深入解析FQP45N15V2/FQPF45N15V2 N-Channel QFET® MOSFET

一、公司背景与产品变更

Fairchild半导体现已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，Fairchild部分可订购的产品编号需要变更，原编号中的下划线 “_” 将替换为破折号 “-”。大家可访问ON Semiconductor官网（www.onsemi.com）核实更新后的设备编号。

文件下载：FQPF45N15V2-D.pdf

二、产品概述

FQP45N15V2 / FQPF45N15V2是一款N - Channel增强型功率MOSFET，采用Fairchild Semiconductor专有的平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术旨在降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度，适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源等应用。

三、产品特性

3.1 电气特性

• 高电流与耐压：可承受45 A的连续电流（(T{C}=25^{circ}C)），耐压达150 V，导通电阻 (R{DS(on)}) 最大为40 mΩ（(V{GS}=10 V)，(I{D}=22.5 A)）。
• 低栅极电荷与电容：典型栅极电荷为72 nC，反向传输电容 (C_{rss}) 典型值为135 pF，有助于降低开关损耗。
• 雪崩测试：经过100%雪崩测试，具备良好的雪崩能量强度。

3.2 热特性

符号	参数	FQP45N15V2	FQPF45N15V2	单位
(R_{θJC})	结到外壳的热阻（最大）	0.68	2.25	°C / W
(R_{θCS})	外壳到散热器的热阻（典型）	0.5	--	°C / W
(R_{θJA})	结到环境的热阻（最大）	62.5	62.5	°C / W

四、绝对最大额定值

符号	参数	FQP45N15V2	FQPF45N15V2	单位
(V_{DSS})	漏源电压	150		V
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	45	45*	A
	连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	31	31*	A
(I_{DM})	脉冲漏极电流	180	180*	A
(V_{GSS})	栅源电压	± 30		V
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	1124		mJ
(I_{AR})	雪崩电流	45		A
(E_{AR})	重复雪崩能量	22		mJ
(dv/dt)	峰值二极管恢复 (dv/dt)	4.5		V/ns
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	220	66	W
	25°C以上降额	1.47	0.44	W/°C
(T{J}, T{STG})	工作和存储温度范围	-55 to +150		°C
(T_{L})	焊接时最大引脚温度（距外壳1/8 "，5秒）	300		°C

注：* 漏极电流受最大结温限制。

五、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、电容特性、转移特性、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化以及瞬态热响应曲线等。这些曲线有助于工程师全面了解器件在不同工作条件下的性能。

六、测试电路与波形

文档还提供了多种测试电路和波形，如栅极电荷测试电路、电阻性开关测试电路、无钳位电感开关测试电路和峰值二极管恢复 (dv/dt) 测试电路等。这些测试电路和波形对于验证器件性能和进行电路设计具有重要参考价值。

七、机械尺寸

分别给出了TO - 220和TO - 220F两种封装的机械尺寸图，并提供了相关的尺寸说明和注意事项。工程师在进行PCB设计时，需要根据这些尺寸信息合理布局器件。

八、商标与免责声明

文档中列出了Fairchild Semiconductor及其全球子公司拥有的众多商标。同时，强调了公司对产品的相关免责声明，包括有权随时更改产品设计、不承担产品应用或使用中的任何责任、不授予专利许可等。此外，明确指出产品不适合用于生命支持系统或FDA Class 3医疗设备等特定应用。

九、产品状态定义

文档对产品状态进行了定义，包括提前信息（设计中）、初步（首次生产）、无标识（全面生产）和过时（停产）等状态，并说明了不同状态下数据手册的特点和公司的相关权利。

作为电子工程师，在使用FQP45N15V2 / FQPF45N15V2 MOSFET进行设计时，需要充分了解上述各项特性和参数，结合具体应用需求进行合理选型和电路设计。大家在实际应用中遇到过哪些关于MOSFET的问题呢？欢迎在评论区分享交流。