探索 onsemi FDB28N30TM：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选

在电子工程领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是功率电子应用中不可或缺的关键元件。今天，我们将深入探讨 onsemi 公司的 FDB28N30TM，这是一款基于平面条纹和 DMOS 技术的 300V、28A 的 N 沟道 UniFET MOSFET，它在开关电源转换器等应用中展现出卓越的性能。

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产品概述

UniFET MOSFET 是 onsemi 旗下的高压 MOSFET 系列，旨在降低导通电阻，提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。FDB28N30TM 特别适用于功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX 电源和电子灯镇流器等开关电源转换器应用。

关键特性

低导通电阻

在 (V{GS}=10V)、(I{D}=14A) 的典型条件下，(R_{DS(on)}) 仅为 108mΩ，这意味着在导通状态下，MOSFET 的功率损耗更低，能够提高电源转换效率。

低栅极电荷

典型的栅极电荷 (Q_{g}=39nC)，较低的栅极电荷可以减少开关过程中的能量损耗，加快开关速度，提高整个系统的效率。

低反向传输电容

典型的反向传输电容 (C_{rss}=35pF)，这有助于降低开关过程中的米勒效应，进一步提高开关性能。

雪崩测试

该器件经过 100% 雪崩测试，具有较高的雪崩能量强度（(E_{AS}=588mJ) 单脉冲雪崩能量），能够在恶劣的工作条件下保持稳定可靠的性能。

环保合规

FDB28N30TM 是无铅产品，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用领域

• 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中，FDB28N30TM 的高性能和可靠性能够确保在市电中断时，为关键设备提供稳定的电力供应。
• AC - DC 电源：在 AC - DC 电源转换中，它可以有效降低功率损耗，提高电源效率。

产品参数

最大额定值

该 MOSFET 的最大额定值涵盖了多个方面，如漏源电压 (V{DSS}) 为 300V，栅源电压 (V{GSS}) 为 ±30V，连续漏极电流在 (T{C}=25^{circ}C) 时为 28A，在 (T{C}=100^{circ}C) 时为 19A 等。需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

热特性对于 MOSFET 的性能和可靠性至关重要。FDB28N30TM 的最大结到外壳热阻 (R{theta JC}) 为 0.5°C/W，结到环境热阻 (R{theta JA}) 在不同的铜箔面积下有所不同，1 平方英寸 2 盎司铜箔时为 40°C/W，最小铜箔面积时为 62.5°C/W。

电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压 (B{V DSS}) 在 (I{D}=250mu A)、(V{GS}=0V)、(T{J}=25^{circ}C) 时为 300V，其温度系数为 0.4V/°C。
• 导通特性：栅极阈值电压 (V{GS(th)}) 在 (V{GS}=V{DS})、(I{D}=250mu A) 时为 3.0 - 5.0V，静态漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)、(I_{D}=14A) 时典型值为 0.108Ω，最大值为 0.129Ω。
• 动态特性：输入电容 (C{iss})、输出电容 (C{oss})、反向传输电容 (C_{rss}) 等参数在特定测试条件下有明确的数值，这些参数影响着 MOSFET 的开关速度和性能。
• 开关特性：包括开通延迟时间 (t{d(on)})、开通上升时间 (t{r})、关断延迟时间 (t{d(off)}) 和关断下降时间 (t{f}) 等，这些时间参数对于评估 MOSFET 的开关性能至关重要。
• 漏源二极管特性：最大连续漏源二极管正向电流 (I{S}) 为 28A，最大脉冲漏源二极管正向电流 (I{SM}) 为 112A，漏源二极管正向电压 (V{SD}) 在 (V{GS}=0V)、(I_{SD}=28A) 时为 1.4V 等。

典型性能曲线

文档中提供了多个典型性能曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化以及瞬态热响应曲线等。这些曲线直观地展示了 FDB28N30TM 在不同工作条件下的性能表现，为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

封装与订购信息

FDB28N30TM 采用 D2PAK - 3（TO - 263，3 - 引脚）封装，每盘 800 个。同时，文档还提供了封装尺寸、推荐安装脚印和标记图等详细信息。

总结

onsemi 的 FDB28N30TM MOSFET 凭借其低导通电阻、低栅极电荷、低反向传输电容、高雪崩能量强度等卓越特性，成为开关电源转换器应用中的理想选择。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，结合其最大额定值、热特性、电气特性和典型性能曲线等参数，合理选择和使用该器件，以确保系统的性能和可靠性。你在使用类似 MOSFET 时遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。