FCD850N80Z / FCU850N80Z — N-沟道 SuperFET® II MOSFET 深度解析

在电子工程领域，MOSFET 作为关键的功率开关器件，其性能的优劣直接影响着整个电路的表现。今天，我们就来深入探讨一下飞兆半导体的 FCD850N80Z / FCU850N80Z N - 沟道 SuperFET® II MOSFET。

文件下载：FCU850N80ZCN-D.pdf

一、公司背景与产品编号变更说明

飞兆半导体现已成为安森美半导体（ON Semiconductor）的一部分。由于系统要求，部分飞兆可订购的产品编号需要更改，原编号中的下划线（_）将改为破折号（-）。大家可通过安森美半导体网站（www.onsemi.com）核实更新后的器件编号。

二、产品特性

低导通电阻与低栅极电荷

典型值 RDS(on) = 710 mΩ，超低栅极电荷（典型值 Qg = 22 nC），这使得该 MOSFET 在导通时的功率损耗大幅降低，同时也能实现快速的开关动作，提高了电路的效率和响应速度。

低 Eoss 与有效输出电容

低 Eoss（典型值 2.3 uJ@400 V）和低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 106 pF），有助于减少开关过程中的能量损耗，进一步提升电路性能。

其他特性

100% 经过雪崩测试，保证了产品在恶劣环境下的可靠性；符合 RoHS 标准，满足环保要求；增强的 ESD 能力，有效防止静电对器件的损坏。

三、应用领域

该 MOSFET 适用于多种功率开关应用，如 AC - DC 电源、LED 照明等。在音频、笔记本适配器、ATX 电源和工业电源应用中也能发挥出色的性能。大家在实际设计中，是否考虑过这些应用场景下该 MOSFET 的具体优势呢？

四、最大绝对额定值与热性能

最大绝对额定值

在 TC = 25°C 条件下（除非另有说明），漏极 - 源极电压 VDSS 为 800 V，栅极 - 源极电压 VGSS 直流为 ±20 V，交流（f > 1 Hz）为 ±30 V。漏极电流 ID 连续（TC = 25°C）为 6 A，连续（TC = 100°C）为 3.8 A，脉冲电流 IDM 为 18 A。这些参数为我们在设计电路时提供了重要的参考，确保器件在安全的工作范围内运行。

热性能

结至外壳热阻最大值 RθJC 为 1.65 °C/W，结至环境热阻最大值 RθJA 为 100 °C/W。了解热性能参数对于散热设计至关重要，大家在设计过程中是否有遇到过因为散热问题影响器件性能的情况呢？

五、电气特性

关断与导通特性

漏极 - 源极击穿电压 BVDSS 测试条件下最小值为 800 V，栅极阈值电压 VGS(th) 在 VGS = VDS，ID = 0.6 mA 时为 2.5 - 4.5 V，漏极至源极静态导通电阻 RDS(on) 在 VGS = 10 V，ID = 3 A 时典型值为 710 mΩ，最大值为 850 mΩ。这些特性决定了器件在开关状态下的性能表现。

动态与开关特性

输入电容 Ciss 在 VDS = 100 V，VGS = 0 V，f = 1 MHz 时典型值为 990 pF，最大值为 1315 pF；栅极电荷总量 Qg(tot) 在 VDS = 640 V，ID = 6 A，VGS = 10 V 时典型值为 22 nC，最大值为 29 nC。导通延迟时间 td(on)、开通上升时间 tr、关断延迟时间 td(off) 和关断下降时间 tf 等参数，对于评估器件的开关速度和效率非常关键。

漏极 - 源极二极管特性

漏极 - 源极二极管最大正向连续电流 IS 为 6 A，最大正向脉冲电流 ISM 为 18 A，正向电压 VSD 在 VGS = 0 V，ISD = 6 A 时为 1.2 V。反向恢复时间 trr 在特定条件下为 318 ns，反向恢复电荷 Qrr 为 4.5 μC。这些特性在涉及到二极管应用的电路中起着重要作用。

六、典型性能特征

文档中提供了多个典型性能特征图，如导通区域特性、传输特性、导通电阻变化与漏极电流和栅极电压的关系、电容特性、栅极电荷特性等。这些图表能够帮助我们直观地了解器件在不同工作条件下的性能变化，为电路设计提供更准确的数据支持。大家在实际设计中，是否经常参考这些典型性能特征图来优化电路呢？

七、机械尺寸与封装信息

封装标识

FCD850N80Z 采用 DPAK 封装，顶标为 FCD850N80Z，包装方法为卷带，卷尺寸为 330 mm，带宽为 16 mm，数量为 2500 颗；FCU850N80Z 采用 IPAK 封装，顶标为 FCU850N80Z，包装方法为塑料管，数量为 75 个。

机械尺寸图纸

文档提供了 TO252（D - PAK）和 TO251（I - PAK）封装的机械尺寸图纸。不过需要注意的是，具体参数可能会有变化，大家可以随时访问飞兆半导体在线封装网页获取最新的封装图纸。在进行 PCB 布局设计时，准确的封装尺寸信息是必不可少的，大家在这方面是否有遇到过尺寸不匹配的问题呢？

八、其他注意事项

商标与声明

文档中列出了飞兆半导体的多个商标。同时，飞兆半导体保留对产品作出变动的权利，且对于产品在应用中出现的问题不承担责任。若无正式书面授权，其产品不可作为生命支持设备或系统中的关键器件。

防伪条款

由于半导体产品仿造行为日益严重，飞兆半导体鼓励客户直接从飞兆半导体或其授权分销商处购买产品，以确保购买到正品，并获得完整的保修服务。在采购过程中，大家是否有遇到过假冒零部件的情况呢？

综上所述，FCD850N80Z / FCU850N80Z N - 沟道 SuperFET® II MOSFET 以其出色的性能和丰富的特性，为电子工程师在功率开关设计领域提供了一个优秀的选择。在实际应用中，我们需要充分了解其各项参数和特性，结合具体的设计需求，合理选择和使用该器件，以实现最佳的电路性能。