争妍微 FR7N65 平面 MOS TO-220 赋能逆变电源，替代 STP75NF75

         在工业逆变电源、光伏逆变器等大功率场景中，平面 MOSFET 作为核心开关器件，直接决定设备的能效、稳定性与使用寿命。长期以来，STP75NF75 等进口型号占据市场主导，但存在供货周期长、成本高、技术支持滞后等痛点，制约国内企业发展。如今，深圳争妍微电子推出的 FR7N65 平面 MOS TO-220，凭借精准参数匹配、高可靠性优势，实现对 STP75NF75 的完美替代，为逆变电源行业注入国产新动能。对此，深圳争妍微电子李学会总经理结合产业趋势与企业布局，分享了深度见解。

 

         李学会总经理直言：“逆变电源领域对 MOSFET 的要求核心是‘低损耗 + 高稳定’，STP75NF75 能长期占据市场，源于其成熟的性能表现，但进口器件的供应链风险与成本压力，让国内企业迫切需要优质国产替代方案。深圳争妍微这款 FR7N65 平面 MOS，正是针对性研发的‘精准替代产品’—— 采用先进平面工艺，击穿电压达 650V，连续漏极电流 7A，在导通电阻、开关速度等核心参数上与 STP75NF75 完全匹配，且开关损耗比同类产品低 25%，能直接适配各类逆变电源拓扑结构。更关键的是，我们通过了严苛的环境可靠性测试，在 - 40~150℃宽温范围稳定工作，抗浪涌能力提升 30%，完全满足工业场景的严苛要求。”

         谈及产品核心竞争力，李学会强调：“我们深耕功率器件领域多年，清楚逆变电源企业的核心诉求 —— 参数一致、供货稳定、成本可控。FR7N65 采用 TO-220 经典封装，无需修改 PCB 板即可直接替换 STP75NF75，大幅降低客户研发与改造成本。在生产端，我们实现全流程自主可控，通过精细化筛选工艺，确保器件参数离散性≤8%，批次一致性远超行业平均水平；供应链端，供货周期压缩至 7 天内，较进口产品的 4-6 周大幅缩短，综合成本降低 35%。目前已有多家光伏逆变、工业电源头部企业完成试样，反馈产品能效与稳定性均优于预期，部分客户已启动批量采购。值得一提的是，这款 MOSFET 可与深圳争妍微二极管、争妍微驱动 IC 形成协同方案，搭配我们的 600V 快恢复二极管使用，能进一步优化逆变电源的整机效率。”

         对于功率器件的全场景布局，李学会表示：“FR7N65 的推出只是我们国产替代布局的一个缩影，深圳争妍微已构建‘全品类功率器件矩阵’，形成技术协同优势。除了争妍微 MOSFET，我们的争妍微三极管、争妍微可控硅、争妍微 IGBT 已实现量产，争妍微 SiC JBS、争妍微氮化镓 HEMT 也在加速推进试样，可覆盖消费电子、工业电源、新能源汽车等多场景需求。比如在大功率光伏逆变器中，FR7N65 可与争妍微 IGBT、SiC JBS 搭配使用，提升系统转换效率；在车载逆变场景，这款器件还可与车规级争妍微可控硅、驱动 IC 形成适配方案，衔接我们的车规器件布局。”

         在技术创新层面，李学会透露：“深圳争妍微始终将研发投入放在首位，针对逆变电源的高频、高压应用痛点，我们建立了专项电力电子实验室，模拟不同工况下的器件运行状态，持续优化工艺与设计。后续我们将持续加大研发力度，推动 FR7N65 等硅基器件性能升级，同时加速第三代半导体技术落地，让争妍微的全系列产品形成‘硅基 + 第三代半导体’的互补优势，为更多行业提供优质器件方案。”

         据悉，争妍微 FR7N65 平面 MOS TO-220 除适配逆变电源外，还可应用于电焊机、UPS 电源、工业变频器等场景，目前已进入批量供货阶段。李学会最后总结：“功率器件的国产替代，核心是‘技术对等 + 服务适配 + 供应链稳定’。深圳争妍微将以客户需求为核心，通过技术创新推动全系列产品升级，让争妍微二极管、MOSFET、IGBT、可控硅等产品，成为更多行业自主可控的优选方案，助力中国半导体产业高质量发展。”