电子说
在电子工程师的日常设计工作中,MOSFET 是不可或缺的关键元件。今天,我们就来深入了解 onsemi 推出的 NTB110N65S3HF 这款 N 沟道 SUPERFET III FRFET MOSFET,看看它有哪些独特的性能和优势。
文件下载:NTB110N65S3HF-D.PDF
NTB110N65S3HF 属于 onsemi 的 SUPERFET III 系列,这是全新的高压超结(SJ)MOSFET 家族。它采用了电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大程度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常适合各种追求小型化和高效率的电源系统。同时,SUPERFET III FRFET MOSFET 优化了体二极管的反向恢复性能,能够去除额外的组件,提高系统的可靠性。
| 在使用 NTB110N65S3HF 时,必须严格遵守其绝对最大额定值,否则可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。以下是一些关键的绝对最大额定值: | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 (V_{DSS}) | 650 | V | |
| 栅源电压 (V_{GSS})(DC) | +30 | V | |
| 栅源电压 (V_{GSS})(AC,(f>1Hz)) | ±30 | V | |
| 连续漏极电流((T_{C}=25^{circ}C)) | (I_{D}) | 30 | A |
| 连续漏极电流((T_{C}=100^{circ}C)) | (I_{D}) | 19.5 | A |
| 脉冲漏极电流 (I_{DM}) | 69 | A | |
| 单脉冲雪崩能量 (E_{AS}) | 380 | mJ | |
| 雪崩电流 (I_{AS}) | 4.4 | A | |
| 重复雪崩能量 (E_{AR}) | 2.4 | mJ | |
| MOSFET dv/dt | 100 | V/ns | |
| 峰值二极管恢复 dv/dt | 50 | V/ns | |
| 功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) | (P_{D}) | 240 | W |
| 25°C 以上降额系数 | 1.92 | W/°C | |
| 工作和存储温度范围 (T{J},T{STG}) | - 55 至 +150 | °C | |
| 焊接时最大引脚温度(距离外壳 1/8",5 秒) | (T_{L}) | 300 | °C |
文档中提供了一系列典型性能曲线,包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解 MOSFET 在不同工作条件下的性能表现,从而进行更精确的电路设计。
onsemi 的 NTB110N65S3HF MOSFET 凭借其出色的性能和广泛的应用领域,为电子工程师在电源系统设计中提供了一个可靠的选择。在实际应用中,工程师需要根据具体的设计需求,结合其电气特性、热特性和绝对最大额定值等参数,合理使用该器件,以实现高效、稳定的电源系统设计。大家在使用这款 MOSFET 时,有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !