英飞凌第二代1200V CoolSiC™ MOSFET品质因数(FOM)介绍

品质因数FOM是半导体性能的量化指标之一。MOSFET的FOM由漏-源导通电阻与器件的一个或多个参数的乘积得出。FOM值越低，器件性能越好。

 

如下是对SiC MOSFET具有重要意义的品质因数：

RDS(on)*Area: 这是最常用的FOM，它代表了MOSFET技术的进步

RDS(ON) × Qg: 综合反映静态导通损耗与栅极驱动损耗，是器件选型与代际对比的基础指标

RDS(ON) × Coss: 软开关核心指标，决定轻载损耗与谐振频率，FOM 越小，轻载效率越高、可工作频率越高

RDS(ON) × Eoss: 评估轻载 / 待机损耗，Eoss 越小，轻载下充放电损耗越低

 

器件数据手册通常不会给出FOM值。英飞凌推出的1200V第二代CoolSiC MOSFET，采用先进的沟槽栅SiC技术，实现了品质因数的全面突破。CoolSiC MOSFET G2能够实现超低导通电阻与低输出电容的完美结合，助力系统设计更紧凑、更经济。其业界领先的栅极电荷和输出电容特性，显著降低了开关损耗，提升了高频操作下的能效。此外，高栅-源阈值电压设计有效防止了寄生导通，确保了系统的稳定运行。无论是硬开关还是软开关应用，CoolSiC MOSFET都能提供灵活的设计空间，助力工程师打造卓越、高性能的解决方案。