Onsemi NVMFD5C672NL双N沟道MOSFET：紧凑设计与高性能的完美结合

在电子设备的设计中，MOSFET作为关键的功率器件，其性能和特性直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入探讨Onsemi推出的NVMFD5C672NL双N沟道MOSFET，看看它有哪些独特之处，能为我们的设计带来怎样的优势。

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产品概述

NVMFD5C672NL是一款60V、11.9mΩ、40A的双N沟道MOSFET，采用了5x6mm的小尺寸封装，非常适合紧凑型设计。它具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷（QG）及电容，能够有效降低传导损耗和驱动损耗，提高系统效率。此外，该器件还提供了可焊侧翼选项（NVMFD5C672NLWF），便于进行光学检查，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力，符合RoHS标准，是一款环保、可靠的功率器件。

关键特性

紧凑设计

5x6mm的小尺寸封装，为空间受限的应用提供了理想的解决方案。在如今追求小型化和集成化的电子设备中，这种紧凑的设计能够节省宝贵的电路板空间，使设计更加灵活。

低损耗

• 低导通电阻（RDS(on)）：能够有效降低传导损耗，提高功率转换效率。在不同的栅源电压下，RDS(on)表现出色，如在VGS = 10V时，典型值为9.8mΩ；在VGS = 4.5V时，最大值为16.8mΩ。
• 低栅极电荷（QG）和电容：有助于减少驱动损耗，提高开关速度，降低开关损耗。例如，在VGS = 4.5V、VDS = 48V、ID = 10A的条件下，总栅极电荷QG(TOT)为5.7nC；在VGS = 10V时，QG(TOT)为12.3nC。

可焊侧翼选项

NVMFD5C672NLWF提供了可焊侧翼选项，增强了光学检查的效果，有助于提高生产过程中的质量控制和检测效率。

可靠性高

通过AEC - Q101认证，具备PPAP能力，适用于汽车等对可靠性要求较高的应用场景。同时，该器件的工作结温和存储温度范围为 - 55°C至 + 175°C，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。

电气特性

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	60	V
栅源电压	VGS	±20	V
连续漏极电流（RJC，TC = 25°C）	ID	40	A
连续漏极电流（RJC，TC = 100°C）	ID	31	A
功率耗散（RJC，TC = 25°C）	PD	42	W
功率耗散（RJC，TC = 100°C）	PD	21	W
连续漏极电流（RJA，TA = 25°C）	ID	11	A
连续漏极电流（RJA，TA = 100°C）	ID	8.0	A
功率耗散（RJA，TA = 25°C）	PD	3.1	W
功率耗散（RJA，TA = 100°C）	PD	1.5	W
脉冲漏极电流（TA = 25°C，tp = 10s）	IDM	161	A
工作结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-55至 + 175	°C
源极电流（体二极管）	IS	35.2	A
单脉冲漏源雪崩能量（TJ = 25°C，IL(pk) = 2A）	EAS	66	mJ
焊接用引脚温度（1/8″ 离外壳10s）	TL	260	°C

电气特性（TJ = 25°C）

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	V(BR)DSS	VGS = 0V，ID = 250μA	60	-	-	V
漏源击穿电压温度系数	V(BR)DSS/TJ	-	-	27	-	mV/°C
零栅压漏极电流	IDSS	VGS = 0V，VDS = 60V，TJ = 25°C	-	-	10	μA
零栅压漏极电流	IDSS	VGS = 0V，VDS = 60V，TJ = 125°C	-	-	100	μA
栅源泄漏电流	IGSS	VDS = 0V，VGS = 20V	-	-	100	nA
导通电阻（ID = 10A）	RDS(on)	-	9.8	-	-	mΩ
导通电阻（ID = 10A）	RDS(on)	-	-	13.4	16.8	mΩ
输入电容	CISS	VGS = 0V，f = 1MHz，VDS = 25V	-	793	-	pF
输出电容	COSS	-	-	383	-	pF
反向传输电容	CRSS	-	-	9.0	-	pF
总栅极电荷（VGS = 4.5V，VDS = 48V，ID = 10A）	QG(TOT)	-	5.7	-	nC
总栅极电荷（VGS = 10V，VDS = 48V，ID = 10A）	QG(TOT)	-	12.3	-	nC
阈值栅极电荷	QG(TH)	VDS = 48V，ID = 10A	-	1.5	-	nC
栅源电荷	QGS	-	-	2.7	-	nC
栅漏电荷	QGD	-	-	1.2	-	nC
平台电压	VGP	-	-	2.8	-	V
上升时间	tr	ID = 10A，RG = 1.0Ω	-	28	-	ns
正向二极管电压（TJ = 25°C）	VSD	VGS = 0V，IS = 10A	0.9	-	1.2	V
正向二极管电压（TJ = 125°C）	VSD	VGS = 0V，IS = 10A	0.8	-	-	V
反向恢复时间	tRR	VGS = 0V，dIS/dt = 20A/μs，IS = 10A	-	26	-	ns
充电时间	ta	VGS = 0V，dIS/dt = 20A/μs，IS = 10A	-	12.3	-	ns
放电时间	tb	VGS = 0V，dIS/dt = 20A/μs，IS = 10A	-	13.5	-	ns
反向恢复电荷	QRR	VGS = 0V，dIS/dt = 20A/μs，IS = 10A	-	13	-	nC

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，展示了该MOSFET在不同条件下的性能表现，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压和漏极电流的关系、导通电阻随温度的变化、漏源泄漏电流与电压的关系、电容变化、栅源与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间的关系以及热响应等。这些曲线为工程师在设计过程中提供了重要的参考依据，帮助他们更好地理解和应用该器件。

封装与订购信息

封装

NVMFD5C672NL采用DFN8 5x6（SO8FL）封装，具体尺寸和机械结构在文档中有详细说明。该封装具有良好的散热性能和电气性能，适合表面贴装工艺。

订购信息

器件型号	标记	封装	包装
NVMFD5C672NLT1G	5C672L	DFN8（无铅）	1,500 / 卷带包装
NVMFD5C672NLWFT1G	672LWF	DFN8（无铅，可焊侧翼）	1,500 / 卷带包装

总结

Onsemi的NVMFD5C672NL双N沟道MOSFET凭借其紧凑的设计、低损耗特性、高可靠性和良好的电气性能，为电子工程师在设计功率电路时提供了一个优秀的选择。无论是在汽车电子、工业控制还是消费电子等领域，该器件都能够满足对功率密度和效率的要求。在实际应用中，工程师可以根据具体的设计需求，参考文档中的电气特性和典型特性曲线，合理选择和使用该器件，以实现最佳的系统性能。你在使用MOSFET时，有没有遇到过一些特殊的挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。