东芝推出基于贴片SiC MOSFET的3kW服务器与通信电源参考设计

随着数据中心规模的持续扩张与计算密度的不断提升，服务器与通信电源系统对高效率、大功率与小型化的电源解决方案提出了更高要求。为满足这一趋势，东芝推出了一款采用贴片式碳化硅（SiC）MOSFET的3kW服务器与通信电源参考设计，在实现80 Plus铂金级效率的同时，兼顾系统冗余能力与空间利用率，成为高密度电源系统设计的理想选择。

该参考设计结合半无桥功率因数校正（PFC）电路与移相全桥（PSFB）转换器电路。其中，PFC部分选用SiC MOSFET TW092V65C与SiC SBD TRS12V65；PSFB原边则采用内置SiC SBD的功率MOSFET TW027U65C器件，实现高频高效能量转换。副边采用功率MOSFET TPW2900ENH，进一步提升整体效率与热性能。

总体而言，该基于贴片式SiC MOSFET的3kW电源参考设计，适用于服务器及48V通信电源场景。通过器件创新与系统级优化，实现了高效率、高密度与高可靠性的三重突破，为未来的高性能电源设计提供了支撑。

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