ON Semiconductor NTMFS022N15MC MOSFET：高效设计之选

在电子设计领域，选择合适的MOSFET对于实现高效、稳定的电路至关重要。ON Semiconductor推出的NTMFS022N15MC N - 通道屏蔽栅功率沟槽MOSFET，凭借其出色的性能和特性，成为众多应用场景中的理想选择。

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产品概述

NTMFS022N15MC具有150V的耐压、22mΩ的导通电阻和41.9A的连续漏极电流，采用5 x 6 mm的小尺寸封装（Power 56 (PQFN8)），非常适合紧凑型设计。该器件还具备低导通损耗、低栅极电荷和电容等优点，有助于降低驱动损耗。同时，它符合RoHS标准，无铅、无卤素，环保性能出色。

典型应用

同步整流

在AC - DC和DC - DC电源供应中，同步整流技术能够显著提高电源效率。NTMFS022N15MC的低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合用于同步整流电路，有效减少功率损耗，提高电源的转换效率。

AC - DC适配器（USB PD）SR

随着USB PD技术的广泛应用，对适配器的性能要求也越来越高。NTMFS022N15MC可以在AC - DC适配器中发挥重要作用，确保适配器能够高效、稳定地为设备充电。

负载开关

在需要对负载进行快速开关控制的应用中，NTMFS022N15MC能够快速响应，实现负载的可靠开关，并且其低导通电阻可以减少开关过程中的功率损耗。

关键参数与特性

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	150	V
栅源电压	VGS	±20	V
连续漏极电流（RJC，稳态，TC = 25°C）	ID	41.9	A
功率耗散（RJC）	PD	80.6	W
连续漏极电流（RJA，稳态，TA = 25°C）	ID	7.3	A
功率耗散（RJA）	PD	2.5	W
脉冲漏极电流（TC = 25°C，tp = 100μs）	IDM	183	A
工作结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-55 至 +150	°C
单脉冲漏源雪崩能量（IL = 8Apk，L = 3mH）	EAS	96	mJ
焊接用引脚温度（距外壳1/8″，10s）	TL	260	°C

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：在VGS = 0V，ID = 250μA时为150V，温度系数为83mV/°C。
• 零栅压漏极电流（IDSS）：在VGS = 0V，VDS = 120V，TJ = 25°C时为1.0μA。
• 栅源泄漏电流（IGSS）：在VDS = 0V，VGS = ±20V时为±100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压（VGS(TH)）：在VGS = VDS，ID = 100μA时为2.5 - 4.5V，负阈值温度系数为 - 7.9mV/°C。
• 漏源导通电阻（RDS(on)）：在VGS = 10V，ID = 18A时为18.1 - 22mΩ；在VGS = 8V，ID = 9A时为19.7 - 25.5mΩ。
• 正向跨导（gFS）：在VDS = 10V，ID = 18A时为35S。

电荷、电容与栅极电阻

• 输入电容（CIss）：在VGs = 0V，f = 1MHz，Vps = 75V时为1315pF。
• 输出电容（Coss）：380pF。
• 反向传输电容（CRSS）：6pF。
• 栅极电阻（RG）：0.6 - 1.2Ω。
• 总栅极电荷（QG(TOT)）：在VGs = 10V，Vps = 75V，ID = 18A时为17nC。
• 阈值栅极电荷（QG(TH)）：4.4nC。
• 栅源电荷（QGS）：7.2nC。
• 栅漏电荷（QGD）：2.7nC。
• 平台电压（VGP）：5.6V。
• 输出电荷（Qoss）：在VDD = 75V，VGs = 0V时为41nC。

开关特性

在VGS = 10V，VDD = 75V，ID = 18A，RG = 6Ω的条件下，开启延迟时间（td(ON)）为14ns，上升时间（tr）为2.8ns，关断延迟时间（td(OFF)）为17ns，下降时间（tf）为2.9ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压（VSD）：在VGS = 0V，IS = 18A，TJ = 25°C时为0.88 - 1.2V。
• 反向恢复时间（tRR）：在dIS/dt = 300A/μs，IS = 18A，VGS = 0V，VDD = 75V时为45ns，反向恢复电荷（QRR）为155nC；在dIS/dt = 1000A/μs，IS = 18A，VGS = 0V，VDD = 75V时，tRR为28ns，QRR为242nC。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、漏极电流与壳温的关系、峰值功率、非钳位电感开关能力、正向偏置安全工作区以及瞬态热阻抗等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现，从而进行更合理的电路设计。

注意事项

• 应力超过最大额定值表中列出的值可能会损坏器件，若超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。
• 开关特性与工作结温无关，热阻 (R{θJA}) 是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜焊盘的FR - 4板上确定的，(R{θCA}) 则由用户的电路板设计决定。
• 产品的参数性能在列出的测试条件下通过电气特性表示，若在不同条件下工作，产品性能可能无法通过电气特性体现。

总之，ON Semiconductor的NTMFS022N15MC MOSFET以其出色的性能和丰富的特性，为电子工程师在设计高效、紧凑的电路时提供了一个可靠的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的设计需求，结合器件的参数和特性，进行合理的电路设计和参数调整，以确保电路的性能和可靠性。你在使用这款MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。