FQB19N20 N - 通道QFET MOSFET：特性与应用解析

一、引言

在电子工程领域，功率MOSFET是不可或缺的关键元件，广泛应用于各类电源和电子设备中。FQB19N20作为一款N - 通道增强模式功率MOSFET，具有独特的性能特点，值得我们深入研究。本文将详细介绍FQB19N20的各项特性、参数以及应用场景，为电子工程师在设计中提供参考。

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二、品牌与产品变更说明

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合。由于ON Semiconductor的产品管理系统无法处理带有下划线（_）的零件命名，Fairchild部分可订购的零件编号中的下划线将改为破折号（ - ）。大家可访问ON Semiconductor网站（www.onsemi.com）验证更新后的设备编号。若对系统集成有疑问，可发邮件至[e-mail]。

三、FQB19N20基本信息

（一）描述

FQB19N20采用Fairchild Semiconductor专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能，具有低栅极电荷（典型值31 nC）、低Crss（典型值30 pF）和高雪崩能量强度等优点。该器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器等应用。

（二）特性

1. 电气性能：19.4 A，200 V，在(V{GS}=10 V)、(I{D}=9.7 A)时，(R_{DS(on)}=150 mΩ)（最大值）。
2. 可靠性：经过100%雪崩测试，保证了产品在复杂环境下的可靠性。
3. 环保性：符合RoHS标准，满足环保要求。

四、关键参数

（一）绝对最大额定值

参数	描述	FQB19N20TM值	单位
(V_{DSS})	漏源电压	200	V
(I{D})（连续，(T{C}=25^{circ}C)）	漏极电流	19.4	A
(I_{DM})（脉冲）	漏极脉冲电流	-	-
(V_{GS})	栅源电压	±30	V
(E_{AS})（单脉冲雪崩能量）	-	-	-
(I_{AV})（雪崩电流）	-	19.4	A
(dv/dt)	-	-	-
(P{D})（(T{A}=25^{circ}C)）	功率耗散	-	-
(P{D})（(T{C}=25^{circ}C)）	功率耗散	-	-
(R_{θJC})	热阻（结到外壳）	1.12	W/°C
(T_{L})（焊接时最大引脚温度）	-	-	-

（二）热特性

参数	FQB19N20TM值
(R_{θJA})（最小2盎司铜焊盘）	62.5
(R_{θJA})（1平方英寸2盎司铜焊盘）	40

（三）电气特性

1. 关断特性

参数	测试条件	(FQB19N20TM)值	单位
(BV_{DSS})	(V{GS}=0 V)，(I{D}=250 μA)	200	V
(Delta BV_{DSS})（击穿电压温度系数）	-	0.18	-
(I_{GSSF})（栅体反向泄漏电流）	-	-	nA

2. 导通特性

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
(V_{GS(th)})（栅极阈值电压）	(V{DS}=V{GS})，(I_{D}=250 μA)	3.0	-	5.0	V
(R_{DS(on)})（静态漏源导通电阻）	(V{GS}=10 V)，(I{D}=9.7 A)	-	-	0.15	Ω
(g_{fs})（正向跨导）	(V{DS}=40 V)，(I{D}=9.7 A)	-	14.5	-	S

3. 动态特性

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
(C_{iss})（输入电容）	(V{DS}=25 V)，(V{GS}=0 V)，(f = 1.0 MHz)	1220	-	1600	pF
(C_{oss})（输出电容）	-	220	-	290	pF
(C_{rss})（反向传输电容）	-	1	30	40	pF

4. 开关特性

参数	描述	最小值	典型值	最大值	单位
(t_{d(on)})（开启延迟时间）	-	-	50	-	ns
(t_{r})（上升时间）	-	-	190	-	ns
(t_{d(off)})（关断延迟时间）	-	-	55	-	ns
(t_{f})（下降时间）	-	-	-	-	ns
(Q_{g})（总栅极电荷）	-	-	31	-	nC
(Q_{gs})（栅源电荷）	-	-	-	-	-
(Q_{gd})（栅漏电荷）	-	-	13.5	-	-

（四）漏源二极管特性和最大额定值

参数	描述	FQB19N20TM值	单位
(I_{S})（最大连续漏源二极管正向电流）	-	-	A
(I_{SM})（最大脉冲漏源二极管正向电流）	(dI_{F}/dt = 100 A/μs)	140	A
(Q_{rr})（反向恢复电荷）	-	-	-

五、典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化、瞬态热响应曲线等。这些曲线有助于工程师深入了解FQB19N20在不同工作条件下的性能表现。

六、机械尺寸与封装

FQB19N20采用TO263（(D^{2}PAK)）封装，为模制2引脚表面贴装。需要注意的是，封装图纸可能会随时更改，大家可访问Fairchild Semiconductor的在线封装区域（http://www.fairchildsemi.com/package/packageDetails.html?id=PN_TT263 - 002）获取最新的封装图纸。

七、产品状态与反假冒政策

（一）产品状态定义

文档中对产品状态进行了明确的定义，包括提前信息（设计阶段，规格可能随时更改）、初步生产（包含初步数据，后续会补充）、批量生产（包含最终规格，仍可能改进设计）和停产（仅供参考）。FQB19N20的产品状态需根据具体情况查询。

（二）反假冒政策

Fairchild Semiconductor采取了强有力的措施来打击假冒零件的扩散，鼓励客户直接从Fairchild或其授权经销商处购买产品。从这些渠道购买的产品是正品，具有完整的可追溯性，符合Fairchild的质量标准，并可获得最新的技术和产品信息。而从非授权来源购买的产品，Fairchild将不提供任何保修或其他支持。

八、总结与思考

FQB19N20 N - 通道QFET MOSFET凭借其低导通电阻、卓越的开关性能和高可靠性，在开关模式电源、PFC和电子灯镇流器等领域具有广泛的应用前景。电子工程师在设计过程中，需要根据具体的应用需求，结合FQB19N20的各项参数和特性曲线，合理选择和使用该器件。同时，要注意产品状态和反假冒政策，确保购买到正品，保障设计的可靠性和稳定性。大家在实际应用中是否遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。