芯塔电子推出1700V/25mΩ TO-247-4封装SiC MOSFET产品TM4G0025170K

芯塔电子近日推出新一代1700V/25mΩ TO-247-4封装SiC MOSFET——TM4G0025170K。该产品集成了多项技术创新，为工业电源、新能源等高压大功率应用场景提供了性能卓越的解决方案。

TM4G0025170K采用TO-247-4封装设计，具备21mΩ的超低导通电阻和74A的连续电流能力，其1700V的击穿电压配合高达371A的脉冲电流承载能力，在工业驱动、新能源发电等高压领域展现出卓越的性能优势。值得关注的是，该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气特性，当结温升至175℃时，导通电阻控制在49mΩ以内，这种优异的温度稳定性确保了在严苛工况下的可靠运行。

在动态特性方面，TM4G0025170K充分发挥了碳化硅材料的高速开关优势。其优化的电容特性实现了32.7ns的开启延迟和13.4ns的下降时间，这种快速开关能力显著降低了总开关能量至1418μJ，为系统提升工作频率创造了条件。

在温度特性方面，器件在-55℃至175℃的宽工作温度范围内表现出良好的电学稳定性。其阈值电压具有足够的正向安全裕量，能够有效避免在高温或高压摆率(dv/dt)条件下因阈值漂移而导致的器件误开通风险，提升了系统的可靠性。热阻方面，0.28℃/W的结壳热阻值确保器件能够承受534W的最大功耗(Tc=25℃)，为高功率应用提供充足的散热余量。体二极管特性同样出色，4.1V的正向压降(IS=50A)配合104A的连续电流能力，在续流和反向恢复过程中表现出优异的性能。

从应用角度看，TM4G0025170K的卓越性能为多个高压应用领域带来显著提升。在光伏逆变器领域，1700V的耐压等级可直接适配1500V直流系统，能显著降低系统复杂度并提升效率。在工业电机驱动中，优异的开关特性支持更高开关频率，减小输出滤波器体积，同时提升控制精度。电动汽车充电桩应用方面，高耐压特性满足大功率快充需求，而低导通损耗则直接转化为更高的能源利用效率。此外，在高压DC/DC变换器和储能系统等领域，器件的高可靠性和温度稳定性确保系统在全天候工作条件下的稳定运行。

芯塔电子通过优化的器件设计和先进的制造工艺，TM4G0025170K在各项性能参数间实现了良好平衡。其不仅具备碳化硅器件固有的高频、高效优势，更在可靠性和易用性方面取得重要进展。

该产品现已量产供货，欢迎登录芯塔电子官网www.topelectronics.cn或致函芯塔电子销售邮箱sale.topelectronics.cn获取详细技术资料和样品支持。