新品 | 采用高爬电距离TO-247-4引脚封装的CoolSiC™ 1400V MOSFET G2

新品

采用高爬电距离TO-247-4引脚封装

的CoolSiC 1400V MOSFET G2

 

CoolSiC 1400V MOSFET G2器件采用TO-247-4引脚封装，兼具前沿的SiC技术与高爬电距离的坚固封装特性。该器件支持直流母线电压超过1000V的系统设计，既为现有应用提供额外的电压裕量与增强的可靠性，又能实现更高的开关速度，从而提升系统效率。其引脚与现有封装完全兼容，适用于光伏发电、电动汽车充电、储能系统及其他工业应用领域。

 

产品型号：

■ IMZC140R011M2H

■ IMZC140R019M2H

■ IMZC140R024M2H

■ IMZC140R029M2H

■ IMZC140R038M2H

 

系统框图

 

PV

 

ESS

 

EV Charging

 

产品特性

 

漏源极电压VDSS=1400V（结温Tvj≥25°C时）

导通电阻RDS(on)低至11mΩ（栅源极电压 VGS=18V，结温 Tvj=25°C时）

极低的开关损耗，有助于实现高效率

2µs短路耐受时间

更宽的栅源极工作电压范围：-10V至+25V

基准级栅极阈值电压：4.2V

 

应用价值

 

更高的功率密度

提升的整体系统效率

增加的系统输出功率

增强的冷却优化效果

简化的系统设计流程

 

竞争优势

 

支持直流母线电压超过1000V的系统设计

采用高爬电距离封装，可靠性卓越

具备优异的瞬态过载抗扰度

对于上限为1000V的应用：提供充足的电压裕量，支持大峰值电流下的更高开关频率

其高功率密度有助于缩小整体系统尺寸

 

应用领域

 

电动汽车充电

储能系统

组串式逆变器

不间断电源

通用电机驱动