深入剖析FDB110N15A N沟道PowerTrench® MOSFET

作为一名电子工程师，我们在设计电路时常常会为选择合适的MOSFET而绞尽脑汁。今天，就来和大家深入探讨一款颇受关注的产品——FDB110N15A N沟道PowerTrench® MOSFET。它由飞兆半导体生产，现在飞兆已成为安森美半导体的一部分。

文件下载：FDB110N15ACN-D.pdf

一、企业整合与器件编号变更

飞兆半导体并入安森美半导体后，部分飞兆的可订购零件编号需变更以符合安森美半导体的系统要求。由于安森美的产品管理系统无法处理带有下划线（）的零件命名，飞兆零件编号中的下划线（）将改为破折号（-）。若文档中有带下划线的器件编号，大家得去安森美半导体网站核实更新后的器件编号。最新的订购信息可在www.onsemi.com查询，若有关于系统集成的问题，可发邮件至[e-mail]。

二、FDB110N15A的特性

（一）性能参数优越

FDB110N15A是一款150V、92A、11mΩ的N沟道MOSFET，在 (V{GS}=10V) 、 (I{D}=92A) 的条件下，典型的 (R_{DS(on)}=9.25mΩ) ，如此低的导通电阻能有效减少导通损耗，提高电路效率。

（二）开关特性良好

它具备快速开关速度和低栅极电荷的特点。快速开关速度可降低开关损耗，提升电路的工作频率；低栅极电荷能使栅极驱动电路更简单、功耗更低。

（三）先进工艺保障

采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，该工艺专为最大限度降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制。同时，高性能沟道技术可实现极低的 (R_{DS(on)}) ，使其拥有高功率和高电流处理能力，且符合RoHS标准，满足环保要求。

三、应用领域

（一）电源相关应用

适用于ATX/服务器/电信PSU的同步整流，能有效提高电源的转换效率；也可用于电池保护电路，保障电池的安全使用；还在电机驱动和不间断电源中发挥重要作用，为这些设备提供稳定可靠的功率输出。

（二）新能源应用

在微型太阳能逆变器中也有应用，有助于提高太阳能转换效率，推动新能源的发展。

四、器件参数

（一）最大额定值

符号	参数	FDB110N15A	单位
(V_{DSS})	漏极 - 源极电压	150	V
(V_{GSS})	栅极 - 源极电压（DC）	±20	V
(V_{GSS})	栅极 - 源极电压（AC，f > 1Hz）	±30	V
(I{D})（连续，(T{C}=25^{circ}C)）	漏极电流	92	A
(I{D})（连续，(T{C}=100^{circ}C)）	漏极电流	65	A
(I_{DM})（脉冲）	漏极电流	369	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	365	mJ
(dv/dt)	二极管恢复 (dv/dt) 峰值	6	V/ns
(P{D})（(T{C}=25^{circ}C)）	功耗	234	W
(P_{D})（降低至 (25^{circ}C) 以上）	功耗	1.56	W/°C
(T{J})，(T{STG})	工作和存储温度范围	-55至 +175	°C
(T_{L})	用于焊接的最大引线温度（距离外壳1/8"，持续5秒）	300	°C

（二）热性能

符号	参数	FDB110N15A	单位
(R_{θJC})	结至外壳热阻最大值	0.64	°C/W
(R_{θJA})	结至环境热阻最大值	62.5	°C/W

（三）电气特性

包含关断特性（如漏极 - 源极击穿电压、击穿电压温度系数、零栅极电压漏极电流、栅极 - 体漏电流等）、导通特性（栅极阈值电压、漏极至源极静态导通电阻、正向跨导等）、动态特性（输入电容、输出电容、反向传输电容、能量相关输出电容、栅极电荷总量等）、开关特性（导通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间、关断下降时间等）以及漏极 - 源极二极管特性（最大正向连续电流、最大正向脉冲电流、正向电压、反向恢复时间、反向恢复电荷等）。这些参数详细描述了器件在不同工作状态下的性能，为工程师在电路设计中提供了精确的参考。

五、典型性能特征

文档给出了一系列典型性能特征图，如导通区域特性、传输特性、导通电阻变化与漏极电流和栅极电压的关系、体二极管正向电压变化与源极电流和温度的关系、电容特性、栅极电荷、击穿电压变化与温度的关系、导通电阻变化与温度的关系、最大安全工作区、最大漏极电流与外壳温度的关系、输出电容（Eoss）与漏极 - 源极电压的关系、瞬态热响应曲线等。通过这些图表，我们能直观地了解器件在不同工作条件下的性能变化趋势，从而更好地进行电路设计和优化。例如，从导通电阻变化与温度的关系图中，我们可以预测在不同温度环境下器件的导通损耗情况，进而采取相应的散热措施。

六、封装与订购信息

该器件采用D2 - PAK封装，顶标为FDB110N15A，包装方法为卷带，卷尺寸为330mm，带宽为24mm，每卷数量为800个。这为我们在采购和使用该器件时提供了明确的信息。

七、注意事项

（一）参数验证

安森美半导体指出，数据手册中的“典型”参数在不同应用中会有所变化，实际性能也可能随时间改变。因此，所有工作参数，包括“典型值”，都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证，以确保电路的可靠性和稳定性。

（二）使用限制

安森美的产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统或任何FDA Class 3医疗设备、国外具有相同或类似分类的医疗设备以及任何打算植入人体的设备。若买方将产品用于此类非预期或未授权的应用，需承担相应责任，赔偿安森美及其关联方的相关损失。

综上所述，FDB110N15A N沟道PowerTrench® MOSFET是一款性能优异、应用广泛的器件，但在使用过程中，我们需要充分了解其各项参数和特性，并严格按照要求进行设计和应用，以确保电路的安全可靠运行。大家在实际使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎一起交流探讨。