onsemi NVHL025N65S3 MOSFET：汽车应用的理想之选

在电子工程领域，MOSFET 是至关重要的功率器件，广泛应用于各种电路中。今天，我们来详细探讨 onsemi 推出的 NVHL025N65S3 N 沟道功率 MOSFET，它属于 Automotive SUPERFET III 系列，专为汽车应用而设计，具有诸多出色特性。

文件下载：NVHL025N65S3-D.PDF

产品概述

SuperFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大程度减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET Easy - drive 系列有助于解决 EMI 问题，使设计实现更加轻松。

产品特性

可靠性高

• AEC - Q101 认证：满足汽车级应用的严格要求，确保在恶劣环境下的可靠性。
• 最高结温 150°C：能够在较高温度环境下稳定工作，适应汽车复杂的工况。
• 100% 雪崩测试：保证器件在雪崩击穿时的可靠性。
• 无铅且符合 RoHS 标准：符合环保要求。

电气性能出色

• 极低的导通电阻：典型的 (R_{DS}(on)=19.9 mΩ)，能有效降低传导损耗。
• 超低的栅极电荷：典型的 (Q_{G}=236 nC)，可减少开关损耗，提高开关速度。
• 低有效输出电容：典型的 (C_{oss}(eff.) = 2062 pF)，有助于降低开关过程中的能量损耗。

典型应用

• 汽车 PHEV - BEV DC - DC 转换器：在电动汽车的电源转换中发挥重要作用，高效稳定地实现电压转换。
• 汽车 PHEV - BEV 车载充电器：为电动汽车的电池充电提供可靠的功率支持。

关键参数

绝对最大额定值

参数	数值	单位
漏源电压 (V_{DSS})	650	V
栅源电压 (V_{GSS})（DC 正）	30	V
栅源电压 (V_{GSS})（AC 正，f > 1 Hz）	30	V
栅源电压 (V_{GSS})（AC 负，f > 1 Hz）	-20	V
连续漏极电流 (I{D})（(T{C}=25°C)）	75	A
连续漏极电流 (I{D})（(T{C}=100°C)）	65.8	A
脉冲漏极电流 (I_{DM})	300	A
单脉冲雪崩能量 (E_{AS})	2025	mJ
重复雪崩能量 (E_{AR})	5.95	mJ
MOSFET dv/dt	100	V/ns
峰值二极管恢复 dv/dt	20	V/ns
功率耗散 (P{D})（(T{C}=25°C)）	595	W
25°C 以上降额	4.76	W/°C
工作和存储温度范围 (T{J},T{STG})	- 55 至 +150	°C
焊接时最大引脚温度（距外壳 1/8”，5 秒） (T_{L})	300	°C

电气特性

• 关断特性：
  • 漏源击穿电压 (BV{DSS})：在不同温度下有稳定的表现，如 (T{J}=25°C) 时，典型值为 713 V；(T_{J}=150°C) 时，典型值为 755 V。
  • 零栅压漏极电流 (I{DSS})：在 (V{DS}=650 V)，(V_{GS}=0 V) 时，最大值为 1 μA。
  • 栅体泄漏电流 (I_{GSS})：在不同栅源电压下有相应的限制。
• 导通特性：
  • 栅源阈值电压 (V_{GS(th)})：典型值为 3.56 V。
  • 静态漏源导通电阻 (R{DS}(on))：在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=37.5 A)，(T{J}=25°C) 时，典型值为 19.9 mΩ；(T_{J}=100°C) 时，典型值为 34.6 mΩ。
  • 正向跨导 (g_{FS})：典型值为 78.5 S。
• 动态特性：
  • 输入电容 (C_{iss})：典型值为 7330 pF。
  • 输出电容 (C_{oss})：典型值为 197 pF。
  • 反向传输电容 (C_{rss})：典型值为 33.6 pF。
  • 有效输出电容 (C_{oss}(eff.))：典型值为 2062 pF。
  • 总栅极电荷 (Q_{g(tot)})：典型值为 236 nC。
• 开关特性：
  • 开启延迟时间 (t_{d(on)})：典型值为 43.3 ns。
  • 开启上升时间 (t_{r})：典型值为 109 ns。
  • 关断延迟时间 (t_{d(off)})：典型值为 120 ns。
  • 下降时间 (t_{f})：典型值为 107 ns。
• 漏源二极管特性：
  • 最大脉冲漏源二极管正向电流 (I_{SM})：300 A。
  • 最大连续漏源二极管正向电流 (I_{S})：75 A。
  • 漏源二极管正向电压 (V_{SD})：典型值为 0.88 V。
  • 反向恢复时间 (t_{rr})：典型值为 714 ns。
  • 反向恢复电荷 (Q_{rr})：典型值为 26.4 μC。

热特性

参数	数值	单位
结到外壳热阻 (R_{θJC})（最大）	0.21	°C/W
结到环境热阻 (R_{θJA})（最大）	40	°C/W

封装信息

该器件采用 TO - 247 - 3LD 封装，每管包装 30 个单位。其封装尺寸有详细规定，在设计 PCB 时需要严格按照这些尺寸进行布局，以确保器件的正常安装和散热。

总结

onsemi 的 NVHL025N65S3 MOSFET 凭借其出色的电气性能、高可靠性和适用于汽车应用的特性，成为汽车电子工程师在设计 DC - DC 转换器和车载充电器等电路时的理想选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的设计要求，合理选择和使用该器件，同时要注意其绝对最大额定值和热特性，以确保系统的稳定性和可靠性。大家在使用过程中有没有遇到过类似 MOSFET 的特殊问题呢？欢迎在评论区分享交流。