探索 onsemi FCH072N60：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选

在电子工程领域，MOSFET 作为关键的功率器件，其性能直接影响着各类电子设备的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨 onsemi 的 FCH072N60，一款具备出色性能的 N 沟道 SUPERFET II MOSFET。

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产品概述

FCH072N60 属于 onsemi 全新的高压超结（SJ）MOSFET 家族——SUPERFET II。该家族采用电荷平衡技术，实现了极低的导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术不仅能最大程度减少传导损耗，还能提供卓越的开关性能，同时可承受极高的 dv/dt 速率和更高的雪崩能量。正因如此，FCH072N60 非常适合各种 AC/DC 电源转换应用，有助于实现系统小型化和更高的效率。

产品特性

低导通电阻与高耐压

典型的 (R{DS(on)}) 为 66 mΩ，在 10 V 时最大 (R{DS(on)}) 为 72 mΩ，能有效降低导通损耗。同时，在 (T_{J}=150^{circ}C) 时，耐压可达 650 V，具备出色的耐压能力。

超低栅极电荷与低输出电容

典型的栅极电荷 (Q{g}) 仅为 95 nC，有效输出电容 (C{oss(eff.)}) 典型值为 421 pF，这使得器件在开关过程中能更快地响应，减少开关损耗。

雪崩测试与环保特性

该器件经过 100% 雪崩测试，保证了其在极端条件下的可靠性。并且，它是无铅产品，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用领域

FCH072N60 的高性能使其在多个领域都有广泛应用：

• 电信/服务器电源：能够满足电信和服务器电源对高效、稳定的需求，提高电源转换效率。
• 工业电源：在工业环境中，该器件的高耐压和低损耗特性有助于提升工业电源的性能和可靠性。

绝对最大额定值

在使用 FCH072N60 时，需要关注其绝对最大额定值，以确保器件的安全运行。以下是部分关键参数：	参数	数值	单位
(V_{DSS})（漏源电压）	600	V
(V_{GSS})（栅源电压）	±20（DC），±30（AC，f > 1 Hz）	V
(I_{D})（连续漏极电流）	52（(T{C}=25^{circ}C)），33（(T{C}=100^{circ}C)）	A
(I_{DM})（脉冲漏极电流）	156	A
(E_{AS})（单脉冲雪崩能量）	1128	mJ
(I_{AR})（雪崩电流）	9.5	A
(E_{AR})（重复雪崩能量）	4.8	mJ
(dv/dt)（MOSFET dv/dt）	100	V/ns
(P_{D})（功率耗散）	481（(T_{C}=25^{circ}C)），3.85（每升高 1°C 降额）	W
(T{J})，(T{STG})（工作和存储温度范围）	-55 至 +150	°C
(T_{L})（焊接时最大引脚温度）	300	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• (B_{V D S S})（漏源击穿电压）：在 (I{D}=10 mA)，(V{GS}=0 V)，(T{J}=25^{circ}C) 时为 600 V；在 (T{J}=150^{circ}C) 时为 650 V。
• (I_{D S S})（零栅压漏极电流）：在不同条件下有相应的数值，体现了器件在关断状态下的漏电情况。
• 击穿电压温度系数：为 0.67 V/°C，反映了击穿电压随温度的变化情况。
• (I_{G S S})（栅体泄漏电流）：在不同偏置条件下，最大为 ±100 nA。

导通特性

• (V_{G S(th)})（栅极阈值电压）：在 (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250 A) 时，范围为 2.5 - 3.5 V。
• (R_{DS(on)})（静态漏源导通电阻）：在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=26 A) 时，典型值为 66 mΩ，最大值为 72 mΩ。
• (g_{FS})（正向跨导）：在 (V{DS}=20 V)，(I{D}=26 A) 时为 48 S，体现了栅极电压对漏极电流的控制能力。

动态特性

包括输入电容 (C{iss})、输出电容 (C{oss})、反向传输电容 (C{rss}) 等参数，这些电容特性对器件的开关速度和性能有重要影响。例如，有效输出电容 (C{oss(eff.)}) 在 (V{DS}=0 V) 至 480 V，(V{GS}=0 V) 时典型值为 421 pF。

开关特性

如开通延迟时间 (t{d(on)})、开通上升时间 (t{r})、关断延迟时间 (t{d(off)}) 和关断下降时间 (t{f}) 等，这些参数决定了器件在开关过程中的响应速度和损耗情况。

漏源二极管特性

包括最大连续源漏二极管正向电流 (I{S})、最大脉冲漏源二极管正向电流 (I{SM})、漏源二极管正向电压 (V{SD})、反向恢复时间 (t{rr}) 和反向恢复电荷 (Q_{rr}) 等，这些特性对于涉及二极管工作的应用场景非常重要。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线能帮助工程师更好地理解器件在不同工作条件下的性能表现，从而进行更优化的电路设计。例如，通过导通电阻随温度的变化曲线，工程师可以预测在不同温度环境下器件的导通损耗情况。

封装与订购信息

FCH072N60 采用 TO - 247 封装，包装方式为管装，每管 30 个单位。在订购时，工程师可以参考数据手册第 2 页的详细订购和运输信息。

总结

FCH072N60 作为 onsemi 的一款高性能 N 沟道 MOSFET，凭借其低导通电阻、低栅极电荷、高耐压等特性，在电信、工业电源等领域有着广泛的应用前景。工程师在使用该器件时，需要充分了解其绝对最大额定值、电气特性和典型特性曲线，以确保器件在安全、高效的状态下工作。大家在实际应用中是否遇到过类似器件的选型和使用问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。