CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET：小身材大能量

在电子设计领域，我们常常面临着在有限空间内实现高性能的挑战。今天要给大家介绍的 CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET，就是一款在小尺寸下展现出卓越性能的器件，特别适合工业负载开关和通用开关等应用。

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产品概述

CSD25485F5 是一款采用 P-Channel FemtoFET™ MOSFET 技术的器件，其设计目标是在众多手持和移动应用中最小化占用空间。它能够替代标准小信号 MOSFET，同时显著减小封装尺寸。

产品特性

• 低导通电阻：不同栅源电压下，导通电阻表现出色。例如，当 (V{GS} = –8 V) 时，典型导通电阻 (R{DS(on)}) 仅为 29.7 mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较小，能够提高电路效率。
• 低栅极电荷：总栅极电荷 (Q{g})（–4.5 V）典型值为 2.7 nC，栅极 - 漏极电荷 (Q{gd}) 为 0.56 nC。低栅极电荷有助于降低开关损耗，提高开关速度，使器件在高频应用中表现更优。
• 超小封装尺寸：封装尺寸为 1.53 mm × 0.77 mm，焊盘间距为 0.50 -mm，高度仅 0.36 -mm。如此小巧的尺寸，非常适合对空间要求苛刻的应用场景。
• 集成 ESD 保护二极管：能够有效保护器件免受静电放电的损害，提高了器件的可靠性和稳定性。

产品参数

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
(B_{V DSS})（漏 - 源电压）	(V{GS} = 0 V)，(I{DS} = –250 μA)	-20	-	-	V
(I_{DSS})（漏 - 源泄漏电流）	(V{GS} = 0 V)，(V{DS} = –16 V)	-	-	-100	nA
(I_{GSS})（栅 - 源泄漏电流）	(V{DS} = 0 V)，(V{GS} = –12 V)	-	-	-25	nA
(V_{GS(th)})（栅 - 源阈值电压）	(V{DS} = V{GS})，(I_{DS} = –250 μA)	-0.7	-0.95	-1.3	V
(R_{DS(on)})（漏 - 源导通电阻）	(V{GS} = –1.8 V)，(I{DS} = –0.1 A)	89	-	250	mΩ
	(V{GS} = –2.5 V)，(I{DS} = –0.9 A)	51	-	70	mΩ
	(V{GS} = –4.5 V)，(I{DS} = –0.9 A)	35	-	42	mΩ
	(V{GS} = –8 V)，(I{DS} = –0.9 A)	29.7	-	35	mΩ
(g_{fs})（跨导）	(V{DS} = –2 V)，(I{DS} = –0.9 A)	-	7	-	S

应用场景

该器件主要适用于工业负载开关应用和通用开关应用。在工业负载开关中，其低导通电阻和低栅极电荷特性能够有效降低功耗，提高系统效率；在通用开关应用中，超小的封装尺寸可以节省电路板空间，使设计更加紧凑。

绝对最大额定值

参数	数值	单位
(V_{DS})（漏 - 源电压）	-20	V
(V_{GS})（栅 - 源电压）	-12	V
(I_{D})（连续漏极电流）	-3.2（条件 1） -5.3（条件 2）	A
(I_{DM})（脉冲漏极电流）	-31	A
(P_{D})（功率耗散）	0.5（条件 1） 1.4（条件 2）	W
(V_{(ESD)})（人体模型）	4000	V
（充电器件模型）	2000	V
(T{J})，(T{stg})（工作结温、存储温度）	-55 至 150	°C

这里需要注意不同条件下的参数差异，例如连续漏极电流和功率耗散在不同的铜面积条件下有不同的值，这与散热情况密切相关。

热信息

热阻是衡量器件散热性能的重要指标。该器件在不同的安装条件下有不同的热阻：

• 当器件安装在具有 1 -in²（6.45 -cm²）、2 -oz（0.071 -mm）厚铜的 FR4 材料上时，典型结 - 环境热阻 (R_{theta JA}) 为 90 °C/W。
• 当器件安装在最小铜安装面积的 FR4 材料上时，典型结 - 环境热阻 (R_{theta JA}) 为 245 °C/W。

在设计电路时，我们需要根据实际的散热需求和安装条件来考虑热阻对器件性能的影响。

典型 MOSFET 特性

文档中给出了多个典型特性曲线，包括瞬态热阻抗、饱和特性、转移特性、栅极电荷、电容特性、阈值电压与温度关系、导通电阻与温度关系、最大安全工作区、二极管正向电压以及最大漏极电流与温度关系等。这些曲线能够帮助我们更深入地了解器件在不同条件下的性能表现。例如，从导通电阻与温度关系曲线中，我们可以看到随着温度的升高，导通电阻会发生变化，这在设计时需要考虑对电路性能的影响。

机械、封装和订购信息

机械尺寸

器件的封装尺寸为 1.53 mm × 0.77 mm，高度为 0.36 mm，引脚配置为：Pin 1 为栅极，Pin 2 为源极，Pin 3 为漏极。

推荐 PCB 布局和模板图案

文档中给出了推荐的最小 PCB 布局和模板图案，这些设计能够帮助我们更好地进行电路板设计，确保器件的性能和可靠性。例如，在 PCB 布局中，要注意焊盘尺寸和间距的设计，以保证良好的焊接质量。

订购信息

提供了不同的订购型号，如 CSD25485F5、CSD25485F5.B、CSD25485F5T、CSD25485F5T.B，它们在包装数量、载体等方面有所不同。同时，还给出了详细的包装信息，包括卷盘尺寸、载带尺寸、盒子尺寸等。

总结

CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 以其低导通电阻、低栅极电荷、超小封装尺寸和集成 ESD 保护等特性，为工业负载开关和通用开关应用提供了一个优秀的解决方案。在设计过程中，我们需要充分考虑器件的各项参数和特性，结合实际应用需求进行合理设计。大家在使用这款器件时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的设计思路呢？欢迎在评论区分享交流。