onsemi NTMTS0D7N06CL MOSFET：紧凑设计与高性能的完美结合

在电子设计领域，MOSFET作为一种关键的功率器件，其性能和特性直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）推出的一款单N沟道功率MOSFET——NTMTS0D7N06CL。

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产品特性

紧凑设计

NTMTS0D7N06CL采用了8x8 mm的小尺寸封装，这种紧凑的设计非常适合对空间要求较高的应用场景，能够帮助工程师在有限的电路板空间内实现更多的功能。

低损耗优势

• 低导通电阻（(R_{DS (on) })）：该MOSFET具有极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗，提高电路的效率。在(V{GS}=10 V)、(I{D}=50 A)的条件下，典型导通电阻仅为0.52 mΩ，最大值也只有0.68 mΩ。
• 低栅极电荷（(Q_{G})）和电容：低(Q_{G})和电容能够减少驱动损耗，使MOSFET在开关过程中更加高效，降低功耗。

环保合规

这款MOSFET是无铅、无卤素且符合RoHS标准的，满足了现代电子设备对环保的要求。

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	60	V
栅源电压	(V_{GS})	+20	V
连续漏极电流（(T_{c}=25^{circ}C)）	(I_{D})	477	A
连续漏极电流（(T_{c}=100^{circ}C)）	(I_{D})	337.6	A
功率耗散（(T_{c}=25^{circ}C)）	(P_{D})	294.6	W
功率耗散（(T_{c}=100^{circ}C)）	(P_{D})	147.3	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10 s)）	(I_{DM})	900	A
工作结温和存储温度范围	(T{J})，(T{stg})	-55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	245.5	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 40 A)）	(E_{AS})	1754	mJ
焊接用引脚温度（距外壳1/8"，持续10 s）	(T_{L})	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热阻特性

参数	符号	值	单位
结到壳热阻（稳态）	(R_{theta JC})	0.5	°C/W
结到环境热阻	(R_{theta JA})	30	°C/W

热阻特性会受到整个应用环境的影响，这些值仅在特定条件下有效。该MOSFET表面安装在使用(650 mm^2)、2 oz.铜焊盘的FR4板上。

电气特性

击穿电压

漏源击穿电压(V{(BR)DSS})在(V{GS}=0 V)、(I_{D}=250 mu A)的条件下为60 V，其温度系数为16.8 mV/°C。

漏极电流和栅极电流

• 零栅压漏极电流(I{DSS})在(V{GS}=0V)、(T{J}=25°C)时最大值为10 μA，在(T{J}=125^{circ}C)时最大值为250 μA。
• 栅源泄漏电流(I{GSS})在(V{DS}=0 V)、(V_{GS}=20 V)时最大值为100 nA。

导通电阻

在不同的栅源电压和漏极电流条件下，导通电阻有所不同。例如，在(V{GS}=10 V)、(I{D}=50 A)时，典型导通电阻为0.52 mΩ，最大值为0.68 mΩ；在(V{GS}=4.5 V)、(I{D}=50 A)时，典型导通电阻为0.69 mΩ，最大值为0.90 mΩ。

电容和电荷特性

• 输入电容(C{iss})在(V{GS}=0 V)、(f=1 MHz)、(V_{DS}=25 V)时为16200 pF。
• 输出电容(C_{oss})为8490 pF。
• 反向传输电容(C_{RSS})为270 pF。
• 总栅极电荷(Q{G(TOT)})在(V{GS}=4.5 V)、(V{DS}=30 V)、(I{D}=50 A)时为103 nC，在(V{GS}=10 V)、(V{DS}=30 V)、(I_{D}=50 A)时为225 nC。

开关特性

开关特性与工作结温无关，在(V{GS}=10 V)、(V{DS}=30 V)、(I{D}=50 A)、(R{G}=6 Omega)的条件下，开通延迟时间(t_{d(ON)})为35.3 ns，上升时间为26.3 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压(V{SD})在(T{J}=25°C)、(V_{GS}=0V)时典型值为0.67 V，最大值为1.2 V。
• 反向恢复时间(t{rr})在(V{GS}=0 V)、(dI{S} / dt=100 A / mu s)、(I{S}=50 A)时为115 ns。

典型特性

文档中还提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压的关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、导通电阻随温度的变化、漏源泄漏电流与电压的关系、电容变化、栅源电压与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间的关系以及热特性等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解该MOSFET在不同条件下的性能表现。

订购信息

该器件的型号为NTMTS0D7N06CLTXG，标记为0D7N06CL，采用DFNW8（无铅）封装，每盘3000个，采用带盘包装。如需了解带盘规格的详细信息，可参考安森美的带盘包装规格手册BRD8011/D。

总结

onsemi的NTMTS0D7N06CL MOSFET以其紧凑的设计、低损耗特性和良好的电气性能，为电子工程师在功率电路设计中提供了一个优秀的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的电路要求和工作条件，合理选择和使用该MOSFET，以充分发挥其性能优势。同时，也要注意其最大额定值和热阻特性，确保器件的安全可靠运行。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。