Onsemi NDP6060L/NDB6060L MOSFET：低电压应用的理想之选

在电子工程师的日常设计中，MOSFET 是不可或缺的元件。今天，我们来深入了解 Onsemi 推出的 NDP6060L 和 NDB6060L 这两款 N 沟道增强型场效应晶体管，看看它们在低电压应用中能带来怎样的优势。

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产品概述

NDP6060L 和 NDB6060L 采用了 Onsemi 专有的高单元密度 DMOS 技术。这种技术经过特别优化，能有效降低导通电阻，提供卓越的开关性能，还能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这两款器件非常适合用于汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路等低电压应用场景。

关键特性

电气性能

• 高电流与耐压能力：能够处理高达 48A 的电流，耐压达到 60V，这使得它们在许多功率应用中表现出色。
• 低导通电阻：在 (V{GS}=5V) 时，(R{DS(ON)} = 0.025mOmega)，低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗更低，能有效提高电路效率。
• 低驱动要求：(V_{GS(TH)} < 2.0V)，可以直接由逻辑驱动器驱动，简化了电路设计。

其他特性

• 高温性能：规定了高温下的关键直流电气参数，最大结温额定值为 175°C，保证了在高温环境下的稳定工作。
• 内部二极管：坚固的内部源 - 漏二极管可以消除对外部齐纳二极管瞬态抑制器的需求，减少了元件数量，降低了成本和电路板空间。
• 环保设计：这些器件是无铅的，并且符合 RoHS 标准，满足环保要求。

最大额定值

在使用这两款 MOSFET 时，需要注意其最大额定值。例如，在 (T_{C}=25^{circ}C) 时，漏 - 源电压、栅 - 源电压等都有相应的限制。超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。具体的额定值如下表所示：	Symbol	Rating	NDP6060L/ NDB6060L
(V_{DSS})	Drain - Source Voltage	60V
(V_{GSS})	Nonrepetitive ((t_{p}<50mu s))	±16V
(I_{D})	Continuous Drain Current	48A
(P_{D})	Total Power Dissipation @ (T_{C}=25^{circ}C)	0.67W/°C

电气特性

雪崩额定值

单脉冲漏 - 源雪崩能量 (W{DSS}) 在 (V{DD}=25V)，(I{D}=48A) 时最大为 200mJ，最大漏 - 源雪崩电流 (I{AR}) 为 48A。这表明它们在雪崩模式下有较好的能量承受能力。

关断特性

• 漏 - 源击穿电压 (BV{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A) 时最大为 60V。
• 零栅压漏电流 (I{DSS}) 在 (V{DS}=60V)，(V{GS}=0V) 时，(T{J}=25^{circ}C) 最大为 250(mu A)，(T_{J}=125^{circ}C) 最大为 1mA。

导通特性

• 栅极阈值电压 (V{GS(th)}) 在 (V{DS}=V{GS})，(I{D}=250mu A) 时，典型值为 1V，最大值为 2V，并且在 (T_{J}=125^{circ}C) 时会有所变化。
• 静态漏 - 源导通电阻 (R{DS(ON)}) 在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 条件下有不同的值，例如在 (V{GS}=5V)，(I{D}=24A) 时，(T{J}=25^{circ}C) 最大为 0.025(Omega)，(T_{J}=125^{circ}C) 最大为 0.04(Omega)。

动态特性

包括输入电容 (C{iss})、输出电容 (C{oss}) 和反向传输电容 (C{rss}) 等，这些参数对于开关性能有重要影响。例如，(C{iss}) 在 (V{DS}=25V)，(V{GS}=0V)，(f = 1.0MHz) 时为 1630 - 2000pF。

开关特性

如导通延迟时间 (t{D(on)})、导通上升时间 (t{r})、关断延迟时间 (t{D(off)}) 和关断下降时间 (t{f}) 等，这些时间参数决定了 MOSFET 的开关速度。例如，在 (V{DD}=30V)，(I{D}=48A)，(V{GS}=5V)，(R{GEN}=15Omega)，(R{GS}=15Omega) 条件下，(t{D(on)}) 为 15 - 30ns。

漏 - 源二极管特性

最大连续漏 - 源二极管正向电流 (I{S}) 为 48A，最大脉冲漏 - 源二极管正向电流 (I{SM}) 为 144A，正向电压 (V{SD}) 在 (V{GS}=0V)，(I{S}=24A) 时为 1.3V（(T{J}=25^{circ}C)），(T_{J}=125^{circ}C) 时为 1.2V。

热特性

结到外壳的热阻 (R{theta JC}) 为 1.5°C/W，结到环境的热阻 (R{theta JA}) 为 62.5°C/W。了解这些热特性对于散热设计非常重要，以确保 MOSFET 在工作过程中不会因过热而损坏。

典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，展示了导通电阻随栅极电压、漏极电流和温度的变化，以及转移特性、跨导随漏极电流和温度的变化等。这些曲线可以帮助工程师更好地理解 MOSFET 在不同工作条件下的性能，从而进行更优化的电路设计。例如，从导通电阻随温度的变化曲线可以看出，随着温度升高，导通电阻会增大，这在设计散热和功率损耗时需要考虑。

封装信息

NDP6060L 采用 TO - 220 - 3LD 封装，适用于通孔安装；NDB6060L 采用 D2PAK - 3（TO - 263，3 - 引脚）封装，适用于表面贴装。文档中还给出了详细的封装尺寸和引脚图，方便工程师进行 PCB 设计。

订购信息

两款器件均为无铅产品，每管包装数量均为 800 个。如果需要了解卷带包装规格，可以参考相关的卷带包装规范手册。

总的来说，Onsemi 的 NDP6060L 和 NDB6060L MOSFET 凭借其出色的电气性能、低导通电阻、高温稳定性和环保设计等优点，在低电压应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时，可以根据具体需求考虑使用这两款器件。大家在实际应用中有没有遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。