ISO5852S-Q1 ISO5852S-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器，具有分离输出

ISO5852S-Q1器件是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV _RMS 增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH和OUTL）以及2.5A的拉电流能力和5A的灌电流能力。输入端由2.25V至5.5V的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为15V至30V。两个互补CMOS输入控制栅极驱动器的输出状态.76ns的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。中的文本由“3V至5.5V单电源”更改为“2.25V至5.5V单电源”中的文本由“ IGBT处于过载状态“更改为”IGBT处于过流状态“

内置的去饱和（DESAT）故障检测功能可识别IGBT何时处于过流状态。检测到DESAT时，静音逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用OUTH引脚并将OUTL引脚拉至低电平持续2μs。当OUTL引脚达到2V时（相对于最大负电源电势V _{EE2 < /子>），栅极驱动器会被“硬”拉至V EE2 电势，从而立即将IGBT关断。已将中的文本由“并降低OUTL的电压持续2μs以上”更改为“并将OUTL拉至低电平持续2μs”< /p>}

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以及输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。静音逻辑在软关断期间激活。 FLT 的输出状态将被锁存，并只能在RDY引脚变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。已更改的第3段

如果在由double极输出电源供电的正常运行期间关断IGBT，输出电压会被硬钳位为V _EE2 。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止IGBT在高电压瞬态状态下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY输出会变为低电平，否则该输出为高电平。

ISO5852S-Q1采用16引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装。此器件的额定工作环境温度范围为-40°C至+ 125°C。