安森美FDP20N50F/FDPF20N50FT MOSFET：高性能之选

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响着整个系统的表现。今天我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的FDP20N50F/FDPF20N50FT这两款N沟道MOSFET。

文件下载：FDPF20N50FT-D.pdf

产品概述

FDP20N50F/FDPF20N50FT属于安森美的UniFET MOSFET家族，基于平面条纹和DMOS技术打造。该系列MOSFET旨在降低导通电阻，提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。其中，FDPF20N50FT的体二极管反向恢复性能通过寿命控制得到增强，其反向恢复时间（$t_{rr}$）小于100 ns，反向dv/dt抗扰度为15 V/ns，而普通平面MOSFET的这两个指标分别超过200 ns和4.5 V/ns。这一特性使得在某些对MOSFET体二极管性能要求较高的应用中，能够减少额外元件的使用，提高系统的可靠性。

产品特性

低导通电阻

在$V{GS}=10 V$、$I{D}=10 A$的条件下，典型导通电阻$R_{DS(on)}$为210 mΩ，最大为260 mΩ，能够有效降低功率损耗。

低栅极电荷

典型栅极电荷仅为50 nC，有助于减少开关损耗，提高开关速度。

低$C_{rss}$

典型值为27 pF，可降低米勒效应的影响，改善开关性能。

100%雪崩测试

经过100%雪崩测试，保证了器件在雪崩情况下的可靠性。

提高dv/dt能力

增强了对电压变化率的耐受能力，提高了系统的稳定性。

环保设计

这些器件无铅且符合RoHS标准，符合环保要求。

应用领域

该系列MOSFET适用于多种开关电源转换应用，包括：

• LCD/LED TV：为电视电源提供高效稳定的功率转换。
• 照明：在照明系统中实现高效的功率控制。
• 不间断电源（UPS）：确保在停电时能够提供稳定的电力供应。
• AC - DC电源：实现交流到直流的高效转换。

电气参数

最大额定值

参数	FDP20N50F	FDPF20N50FT	单位
$V_{DSS}$（漏源电压）	500	500	V
$V_{GSS}$（栅源电压）	±30	±30	V
$I{D}$（连续漏极电流） （$T{C}=25^{circ}C$）	20	20	A
$I{D}$（连续漏极电流） （$T{C}=100^{circ}C$）	12.9	12.9	A
$I_{DM}$（脉冲漏极电流）	80	80	A
$E_{AS}$（单脉冲雪崩能量）	1110	1110	mJ
$I_{AR}$（雪崩电流）	20	20	A
$E_{AR}$（重复雪崩能量）	25	25	mJ
$dv/dt$（峰值二极管恢复dv/dt）	20	20	V/ns
$P{D}$（功率耗散） （$T{C}=25^{circ}C$）	250	38.5	W
$P_{D}$（功率耗散） （高于$25^{circ}C$时的降额）	2.0	0.3	W/°C
$T{J}$、$T{STG}$（工作和储存温度范围）	-55 至 +150	-55 至 +150	°C
$T_{L}$（焊接时最大引脚温度）	300	300	°C

电气特性

• 关断特性：$B{V D S S}$（漏源击穿电压）在$I{D}=250 A$、$V{GS}=0 V$、$T{J}=25^{circ}C$时为500 V，击穿电压温度系数为0.7 V/°C。
• 导通特性：$V{GS(th)}$（栅极阈值电压）在$V{GS}=V{DS}$、$I{D}=250 A$时为3.0 - 5.0 V；$R{DS(on)}$（静态漏源导通电阻）在$V{GS}=10 V$、$I_{D}=10 A$时典型值为0.22 Ω，最大值为0.26 Ω。
• 动态特性：$C{iss}$（输入电容）典型值为2550 pF，$C{oss}$（输出电容）典型值为350 pF，$C{rss}$（反向传输电容）典型值为27 pF；$Q{g(tot)}$（总栅极电荷）在$V{DS}=400 V$、$I{D}=20 A$、$V_{GS}=10 V$时典型值为50 nC。
• 开关特性：$t{d(on)}$（开启延迟时间）典型值为45 ns，$t{r}$（开启上升时间）典型值为120 ns，$t{d(off)}$（关断延迟时间）典型值为100 ns，$t{f}$（关断下降时间）典型值为60 ns。
• 漏源二极管特性：$I{S}$（最大连续漏源二极管正向电流）为20 A，$I{SM}$（最大脉冲漏源二极管正向电流）为80 A，$V{SD}$（漏源二极管正向电压）在$V{GS}=0 V$、$I{SD}=20 A$时最大为1.5 V，$t{rr}$（反向恢复时间）典型值为154 ns，$Q_{rr}$（反向恢复电荷）为0.5 C。

封装与订购信息

器件型号	封装	包装数量
FDP20N50F	TO - 220	1000个/管
FDPF20N50FT	TO - 220F	1000个/管

总结

安森美的FDP20N50F/FDPF20N50FT MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用领域，为电子工程师在设计开关电源转换电路时提供了一个可靠的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的设计要求，合理选择器件，并注意其最大额定值和电气特性，以确保系统的稳定运行。大家在使用过程中有没有遇到过类似MOSFET的一些特殊问题呢？欢迎在评论区分享交流。