深入解析 onsemi FQD2N60C/FQU2N60C N 沟道 MOSFET

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关器件，其性能和特性对电路的稳定性和效率起着至关重要的作用。今天，我们就来详细解析 onsemi 公司推出的 FQD2N60C/FQU2N60C N 沟道增强型功率 MOSFET。

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产品概述

FQD2N60C/FQU2N60C 采用 onsemi 专有的平面条纹和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术经过特别优化，旨在降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。该器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器等应用。

产品特性

电气性能优越

• 高耐压与大电流：具备 600V 的漏源电压（V_DSS）和 1.9A 的连续漏极电流（I_D），能够满足大多数中高压应用的需求。在 V_GS = 10V，I_D = 0.95A 的条件下，导通电阻 R_DS(on) 最大仅为 4.7Ω，有效降低了导通损耗。
• 低栅极电荷：典型栅极电荷仅为 8.5nC，这意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，能够实现快速的开关动作，提高电路的开关效率。
• 低反馈电容：反向传输电容 C_rss 典型值为 4.3pF，有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡，提高电路的稳定性。

可靠性高

• 雪崩测试：经过 100% 雪崩测试，能够承受一定的雪崩能量，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
• 环保合规：这些器件为无卤产品，并且符合 RoHS 标准，满足环保要求。

关键参数

最大额定值

符号	额定值	值	单位
VDSS	漏源电压	600	V
ID	连续漏极电流（TC = 25°C）	1.9	A
ID	连续漏极电流（TC = 100°C）	1.14	A
IDM	脉冲漏极电流	7.6	A
VGSS	栅源电压	±30	V
EAS	单脉冲雪崩能量	120	mJ
IAR	雪崩电流	1.9	A
EAR	重复雪崩能量	4.4	mJ
dv/dt	峰值二极管恢复 dv/dt	4.5	V/ns
PD	功率耗散（TA = 25°C）	2.5	W
PD	功率耗散（TC = 25°C），25°C 以上降额	44，0.35	W，W/°C
TJ，TSTG	工作和储存温度范围	-55 至 +150	°C
TL	焊接时最大引脚温度（1/8” 处，5 秒）	300	°C

热特性

• 结到壳热阻：R_JC 最大为 2.87°C/W，能够快速将热量从芯片传导到外壳，降低芯片温度。
• 结到环境热阻：在最小 2oz 铜焊盘条件下，R_JA 最大为 110°C/W；在 1in² 的 2oz 铜焊盘条件下，R_JA 最大为 50°C/W。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：B_VDSS 在 I_D = 250μA，V_GS = 0V 时为 600V，击穿电压温度系数为 -0.6V/°C。
• 零栅压漏极电流：I_DSS 在 V_DS = 600V，V_GS = 0V 时为 1μA；在 V_DS = 480V，T_C = 125°C 时为 10μA。
• 栅体泄漏电流：正向栅体泄漏电流 I_GSSF 在 V_GS = 30V，V_DS = 0V 时最大为 100nA；反向栅体泄漏电流 I_GSSR 在 V_GS = -30V，V_DS = 0V 时最大为 -100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：V_GS(th) 在 V_DS = V_GS，I_D = 250μA 时为 2.0 - 4.0V。
• 静态漏源导通电阻：R_DS(on) 在 V_GS = 10V，I_D = 0.95A 时为 3.6 - 4.7Ω。
• 正向跨导：g_FS 在 V_DS = 40V，I_D = 0.95A 时为 5.0S。

动态特性

• 输入电容：C_iss 在 V_DS = 25V，V_GS = 0V，f = 1.0MHz 时为 180 - 235pF。
• 输出电容：C_oss 为 20 - 25pF。
• 反向传输电容：C_rss 为 4.3 - 5.6pF。

开关特性

• 导通延迟时间：t_d(on) 在 V_DD = 300V，I_D = 2A，R_G = 25Ω 时为 9 - 28ns。
• 导通上升时间：t_r 为 25 - 60ns。
• 关断延迟时间：t_d(off) 为 24 - 58ns。
• 关断下降时间：t_f 为 28 - 66ns。
• 总栅极电荷：Q_g 在 V_DS = 480V，I_D = 2A，V_GS = 10V 时为 8.5 - 12nC。
• 栅源电荷：Q_gs 为 1.3nC。
• 栅漏电荷：Q_gd 为 4.1nC。

漏源二极管特性

• 最大连续漏源二极管正向电流：I_S 为 1.9A。
• 最大脉冲漏源二极管正向电流：I_SM 为 7.6A。
• 漏源二极管正向电压：V_SD 在 V_GS = 0V，I_S = 1.6A 时为 1.4V。
• 反向恢复时间：t_rr 在 V_GS = 0V，I_S = 2A，dI_F/dt = 100A/μs 时为 230ns。
• 反向恢复电荷：Q_rr 为 1.0μC。

封装与订购信息

封装形式

该器件提供两种封装形式：DPAK3 (IPAK) CASE 369AR 和 DPAK3 (TO - 252 3 LD) CASE 369AS。

订购信息

器件型号	封装	包装方式
FQD2N60CTM	DPAK3 (TO - 252 3 LD) (无铅)	2500 / 卷带包装
FQU2N60CTU	DPAK3 (IPAK) (无铅)	70 个 / 管装

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随壳温的变化以及瞬态热响应曲线等。这些曲线为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据，可以帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现。

总结

onsemi 的 FQD2N60C/FQU2N60C N 沟道 MOSFET 凭借其优越的电气性能、高可靠性和良好的热特性，在开关模式电源、有源功率因数校正和电子灯镇流器等应用中具有很大的优势。工程师在设计相关电路时，可以根据具体的应用需求，参考器件的各项参数和典型特性曲线，合理选择和使用该器件，以实现电路的高效稳定运行。

你在使用这款 MOSFET 时遇到过哪些问题呢？或者你对它的哪些特性比较关注？欢迎在评论区留言讨论。