韩系大厂功率GaN代工进入量产阶段，Fabless要崛起？

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日业界传出三星电子功率GaN晶圆代工产线即将投产，其8英寸GaN产线已进入量产前准备阶段，预计最早将在今年第二季度实现全面投产。
 
三星的GaN代工业务布局最早是从2023年开始，在其举办的晶圆代工论坛活动上宣布将在2025年起为消费级、数据中心和汽车应用提供8英寸GaN晶圆代工服务。而在三年后，尽管相比计划略微延后，但三星终于正式进入功率半导体代工市场。
 
GaN、SiC同步推进，已有首批客户
 
三星将自己GaN代工业务定位为“交钥匙”的服务，不涉及芯片设计环节。同时三星在外延片上也选择了自研，目前已经研发出适合大规模量产的Si基GaN外延片，将用于后续的量产。
 
业界消息称，目前三星已经获得首批客户，但由于客户规模有限，三星预计其功率GaN晶圆代工业务的年营收将低于1000亿韩元（约合4.6亿元人民币）。而业内人士推测，三星GaN晶圆代工业务计划的推迟也是受到客户群规模的影响。
 
另外，除了GaN之外，三星还同步推进SiC代工的业务，并同样预计在2026年内推出。但与GaN代工不同的是，三星SiC代工业务将涵盖从设计到晶圆制造到封装的垂直整合模式，SiC器件产品电压范围覆盖从1200V到1700V，能够满足当前电动汽车以及数据中心高压系统的需求。
 
在实际应用中，功率GaN器件主要用于1200V以下的场景，1200V及以上则更多采用SiC器件，三星通过GaN和SiC的布局，可以覆盖未来功率半导体的大部分需求，并有望接棒台积电退出GaN留下的市场空缺。同时配合其HBM4内存、以及GPU、AI芯片代工等业务，形成完整的电源管理方案。
 
GaN代工格局再生变，Fabless模式崛起？
 
去年7月，台积电发表声明表示，经过长期业务的完整评估后，公司决定在未来两年内，也就是2027年7月之前逐步退出氮化镓业务。台积电称：“我们正与客户密切合作，确保顺利过渡，并在此期间继续致力于满足他们的需求。”
 
一鲸落万物生，就在台积电正式宣布退出GaN代工业务后，纳微半导体作为台积电最大的GaN客户，宣布将与力积电合作，共同推进业内领先的8英寸硅基氮化镓技术生产。纳微半导体在公告中指出，力积电有着先进的180nm CMOS工艺能力，运用更小、更先进的工艺节点，从而在性能、能效、集成度以及成本方面实现全面优化。
 
纳微半导体表示将通过力积电生产其100V至650V的氮化镓产品组合，以应对超大规模AI数据中心和电动汽车等48V基础设施对氮化镓技术日益增长的需求。根据公告，首批由力积电制造的器件预计在2025年第四季度完成认证。其中，100V系列计划于2026年上半年开始在力积电投产，而650V的器件则将在未来12到24个月内从现有的供应商台积电逐步转移至力积电进行代工生产。
 
而台积电GaN业务的另一大客户罗姆半导体，在今年3月与台积电签署技术授权协议，将台积电成熟的650V及相关GaN工艺技术授权并转移至罗姆位于日本的滨松工厂，罗姆计划于2027年在内部工厂建立完整的端到端生产体系，也就是将门级驱动 (Gate Driver)、控制IC与GaN功率器件进行更紧密的单片集成或系统封装。
 
另外，台积电的650V和80V 功率GaN工艺还授权给世界先进和格芯，通过授权费回收早期研发成本，并维持了行业标准的间接影响力。
 
值得一提的是，近年来不只是三星，韩国本土产业对于GaN代工似乎较为热衷，比如DB HiTek、SK Keyfoundry等都纷纷入局GaN代工领域。
 
DB HiTek在今年2月宣布650V GaN HEMT工艺进入量产最后阶段，并已开启 MPW（多项目晶圆） 服务供全球客户流片。公司计划在2026年底前推出 200V 低压 GaN 以及针对集成电路优化的GaN BCD工艺，试图在单片集成驱动领域挑战欧美的IDM厂商。
 
SK Keyfoundry则倾向于汽车应用，今年三月明确了其复合功率半导体路线图，同步推进 SiC MOSFET 与 650V GaN，目前正与韩国本土汽车供应链深度合作，验证其 GaN 工艺在 800V 系统中的 DC-DC 转换可靠性。
 
目前GaN代工呈现多点开发的格局，新玩家的入局给市场带来了非常大的转变。在台积电退出后，Fabless厂商最担心的是失去高良率、稳定的代工源，而新玩家入局给GaN代工带来更多竞争，未来Fabless厂商可能会获得更大的价格优势，且标准化的工艺平台让Fabless厂商能够专注于电路设计层面的创新。
 
不过，另一边GaN IDM厂商同样在加快产能布局。全球功率GaN市场份额最高的英诺赛科在去年计划从24年年末的1.3万片/月，提升至2025年年末的2万片/月；英飞凌在2025年7月宣布开始量产全球首批12英寸功率硅基氮化镓晶圆；罗姆则通过技术授权获得了650V GaN工艺，并将其滨松工厂产线从6英寸往8英寸升级。
 
小结：
 
功率GaN作为在数据中心800V架构中的重要器件，未来几年的需求增速将进入加速阶段。代工厂的遍地开花，其实也意味着GaN正在加速普及，在更多场景替代硅基功率器件。从时间节点来看，27年将会是功率GaN市场格局出现巨变的节点，更多GaN晶圆代工产能的落地，将会带动GaN市场规模的新一轮增长。