FCD620N60ZF：N沟道SuperFET® II FRFET® MOSFET的卓越性能与应用

在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能的优劣直接影响着整个电路系统的运行效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下飞兆半导体的FCD620N60ZF N沟道SuperFET® II FRFET® MOSFET。

文件下载：FCD620N60ZFCN-D.pdf

品牌整合与系统要求

飞兆半导体（Fairchild）现已成为安森美半导体（ON Semiconductor）的一部分。由于安森美半导体的产品管理系统无法处理带有下划线（_）的部件命名，飞兆部分可订购的部件编号中的下划线将更改为破折号（-）。大家可通过安森美半导体网站（www.onsemi.com）核实更新后的器件编号。

产品特性

高性能参数

FCD620N60ZF MOSFET具有一系列出色的特性。在温度 (T{J}=150^{circ} C) 时，它能承受650 V的电压；典型值 (R{DS( on )}=528 ~m Omega)，展现出较低的导通电阻；超低栅极电荷（典型值 (Qg=20 nC)）和低有效输出电容（典型值 (C_{oss(eff.) }=71 pF)），有助于降低开关损耗，提高开关速度。

可靠性保障

该器件100%经过雪崩测试，具备提高静电放电保护能力，并且符合RoHS标准，在可靠性和环保性方面表现出色。

技术原理与应用优势

SuperFET® II MOSFET采用了电荷平衡技术，这是飞兆半导体新一代的高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术的优势在于最小化导通损耗，同时提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。因此，它非常适合开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用等。而SuperFET II FRFET® MOSFET还优化了体二极管的反向恢复性能，可去除额外元件，提高系统可靠性。

具体应用场景

显示设备

在LCD / LED / PDP电视和显示器照明中，FCD620N60ZF能够为电源模块提供高效稳定的功率转换，确保显示设备的正常运行。

能源领域

在太阳能逆变器和AC - DC电源中，其低导通电阻和良好的开关性能有助于提高能源转换效率，减少能量损耗。

电气特性与性能参数

绝对最大额定值

符号	参数	FCD620N60ZF	单位
(V_{DSS})	漏极 - 源极电压	600	V
(V_{GSS})	栅极 - 源极电压（DC）	±20	V
(V_{GSS})	栅极 - 源极电压（AC，f > 1 Hz）	±30	V
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C} = 25°C)）	7.3	A
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C} = 100°C)）	4.6	A
(I_{DM})	漏极电流（脉冲）	21.9	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	135	mJ
(I_{AR})	雪崩电流	1.5	A
(E_{AR})	重复雪崩能量	0.89	mJ
(dv/dt)	MOSFET dv/dt	100	V/ns
二极管恢复dv/dt峰值	20	V/ns
(P_{D})	功耗（(T_{C} = 25°C)）	89	W
(P_{D})	功耗（降低至25°C以上）	0.71	W/°C
(T{J}, T{STG})	工作和存储温度范围	-55至 +150	°C
(T_{L})	用于焊接的最大引线温度（距离外壳1/8"，持续5秒）	300	°C

热性能

符号	参数	FCD620N60ZF	单位
(R_{theta JC})	结至外壳热阻最大值	1.4	°C/W
(R_{theta JA})	结至环境热阻最大值	100	°C/W

电气特性详情

关断特性

• 漏极 - 源极击穿电压 (B{V DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(I{D} = 10 mA)，(T{J} = 25°C) 时为600 V；在 (T_{J} = 150°C) 时为650 V。
• 击穿电压温度系数 (Delta B{V DSS} / Delta T{J})：(I_{D}=10 mA)，参考温度为25°C时为0.6 V/°C。

  导通特性

• 栅极阈值电压 (V{GS(th)})：(V{GS} = V{DS})，(I{D} = 250 mu A) 时，范围为3 - 5 V。
• 漏极至源极静态导通电阻 (R{DS(on)})：(V{GS} = 10 V)，(I_{D} = 3.6 A) 时，典型值为0.528 Ω，最大值为0.62 Ω。

  动态特性

• 输入电容 (C{iss})：(V{DS} = 25 V)，(V_{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) 时，典型值为855 pF，最大值为1135 pF。
• 输出电容 (C_{oss})：不同条件下有不同取值。
• 反向传输电容 (C_{rss})：典型值为30 pF，最大值为45 pF。
• 有效输出电容 (C{oss(eff.)})：(V{DS} = 0 V) 到480 V，(V_{GS} = 0 V) 时，典型值为71 pF。

  开关特性

• 导通延迟时间 (t{d(on)})：(V{DD} = 380 V)，(I{D} = 3.6 A)，(V{GS} = 10 V)，(R_{g} = 4.7 Omega) 时，典型值为15 ns，最大值为40 ns。
• 开通上升时间 (t_{r})：典型值为7 ns，最大值为24 ns。
• 关断延迟时间 (t_{d(off)})：典型值为35 ns，最大值为80 ns。
• 关断下降时间 (t_{f})：典型值为10 ns，最大值为30 ns。

  漏极 - 源极二极管特性

• 漏极 - 源极二极管最大正向连续电流 (I_{S})：为7.3 A。
• 漏极 - 源极二极管最大正向脉冲电流 (I_{SM})：为21.9 A。
• 漏极 - 源极二极管正向电压 (V{SD})：(V{GS} = 0 V)，(I_{SD} = 3.6 A) 时，最大值为1.2 V。
• 反向恢复时间 (t{rr})：(V{GS} = 0 V)，(I{SD} = 3.6 A)，(dI{F}/dt = 100 A/mu s) 时，典型值为84 ns。
• 反向恢复电荷 (Q_{rr})：典型值为0.325 μC。

典型性能特征

文档中还给出了一系列典型性能特征图，如通态区域特性、传输特性、导通电阻变化与漏极电流和栅极电压的关系、体二极管正向电压变化与源极电流和温度的关系、电容特性、栅极电荷特性等。这些图表直观地展示了器件在不同条件下的性能表现，对于工程师进行电路设计和性能评估具有重要的参考价值。

封装与订购信息

FCD620N60ZF采用D - PAK封装，包装方法为卷带，卷尺寸为330 mm，带宽为16 mm，每卷数量为2500个。

注意事项

系统集成

由于品牌整合，部分飞兆部件编号会有变更，需通过安森美半导体网站核实更新后的编号。

应用限制

安森美半导体产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备，以及用于人体植入的设备。若购买或使用该产品用于非预期或未授权的应用，买方需承担相应责任。

性能参数

“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间改变，所有工作参数都需由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。

FCD620N60ZF N沟道SuperFET® II FRFET® MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用场景，为电子工程师在开关电源设计等领域提供了一个优秀的选择。但在实际应用中，我们仍需充分考虑各种因素，确保器件的性能能够得到充分发挥，同时保障系统的可靠性和稳定性。大家在使用过程中有没有遇到过类似MOSFET的一些特殊问题呢？欢迎在评论区分享交流。