FQP6N80C / FQPF6N80C N-Channel QFET® MOSFET的技术解析与应用指南

Fairchild Semiconductor已成为ON Semiconductor的一部分，由于系统要求，部分Fairchild可订购的部件编号需进行更改，将原编号中的下划线（_）替换为破折号（-）。下面为大家详细介绍FQP6N80C / FQPF6N80C N - Channel QFET® MOSFET这款产品。

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产品概述

FQP6N80C / FQPF6N80C是N - 沟道增强型功率MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor专有的平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，旨在降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。该产品适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器等应用。

产品特性

电气特性

• 高耐压与大电流：具备800V的耐压能力，连续漏极电流在Tc = 25°C时可达5.5A，脉冲漏极电流可达22A，能满足多种高电压、大电流的应用需求。
• 低导通电阻：在VGS = 10V、ID = 2.75A的条件下，RDS(on)最大为2.5Ω，可有效降低功率损耗，提高系统效率。
• 低栅极电荷：典型栅极电荷为21nC，有助于实现快速开关，减少开关损耗。
• 低Crss：典型值为8pF，可降低米勒效应的影响，提高开关速度。
• 100%雪崩测试：保证了产品在雪崩情况下的可靠性，增强了产品的稳定性。

热特性

• 热阻参数：FQP6N80C的结到外壳热阻RθJC最大为0.79°C/W，FQPF6N80C / FQPF6N80C的RθJC最大为2.45°C/W。这表明在相同的功率损耗下，FQP6N80C的散热性能相对更好。

绝对最大额定值

符号	参数	FQP6N80C	FQPF6N80C/ FQPF6N80CT	单位
VDSS	漏源电压	800	800	V
ID（连续，Tc = 25°C）	漏极电流	5.5	5.5*	A
ID（连续，Tc = 100°C）	漏极电流	3.2	3.2*	A
IDM（脉冲）	漏极电流	22	22*	A
VGSS	栅源电压	±30	±30	V
EAS	单脉冲雪崩能量	680	680	mJ
AR	雪崩电流	5.5	5.5	A
EAR	重复雪崩能量	15.8	15.8	mJ
dv/dt	峰值二极管恢复dv/dt	4.5	4.5	V/ns
PD（Tc = 25°C）	功率耗散	158	51	W
降额系数（25°C以上）		1.27	0.41	W/°C
TJ, TSTG	工作和储存温度范围	-55 到 +150	-55 到 +150	°C
TL	焊接时引脚最大温度（距外壳1/8"，5秒）	300	300	°C

典型特性

导通特性

从导通区域特性图（图1）可以看出，不同栅源电压下，漏极电流随漏源电压的变化情况。在实际应用中，我们可以根据所需的电流和电压来选择合适的栅源电压，以实现最佳的导通性能。

传输特性

传输特性图（图2）展示了在不同温度下，漏极电流与栅源电压的关系。这有助于我们了解器件在不同温度环境下的性能变化，从而进行合理的设计和布局。

导通电阻变化特性

导通电阻随漏极电流和栅源电压的变化图（图3）表明，导通电阻会随着漏极电流和栅源电压的变化而改变。在设计电路时，需要考虑这些因素对导通电阻的影响，以确保系统的稳定性和效率。

测试电路与波形

文档中还给出了多种测试电路和波形，如栅极电荷测试电路（图12）、电阻性开关测试电路（图13）、非钳位电感开关测试电路（图14）和峰值二极管恢复dv/dt测试电路（图15）。这些测试电路和波形有助于工程师更好地理解器件的性能和工作原理，从而进行准确的测试和验证。

机械尺寸

文档提供了TO - 220和TO - 220F两种封装的机械尺寸图（图16和图17），并给出了相关的尺寸标注和注意事项。在进行电路板设计时，需要根据这些尺寸信息合理布局器件，确保器件的安装和散热。

应用注意事项

命名规则变更

由于Fairchild被ON Semiconductor收购，部分部件编号中的下划线（_）将改为破折号（-），使用时需到ON Semiconductor网站核实更新后的器件编号。

产品使用限制

ON Semiconductor产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备，以及人体植入设备。若买家将产品用于此类非预期或未授权的应用，需承担相应的责任。

性能参数验证

数据手册中的“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也会随时间变化。因此，所有操作参数，包括“典型值”，都需要由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。

FQP6N80C / FQPF6N80C N - Channel QFET® MOSFET是一款性能优良的功率MOSFET，在开关模式电源、有源功率因数校正和电子灯镇流器等领域具有广泛的应用前景。但在使用过程中，工程师需要充分了解其特性和注意事项，以确保产品的正确使用和系统的稳定性。大家在实际应用中遇到过哪些关于MOSFET的问题呢？欢迎在评论区分享交流。