深入解析FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench® MOSFET

一、引言

在电子工程领域，MOSFET作为重要的功率器件，广泛应用于各种电路设计中。今天我们要详细探讨的是FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench® MOSFET，它具有诸多出色的特性，能满足众多工业应用的需求。

文件下载：FDB0260N1007L-D.pdf

二、品牌整合与注意事项

Fairchild现已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，原编号中的下划线（_）将改为破折号（ - ）。大家可通过ON Semiconductor官网（www.onsemi.com）验证更新后的设备编号。若有关于系统集成的问题，可发送邮件至[e-mail]。

三、FDB0260N1007L MOSFET特性

3.1 基本特性

• 低导通电阻：在VGS = 10 V，ID = 27 A时，最大rDS(on)仅为2.6 mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较小，能有效提高电路效率。
• 快速开关速度：具备快速的开关能力，可减少开关过程中的能量损耗，适用于高频应用场景。
• 低栅极电荷：低栅极电荷有助于降低驱动功率，提高开关速度，使器件在开关过程中更加高效。
• 高性能沟槽技术：采用先进的PowerTrench®工艺，能极大地降低RDS(on)，同时保证了卓越的坚固性和开关性能。
• 高功率和电流处理能力：能够承受较高的功率和电流，适用于对功率要求较高的工业应用。
• 符合RoHS标准：满足环保要求，符合现代电子设备对环保的需求。

3.2 应用领域

该MOSFET适用于多种工业应用，包括工业电机驱动、工业电源、工业自动化、电池供电工具、电池保护、太阳能逆变器、UPS和能量逆变器、能量存储以及负载开关等。

四、电气参数

4.1 最大额定值

参数	符号	额定值	单位
漏源电压	VDS	100	V
栅源电压	VGS	±20	V
连续漏极电流（TC = 25°C）	ID	200	A
连续漏极电流（TC = 100°C）	ID	140	A
脉冲漏极电流	ID	1100	A
单脉冲雪崩能量	EAS	912	mJ
功率耗散（TC = 25°C）	PD	250	W
功率耗散（TA = 25°C）	PD	3.8	W
工作和存储结温范围	TJ, TSTG	-55 至 +175	°C
结到外壳热阻	RθJC	0.6	°C/W
结到环境热阻	RθJA	40	°C/W

4.2 电气特性

• 截止特性：如漏源击穿电压BVDSS在ID = 250 μA，VGS = 0 V时为100 V，零栅压漏极电流IDSS在VDS = 80 V，VGS = 0 V时为1 μA等。
• 导通特性：静态漏源导通电阻rDS(on)在VGS = 10 V，ID = 27 A时为2.3 - 2.6 mΩ ，在TJ = 150°C时为4.5 - 6.6 mΩ 。
• 动态特性：包括输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss等。
• 开关特性：如开启延迟时间td(on)、上升时间tr、关断延迟时间td(off)和下降时间tf等。
• 漏源二极管特性：最大连续漏源二极管正向电流IS为200 A，最大脉冲漏源二极管正向电流ISM为1100 A等。

五、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，这些曲线能帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能。

• 导通区域特性曲线：展示了不同栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系。
• 归一化导通电阻与漏极电流和栅源电压的关系曲线：可直观地看到导通电阻随漏极电流和栅源电压的变化情况。
• 归一化导通电阻与结温的关系曲线：反映了导通电阻随结温的变化趋势。
• 导通电阻与栅源电压的关系曲线：有助于工程师选择合适的栅源电压以获得较低的导通电阻。
• 转移特性曲线：体现了漏极电流与栅源电压的关系。
• 源漏二极管正向电压与源电流的关系曲线：可了解二极管在不同电流下的正向电压特性。
• 栅极电荷特性曲线：展示了栅极电荷与栅源电压的关系。
• 电容与漏源电压的关系曲线：反映了电容随漏源电压的变化情况。
• 非钳位电感开关能力曲线：体现了器件在非钳位电感开关情况下的性能。
• 正向偏置安全工作区曲线：帮助工程师确定器件在不同电压和电流下的安全工作范围。
• 单脉冲最大功率耗散曲线：可了解器件在单脉冲情况下的功率耗散能力。
• 结到外壳瞬态热响应曲线：用于分析器件在瞬态情况下的热性能。

六、封装与订购信息

该器件采用D2 - PAK - 7L封装，卷盘尺寸为330 mm，胶带宽度为24 mm，每卷数量为800个。

七、总结

FDB0260N1007L N - 通道PowerTrench® MOSFET凭借其出色的特性和广泛的应用领域，在工业电子设计中具有重要的价值。工程师在使用时，需根据具体的应用需求，结合器件的电气参数和典型特性曲线，合理选择和设计电路，以确保器件能够稳定、高效地工作。同时，要注意品牌整合带来的零件编号变化，及时通过官网验证更新后的编号。大家在实际应用中，是否遇到过类似MOSFET的选型和使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。