onsemi N-Channel MOSFET：NTB6410AN、NTP6410AN、NVB6410AN 深度解析

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入探讨 onsemi 推出的 N-Channel MOSFET——NTB6410AN、NTP6410AN 和 NVB6410AN。

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产品特性亮点

低导通电阻与高电流能力

这三款 MOSFET 具有低 RDS(on) 的特性，能够有效降低导通损耗，提高电路效率。同时，它们具备高电流能力，连续漏极电流 ID 在 $T_{C}=25^{circ}C$ 时可达 76A，脉冲漏极电流 IDM 更是高达 305A，能够满足高功率应用的需求。

100%雪崩测试

经过 100% 雪崩测试，确保了器件在雪崩状态下的可靠性和稳定性，适用于对可靠性要求较高的应用场景。

汽车级应用

NVB 前缀的产品专为汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用而设计，符合 AEC - Q101 标准，具备 PPAP 能力，为汽车电子等领域提供了可靠的解决方案。

环保设计

这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准，响应了环保要求，也满足了市场对绿色电子产品的需求。

关键参数解读

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	100	V
栅源连续电压	VGS	±20	V
连续漏极电流（$T_{C}=25^{circ}C$）	ID	76	A
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	PD	188	W
脉冲漏极电流	IDM	305	A
工作结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	IS	76	A
单脉冲漏源雪崩能量	EAS	500	mJ
焊接引脚温度（1/8" 处 10 秒）	TL	260	°C

热阻额定值

参数	符号	最大值	单位
结到外壳（漏极）稳态热阻	RθJC	0.8	°C/W
结到环境热阻（注 1）	RθJA	32	°C/W

注 1：表面贴装在 FR4 板上，使用 1 平方英寸焊盘尺寸（铜面积 1.127 平方英寸 [2 oz] 包括走线）。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 V(BR)DSS 在 VGS = 0 V，ID = 250 μA 时为 100V。
• 漏源击穿电压温度系数 V(BR)DSS/TJ 为 94 mV/°C。
• 零栅压漏极电流 IDSS 在 TJ = 25°C 时为 1.0 μA，TJ = 150°C 时为 100 μA。
• 栅源泄漏电流 IGSS 在 VDS = 0 V，VGS = 20 V 时为 100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压 VGS(th) 在 VGS = VDS，ID = 250 μA 时，最小值为 2.0V，最大值为 4.0V。
• 负阈值温度系数 VGS(th)/TJ 为 9.0 mV/°C。
• 漏源导通电阻 RDS(on) 在 VGS = 10V，ID = 76A 时，典型值为 11 mΩ，最大值为 13 mΩ；在 VGS = 10V，ID = 20A 时，典型值为 10 mΩ，最大值为 12 mΩ。
• 正向跨导 gFS 在 VDS = 5V，ID = 20A 时，典型值为 40 S。

电荷、电容和栅极电阻

• 输入电容 Ciss 在 VDS = 25 V，VGS = 0V，f = 1MHz 时为 4500 pF。
• 输出电容 Coss 为 650 pF。
• 反向传输电容 Crss 为 250 pF。
• 总栅极电荷 QG(TOT) 在 VGS = 10V，VDS = 80 V，ID = 76A 时为 120 nC。
• 阈值栅极电荷 QG(TH) 为 5.2 nC。
• 栅源电荷 QGS 为 20 nC。
• 栅漏电荷 QGD 为 57 nC。
• 平台电压 VGP 为 5.1 V。
• 栅极电阻 RG 为 2.4 Ω。

开关特性

在 VGS = 10 V 时，开启延迟时间 td(on) 为 17 ns，上升时间 tr 为 170 ns，关断延迟时间 td(off) 为 120 ns，下降时间 tf 为 190 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压 VSD 在 TJ = 25°C，IS = 76 A 时，最小值为 1.0V，最大值为 1.3V；在 TJ = 125°C 时为 0.9V。
• 反向恢复时间 trr 为 93 ns，充电时间 ta 为 69 ns，放电时间 tb 为 24 ns，反向恢复电荷 QRR 为 300 nC。

封装与订购信息

封装形式

提供 TO - 220AB 和 D2PAK 两种封装形式，满足不同的应用需求。

订购信息

器件	封装	包装
NTB6410ANG	D2PAK（无铅）	50 个/导轨
NTB6410ANT4G	D2PAK（无铅）	800 个/卷带
NTP6410ANG	TO - 220（无铅）	50 个/导轨
NVB6410ANT4G	D2PAK（无铅）	800 个/卷带

应用与思考

这些 MOSFET 适用于多种应用场景，如电源管理、电机驱动、逆变器等。在设计过程中，工程师需要根据具体的应用需求，合理选择器件，并注意其最大额定值和电气特性，以确保电路的可靠性和稳定性。例如，在高功率应用中，要充分考虑器件的散热问题，合理设计散热方案，以保证器件在安全的温度范围内工作。同时，对于汽车等对可靠性要求极高的应用，NVB 前缀的产品是一个不错的选择。

你在实际应用中是否使用过类似的 MOSFET 器件？遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验和见解。

希望以上内容能为电子工程师们在设计过程中提供有价值的参考。如果你对这些 MOSFET 还有其他疑问，欢迎查阅 onsemi 的官方文档或咨询技术支持人员。