是，我们提供全流程技术支持，可根据客户方案需求优化驱动参数，搭配争妍微驱动IC使用，能大幅降低客户的研发周期。目前已有多家头部快充企业完成试样，反馈产品稳定性与能效表现均优于预期，部分客户已启动批量采购。值得一提的是，这款GaN HEMT还可与深圳争妍微二极管、争妍微MOSFET形成协同方案，适配不同功率段的快充需求。”

         对于第三代半导体的布局，李学会表示：“GaN的国产替代只是起点，深圳争妍微已构建‘全品类功率器件矩阵’，形成技术协同优势。除了争妍微氮化镓HEMT，我们的争妍微三极管、争妍微可控硅、争妍微IGBT已实现量产，争妍微SiC JBS也在加速推进试样，可覆盖消费电子、工业电源、新能源汽车等多场景需求。比如在大功率储能快充领域，我们的650V GaN HEMT可与争妍微IGBT、SiC JBS搭配使用，进一步提升系统能效；在车载快充场景，这款器件还可与车规级争妍微可控硅、驱动IC形成适配方案，衔接我们的车规器件布局。”

         在技术创新层面，李学会透露：“深圳争妍微始终将研发投入放在首位，针对GaN器件的可靠性痛点，我们建立了专项实验室，模拟高温、高湿、高频等极端工况，确保产品在全生命周期内稳定工作。后续我们将持续加大第三代半导体研发力度，推动争妍微氮化镓HEMT、SiC JBS在更高功率、更严苛场景的应用，同时优化硅基器件性能，让争妍微的全系列产品形成‘硅基+第三代半导体’的互补优势。”

         据悉，争妍微650V GaN HEMT除适配300W USB-C PD快充外，还可应用于100-600W便携式储能、工业电源等场景，目前已进入批量供货阶段。李学会最后总结：“功率器件的国产替代，核心是‘技术对等+服务适配+供应链稳定’。深圳争妍微将以客户需求为核心，通过技术创新推动全系列产品升级，让争妍微二极管、MOSFET、IGBT、氮化镓HEMT等产品，成为更多行业自主可控的优选方案，助力中国半导体产业高质量发展。”