Onsemi NTH4LN067N65S3H MOSFET：满足高效电力系统需求的理想之选

在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率半导体器件，其性能直接影响着各类电力系统的效率和稳定性。Onsemi推出的NTH4LN067N65S3H MOSFET，凭借其卓越的性能和先进的技术，成为众多电力系统应用的理想选择。

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产品概述

NTH4LN067N65S3H属于Onsemi的SUPERFET III系列，这是一款全新的高压超结（SJ）MOSFET产品。它采用了电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术不仅能有效降低传导损耗，还具备卓越的开关性能，能够承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列非常适合各种追求小型化和高效率的电力系统。

产品特性

电气性能优越

• 耐压能力强：在TJ = 150°C时，可承受700V的电压；正常工作时，漏源击穿电压（BVDSS）在TJ = 25°C时为650V，TJ = 150°C时可达700V。
• 低导通电阻：典型的RDS(on)为55mΩ，在VGS = 10V、ID = 20A的测试条件下，最大RDS(on)为67mΩ，能有效降低导通损耗。
• 低栅极电荷：典型的Qg = 80nC，可减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。
• 低输出电容：典型的Coss(eff.) = 691pF，有助于降低开关损耗。

可靠性高

• 雪崩测试：该器件经过100%雪崩测试，能够承受一定的雪崩能量，提高了产品的可靠性。
• 环保合规：符合RoHS标准，无铅设计，满足环保要求。

应用领域

NTH4LN067N65S3H适用于多种电力系统，包括但不限于：

• 电信/服务器电源：在电信和服务器领域，对电源的效率和稳定性要求极高。该MOSFET的低导通电阻和卓越的开关性能，能够有效提高电源的转换效率，降低功耗。
• 工业电源：工业环境对电源的可靠性和耐用性要求较高。NTH4LN067N65S3H的高耐压能力和雪崩测试特性，使其能够在复杂的工业环境中稳定工作。
• UPS/太阳能：在不间断电源（UPS）和太阳能系统中，需要高效的功率转换和可靠的保护机制。该MOSFET能够满足这些需求，提高系统的整体性能。

绝对最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	VDSS	650	V
栅源电压（DC）	VGSS	±30	V
栅源电压（AC，f > 1Hz）	VGSS	±30	V
连续漏极电流（TC = 25°C）	ID	40	A
连续漏极电流（TC = 100°C）	ID	25	A
脉冲漏极电流	IDM	112	A
单脉冲雪崩能量	EAS	422	mJ
雪崩电流	IAS	6.5	A
重复雪崩能量	EAR	2.66	mJ
MOSFET dv/dt	dv/dt	100	V/ns
峰值二极管恢复dv/dt	-	20	-
功率耗散（TC = 25°C）	PD	266	W
25°C以上降额	-	2.13	W/°C
工作和存储温度范围	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
焊接时最大引线温度（距外壳1/8″，5秒）	TL	260	°C

需要注意的是，超过绝对最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

• 结到外壳热阻（RJC）：最大为0.47°C/W。
• 结到环境热阻（RJA）：最大为40°C/W。

了解热特性对于合理设计散热系统至关重要，能够确保器件在正常工作温度范围内稳定运行。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（BVDSS）：在VGS = 0V、ID = 1mA、TJ = 25°C时为650V；在TJ = 150°C时为700V。
• 零栅压漏极电流（IDSS）：在VDS = 650V、VGS = 0V时，最大值为2μA；在VDS = 520V、TC = 125°C时，典型值为1.6μA。
• 栅体泄漏电流（IGSS）：在VGS = ±30V、VDS = 0V时，最大值为±100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压（VGS(th)）：在VGS = VDS、ID = 3.9mA时，最小值为2.4V，最大值为4.0V。
• 静态漏源导通电阻（RDS(on)）：在VGS = 10V、ID = 20A时，典型值为55mΩ，最大值为67mΩ。
• 正向跨导（gFS）：在VDS = 20V、ID = 20A时，典型值为28S。

动态特性

• 输入电容（Ciss）：在VDS = 400V、VGS = 0V、f = 250kHz时，典型值为3750pF。
• 输出电容（Coss）：典型值为60pF。
• 有效输出电容（Coss(eff.)）：在VDS从0V到400V、VGS = 0V时，典型值为691pF。
• 与能量相关的输出电容（Coss(er.)）：在VDS从0V到400V、VGS = 0V时，典型值为107pF。
• 总栅极电荷（Qg(tot)）：在VDS = 400V、ID = 20A、VGS = 10V时，典型值为80nC。
• 栅源栅极电荷（Qgs）：典型值为21nC。
• 栅漏“米勒”电荷（Qgd）：典型值为20nC。
• 等效串联电阻（ESR）：在f = 1MHz时，典型值为0.6Ω。

开关特性

• 导通延迟时间（td(on)）：在VDD = 400V、ID = 20A、VGS = 10V、Rg = 4.7Ω时，典型值为28ns。
• 导通上升时间（tr）：典型值为7.2ns。
• 关断延迟时间（td(off)）：典型值为81ns。
• 关断下降时间（tf）：典型值为2.6ns。

源漏二极管特性

• 最大连续源漏二极管正向电流（IS）：最大值为40A。
• 最大脉冲源漏二极管正向电流（ISM）：最大值为112A。
• 源漏二极管正向电压（VSD）：在VGS = 0V、ISD = 20A时，最大值为1.2V。
• 反向恢复时间（trr）：在VGS = 0V、ISD = 20A、dIF/dt = 100A/μs时，典型值为411ns。
• 反向恢复电荷（Qrr）：典型值为7.8μC。

典型特性曲线

文档中提供了多种典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化、Eoss随漏源电压的变化、瞬态热阻抗等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能，为电路设计提供参考。

封装信息

NTH4LN067N65S3H采用TO - 247 4 - 引脚、细引脚封装（CASE 340CW），提供了详细的封装尺寸信息，包括各尺寸的最小值、标称值和最大值。在进行PCB设计时，需要根据这些尺寸信息合理布局器件，确保安装和散热的有效性。

总结

Onsemi的NTH4LN067N65S3H MOSFET凭借其卓越的性能、高可靠性和广泛的应用领域，为电子工程师在设计各类电力系统时提供了一个优秀的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求和工作条件，合理选择和使用该器件，并注意其绝对最大额定值和热特性，以确保系统的稳定运行。你在使用这款MOSFET的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。