ECH8693R：1 - 2 节锂离子电池保护的理想之选

一、公司背景

ON Semiconductor 现已更名为 onsemi，这是一家在半导体领域颇具影响力的企业。onsemi 拥有众多专利、商标、版权等知识产权，产品广泛应用于各种电子设备中。不过需要注意的是，该公司产品并未设计、打算或授权用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备等特殊应用场景。

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二、ECH8693R 简介

ECH8693R 是一款用于 1 - 2 节锂离子电池保护的功率 MOSFET。它具备低导通电阻的特性，适用于便携式机器的电源开关等应用，尤其在 1 - 2 节锂离子电池应用中表现出色。

三、产品特性

1. 低导通电阻

低导通电阻意味着在工作过程中，器件的功率损耗较小，能够提高能源利用效率，减少发热，延长设备的使用寿命。这对于对功耗和散热要求较高的便携式设备来说尤为重要。

2. 2.5V 驱动

较低的驱动电压使得该 MOSFET 可以在较低的电源电压下工作，这有助于降低系统的整体功耗，同时也方便与其他低电压的电路元件集成。

3. 共漏极类型

这种类型的设计在电路布局和性能上具有一定的优势，能够更好地满足特定应用的需求。

4. ESD 二极管保护栅极

ESD（静电放电）是电子设备在使用过程中常见的问题，容易对器件造成损坏。该 MOSFET 的 ESD 二极管保护栅极设计能够有效防止静电对栅极的损害，提高器件的可靠性。

5. 内置栅极保护电阻

内置的栅极保护电阻可以进一步保护栅极电路，防止过流、过压等情况对栅极造成损坏，增强了器件的稳定性。

6. 环保特性

该产品符合 Pb - Free（无铅）、Halogen Free（无卤）以及 RoHS 标准，体现了环保理念，符合现代电子设备对环保的要求。

四、典型应用

ECH8693R 主要用于 1 - 2 节锂离子电池的充电和放电开关。在锂离子电池的充放电过程中，需要精确控制电流和电压，以确保电池的安全和性能。该 MOSFET 凭借其低导通电阻和其他特性，能够很好地满足这一需求。

五、规格参数

1. 绝对最大额定值（Ta = 25°C）

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	24	V
栅源电压	VGSS	± 12.5	V
漏极电流（直流）	ID	14	A
漏极电流（脉冲）PW ≤ 10 μs，占空比 ≤ 1%	IDP	60	A
功率耗散（陶瓷基板表面安装，900 mm² × 0.8 mm，1 个单元）	PD	1.4	W
总耗散（陶瓷基板表面安装，900 mm² × 0.8 mm）	PT	1.5	W
结温	Tj	150	°C
储存温度	Tstg	- 55 至 +150	°C

需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

2. 热阻额定值

结到环境热阻（陶瓷基板表面安装，900 mm² × 0.8 mm，1 个单元）RθJA 为 89.2 °C/W。热阻是衡量器件散热能力的重要指标，较低的热阻意味着器件能够更好地散热，保证其在正常工作温度范围内。

3. 导通电阻与电流关系

VDSS	RDS(on) Max	ID Max
24 V	7 mΩ @ 4.5 V	14 A
	7.5 mΩ @ 4.0 V
	9.1 mΩ @ 3.1 V
	10.5 mΩ @ 2.5 V

从这些数据可以看出，导通电阻会随着驱动电压的变化而变化，在实际应用中需要根据具体的工作电压来选择合适的工作点。

六、电气连接与封装

1. 电气连接

该 MOSFET 为 N 沟道类型，在电路设计中需要根据 N 沟道 MOSFET 的特性进行连接和应用。

2. 封装

采用 SOT - 28FL / ECH8 封装，这种封装具有一定的尺寸和形状特点，在 PCB 布局时需要考虑其封装尺寸和引脚间距等因素。同时，推荐的焊接焊盘也有相应的规格要求，具体可参考数据手册。

七、订购信息

器件	标记	封装	运输（数量 / 包装）
ECH8693R - TL - W	UQ	SOT - 28FL / ECH8（无铅 / 无卤）	3,000 / 卷带包装

对于卷带规格的详细信息，可参考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D（http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BRD8011 - D.PDF）。

八、使用注意事项

由于 ECH8693R 是 MOSFET 产品，在使用时应避免在高电荷物体附近使用。如果需要用于指定应用以外的场景，请联系销售部门。

电子工程师在设计使用 ECH8693R 时，需要综合考虑其各项特性和参数，结合具体的应用需求进行合理的电路设计和布局。大家在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎交流分享。