罗姆车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT研讨会亮点回顾

精彩回顾

2026年1月21日，“车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT”在线研讨会得到了大家的支持，再次谢谢大家的热情参与！错过本次直播的小伙伴，可以点击下方查看回放。

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面向车载应用的产品目录

晶体管的种类和特征

罗姆功率半导体产品概要

除此以外，罗姆君选取了研讨会中一些有代表性的提问在这里与大家分享，供大家回顾。

Q

罗姆低压MOSFET/碳化硅产品优势

A

低压MOSFET车规级认证齐全，采用沟槽栅极结构，实现超低导通电阻，减少功率损耗，采用新一代制造工艺与高性能封装技术，在性能上实现了关键突破，具备高电流承载能力与卓越的散热特性，能够充分满足各类高端应用场景对稳定性和可靠性的严苛要求。SiC器件全产业链垂直整合，第四代沟槽栅结构，在导通电阻，开关损耗方面领先行业。

Q

车规高压IGBT宽温域参数漂移抑制方案

A

从芯片设计源头降低参数的温度敏感性，提升稳定性。

使用AMB衬底，铜夹片，双面散热等封装技术，降低热阻和热应力，保证芯片在宽温域下工作环境温和均匀。

在驱动设计上增加主动抑制手段，通过外部电路实施“校正”参数漂移，确保系统行为一致。

Q

车规高压IGBT保护响应速度与车载安全规范适配

A

器件本身具备高短路耐受能力，搭配DESAT+电流采样双快速检测、分级关断策略，过温保护设三级机制且内置快响温感；响应时间满足ISO 26262/6469标准，配合冗余设计、整车系统协同，实现故障快速处置与多层安全防护。

Q

罗姆车规封装认证与可润湿侧翼可靠性

A

全系列通过AEC-Q101、IATF 16949等核心车规认证；可润湿侧翼封装采用独有电镀工艺，高低温循环、振动、热冲击等严苛测试中，参数变化小、零失效或低损耗，还支持AOI检测，提升焊接合格率与机械稳定性。

Q

RGP系列替换竞品点火IGBT系统级验证要点

A

首先确认点火能量和波形，雪崩能量耐受是最重要的参数之一。

其次确认极端工况结温，进行耐久性测试等可靠性验证。

同样还要兼顾EMC测试，系统安全与诊断验证。

Q

罗姆封装技术独特优势

A

罗姆的封装技术核心围绕“高散热、高密度、高可靠”三大目标，尤其针对汽车和工业等严苛应用。采用双面散热封装技术，内部结构优化和材料创新，提高焊接工艺等完美满足AEC-Q101标准，并优化封装内部布局和引脚设计，有效降低栅极和源极寄生电感。