onsemi NTHL185N60S5H MOSFET：高效开关的得力之选

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下onsemi推出的NTHL185N60S5H这款单通道N沟道功率MOSFET。

文件下载：NTHL185N60S5H-D.PDF

产品概述

NTHL185N60S5H属于SUPERFET V MOSFET FAST系列，专为硬开关应用而设计，能够通过极低的开关损耗来最大化系统效率。该器件耐压600V，导通电阻典型值为148mΩ，连续漏极电流可达15A，具备出色的电气性能。

产品特性

高耐压与低导通电阻

• 在TJ = 150°C时，可承受650V的电压，展现出良好的耐压能力。
• 典型的RDS(on)仅为148mΩ，能有效降低导通损耗，提高系统效率。

可靠性保障

• 经过100%雪崩测试，确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
• 符合Pb-Free、Halogen Free/BFR Free标准，且满足RoHS要求，环保又可靠。

应用领域

该MOSFET适用于多种电源应用场景，包括电信/服务器电源、电动汽车充电器、不间断电源（UPS）、太阳能和工业电源等。在这些应用中，其高效的开关性能和可靠的稳定性能够为系统提供有力支持。

绝对最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	600	V
栅源电压（DC）	VGSS	±30	V
栅源电压（AC，f > 1 Hz）	VGSS	±30	V
连续漏极电流（TC = 25°C）	ID	15	A
连续漏极电流（TC = 100°C）	ID	9	A
功率耗散（TC = 25°C）	PD	116	W
脉冲漏极电流（TC = 25°C）	IDM	53	A
脉冲源极电流（体二极管）（TC = 25°C）	ISM	53	A
工作结温和存储温度范围	TJ, TSTG	-55 至 +150	°C
源极电流（体二极管）	IS	15	A
单脉冲雪崩能量	EAS	124	mJ
雪崩电流	IAS	3.6	A
重复雪崩能量	EAR	1.16	mJ
MOSFET dv/dt	dv/dt	120	V/ns
峰值二极管恢复dv/dt		20
焊接用引脚温度（距外壳1/8″，10秒）	TL	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件，若超出这些限制，器件的功能可能无法保证，甚至会出现损坏并影响可靠性。

热特性与电气特性

热特性

• 结到外壳的最大热阻RJC为1.08°C/W。
• 结到环境的最大热阻RJA为40°C/W。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压温度系数在VGS = 0 V、VDS = 600 V、TJ = 25°C条件下进行测试。

导通特性

• 漏源导通电阻RDS(on)在VGS = 10 V、ID = 7.5 A、TJ = 25°C时，典型值为148mΩ，最大值为185mΩ。
• 栅极阈值电压VGS(th)在VGS = VDS、ID = 1.4 mA、TJ = 25°C时，范围为2.7 - 4.3 V。
• 正向跨导gFS在VDS = 20 V、ID = 7.5 A时为18 S。

电荷、电容与栅极电阻

• 输入电容CISS在VDS = 400 V、VGS = 0 V、f = 250 kHz时为1350 pF。
• 输出电容COSS为25 pF，时间相关输出电容COSS(tr.)和能量相关输出电容COSS(er.)也有相应的测试值。
• 总栅极电荷QG(tot)在VDD = 400 V、ID = 7.5 A、VGS = 10 V时为25 nC，栅源电荷QGS为7 nC，栅漏电荷QGD为8 nC，栅极电阻RG在f = 1 MHz时为0.9Ω。

开关特性

• 开启延迟时间td(on)为18 ns，上升时间tr为9 ns，关断延迟时间td(off)为53 ns，下降时间tf为4 ns。

源漏二极管特性

• 正向二极管电压在VGs = 0V、Isp = 7.5 A、T = 25°C时为1.2 V。
• 反向恢复时间在VGs = 0V、Isp = 7.5 A、dl/dt = 100 A/us、Vpp = 400 V时为251 ns，反向恢复电荷为3028 nC。

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、二极管正向电压与源极电流的关系、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流与外壳温度的关系、Eoss与漏源电压的关系以及瞬态热阻抗等。这些曲线有助于工程师更直观地了解器件在不同条件下的性能表现，从而更好地进行电路设计。

封装尺寸

NTHL185N60S5H采用TO - 247 - 3L封装，文档详细给出了其封装尺寸，包括各部分的最大尺寸等信息，为电路板布局和焊接提供了准确的参考。

总结

onsemi的NTHL185N60S5H MOSFET凭借其低开关损耗、高耐压、低导通电阻和良好的可靠性等优势，在电源应用领域具有很大的竞争力。电子工程师在设计相关电路时，可以充分利用其特性，优化系统性能。但在实际应用中，还需要根据具体的工作条件对器件的各项参数进行验证，以确保系统的稳定性和可靠性。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。