解析ON Semiconductor的NTD250N65S3H MOSFET

在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，广泛应用于各类电源系统中。今天我们就来深入探讨ON Semiconductor（现更名为onsemi）推出的NTD250N65S3H这款N沟道功率MOSFET。

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1. 产品概述

NTD250N65S3H属于SUPERFET III系列，这是ON Semiconductor全新的高压超结（SJ）MOSFET家族。该系列采用了电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术能有效降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并且能够承受极高的dv/dt速率，有助于减小各种电源系统的体积并提高系统效率。

2. 产品特性

2.1 电气特性

• 耐压能力：在(T{J}=150^{circ}C)时，耐压可达700V；常温下，漏源击穿电压(BVDSS)在(V{GS}=0V)，(I{D}=1mA)，(T{J}=25^{circ}C)条件下为650V。
• 导通电阻：典型的(R{DS(on)}=201mOmega) ，在(V{GS}=10V)，(I_{D}=6.5A)时，静态漏源导通电阻表现良好。
• 栅极电荷：超低的栅极电荷，典型值(Q_{g}=24nC)，这有助于降低开关损耗。
• 输出电容：低有效的输出电容，典型值(C_{oss(eff.)}=229pF) ，有利于提高开关速度。

2.2 其他特性

• 雪崩测试：该器件经过100%雪崩测试，保证了其在雪崩状态下的可靠性。
• 环保特性：这些器件为无铅产品，并且符合RoHS标准，满足环保要求。

3. 应用领域

NTD250N65S3H适用于多种电源系统，具体包括：

• 计算/显示电源：为计算机和显示器的电源提供稳定的功率支持。
• 电信/服务器电源：满足电信设备和服务器对电源的高要求。
• 工业电源：可用于工业设备的电源系统，确保设备的稳定运行。
• 照明/充电器/适配器：为照明设备、充电器和适配器等提供高效的功率转换。

4. 绝对最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	650	V
栅源电压（DC）	(V_{GSS})	±30	V
栅源电压（AC，(f > 1Hz)）	(V_{GSS})	±30	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	13	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	8	A
脉冲漏极电流	(I_{DM})	36	A
单脉冲雪崩能量	(E_{AS})	108	mJ
雪崩电流	(I_{AS})	2.9	A
重复雪崩能量	(E_{AR})	1.06	mJ
MOSFET dv/dt	(dv/dt)	120	V/ns
峰值二极管恢复dv/dt	(dv/dt)	20	V/ns
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	106	W
25°C以上降额系数	-	0.85	W/°C
工作和存储温度范围	(T{J}, T{STG})	-55 to +150	°C
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8″，5s）	(T_{L})	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

5. 热特性

器件在(1in^{2})的2oz铜焊盘（位于1.5 x 1.5 in.的FR - 4材料板上）上的热阻为40°C/W。

6. 封装和订购信息

部件编号	顶部标记	封装	卷轴尺寸	胶带宽度	包装数量
NTD250N65S3H	T250N65S3H	D - PAK	330 mm	16 mm	2500/ Tape & Reel

对于胶带和卷轴规格的详细信息，可参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

7. 典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化以及瞬态热响应曲线等。这些曲线为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

8. 测试电路和波形

文档还给出了栅极电荷测试电路及波形、电阻开关测试电路及波形、非钳位电感开关测试电路及波形以及峰值二极管恢复dv/dt测试电路及波形，帮助工程师更好地理解器件的工作原理和性能。

在实际的电路设计中，电子工程师需要根据具体的应用需求，结合这些特性和参数，合理选择和使用NTD250N65S3H MOSFET。大家在使用过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。