青铜剑技术和基本半导体联合研发双通道驱动板BSRD-2503

BSRD-2503驱动板由青铜剑技术和基本半导体团队联合研发，是一款专门针对62mm碳化硅MOSFET半桥模块的产品，适用于碳化硅电镀电源、碳化硅感应加热电源等应用，具有高可靠性、强适应性等特点。

01 产品特点

功率器件最高电压1200V

单通道驱动功率2W，峰值电流±10A

绝缘电压高达4000Vac

集成隔离DC/DC电源

集成原边/副边电源欠压保护

集成米勒钳位

02 配套零件

BSRD-2503所应用到的双通道隔离变压器、单通道隔离驱动芯片、正激DCDC电源芯片三款零件均为公司自主研发产品，客户可分别采购进行整体方案的设计。

隔离驱动专用正激DC-DC芯片BTP1521x

// 产品特点

输出功率可达6W

适用于给隔离驱动芯片副边电源供电

正激电路（H桥逆变或推挽逆变）

软启动时间1.5ms

工作频率可编程，最高工作频率可达1.3MHz

VCC供电电压可达24V

VCC欠压保护点4.7V

工作环境-40~125℃

芯片过温保护点150℃，过温恢复点120℃

封装体积小

// 应用推荐电路图

DC1和DC2接变压器原边线圈，副边二极管桥式整流，组成开环的全桥拓扑（H桥逆变），输出功率可达6W，输出经过电阻和稳压管分压后构成正负压，供碳化硅MOSFET使用，适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。

BTP1521x推荐电路（功率小于6W情况下）

当副边需求功率大于6W时，可以使用推挽逆变拓扑，通过DC1和DC2端控制外接的MOSFET来增加输出功率。

BTP1521x推荐电路（功率大于6W情况下）

双通道隔离变压器TR-P15DS23-EE13

// 产品特点

TR-P15DS23-EE13是驱动器专用的隔离电源变压器

采用EE13骨架（磁芯材质铁氧体）

可实现驱动器隔离供电，传输功率可达4W（每通道2W）

// BTP1521F搭配隔离变压器TR-P15DS23-EE13典型应用介绍

全桥式拓扑，副边两路输出，单路输出功率可达2W，总输出功率4W

输入电压15V，副边全桥整流输出全电压（VISO-COM=23V）

输出全电压通过4.7V的稳压管，将全电压拆分成正电压（VISO-VS=18V），负电压（COM-VS=-4V）

BTP1521F的OSC管脚通过电阻R5=42.2kΩ接地，设置工作频率为F=477kHz

工作频率可以通过RF-set电阻设置，本公式提供了RF-set(kΩ)和F(kHz)之间的关系（典型值）：

 

 

隔离驱动BTD5350MCWR

// 典型应用介绍

原方VCC供电电压15V

BTD5350xx是电压型输入的电容隔离的驱动芯片，输入INx是高阻抗引脚，如果输入信号PCB布线不合理，容易导致输入信号受到干扰，为了使芯片的输入端表现为电流源特征，建议在PWM输入接电阻R1=3kΩ到地，如果PWM电平为15V，则PWM线上的电流约为5mA，目的是使得PWM信号的线路上能产生足够的电流，可以避免芯片输入IN脚受到干扰，同时靠近芯片IN脚接滤波电容C1=100pF到地

副方电源VISO接+18V，COM接-4V，G连接到主功率板上的门极电阻

驱动芯片米勒钳位Clamp连接到主功率板上碳化硅MOSFET门极

// 典型半桥应用介绍---防桥臂直通互锁设计

PWM1信号经过RC网络连接到IN1+和IN2-，PWM2信号经过RC网络连接到IN2+和IN1-，进行PWM信号输入互锁，当PWM1和PWM2同时为高电平时，驱动芯片BTD5350MCWR副边同时输出低电平，防止桥臂直通。

03 适配模块推荐

BSRD-2503驱动板可适配基本半导体62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块。此模块采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术，在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上，通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感，使碳化硅MOSFET的高频性能得到更充分发挥。

产品特点

 

采用基本半导体新一代碳化硅MOSFET芯片技术，性能更优

低导通电阻，高温下RDS(on)表现优异

低开关损耗，提高开关频率，提升功率密度

高性能Si3N4 AMB和高温焊料引入，提高产品可靠性

高可靠性和高功率密度

低杂散电感设计，14nH及以下

铜基板散热

青铜剑技术专注于功率器件驱动器、驱动IC、测试设备的研发、生产、销售和服务，产品广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。