深入解析FDMS86180 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

一、引言

在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，广泛应用于各种电路设计中。今天我们要深入探讨的是Fairchild（现属于ON Semiconductor）的FDMS86180 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET。这款MOSFET具有诸多卓越特性，能为工程师在设计中提供强大的支持。

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二、产品背景与整合信息

Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，原编号中的下划线（_）将改为破折号（-）。大家可通过ON Semiconductor网站（www.onsemi.com）验证更新后的设备编号，获取最新的订购信息。若对系统集成有疑问，可发邮件至[e-mail]。

三、FDMS86180 MOSFET特性

（一）技术特性

1. 屏蔽栅MOSFET技术：采用先进的PowerTrench®工艺并结合屏蔽栅技术，优化了导通电阻，同时保持了出色的开关性能，拥有一流的软体二极管。
2. 低导通电阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=67A)时，最大(r{DS(on)}=3.2mΩ)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=33A)时，最大(r{DS(on)}=7.9mΩ)。
3. 低反向恢复电荷：Qrr比其他MOSFET供应商低50%，有效降低了开关噪声和EMI。
4. 稳健的封装设计：MSL1封装设计，经过100% UIL测试，且符合RoHS标准。

（二）电气特性

1. 最大额定值
   • 电压参数：漏源电压(V{DS})最大为100V，栅源电压(V{GS})为±20V。
   • 电流参数：在不同温度下，连续漏极电流有所不同，如(T{C}=25^{circ}C)时为151A，(T{C}=100^{circ}C)时为95A，(T_{A}=25^{circ}C)时为21A，脉冲电流可达775A。
   • 其他参数：单脉冲雪崩能量(E{AS})为486mJ，功率耗散(P{D})在(T{C}=25^{circ}C)时为138W，(T{A}=25^{circ}C)时为2.7W，工作和存储结温范围为 -55 至 +150°C。
2. 热特性
   • 结到外壳的热阻(R{θJC})为0.9°C/W，结到环境的热阻(R{θJA})在特定条件下为45°C/W。

（三）典型特性

通过一系列图表展示了该MOSFET在不同条件下的性能表现，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些特性有助于工程师在不同应用场景下准确评估和使用该器件。

四、应用领域

1. 初级DC - DC MOSFET：在DC - DC转换电路中，该MOSFET的低导通电阻和良好的开关性能可有效提高转换效率。
2. DC - DC和AC - DC中的同步整流器：能降低整流损耗，提升电源效率。
3. 电机驱动：可满足电机驱动对高电流和快速开关的要求。
4. 太阳能应用：在太阳能系统中，有助于提高能量转换效率。

五、注意事项

1. ON Semiconductor保留对产品进行更改的权利，且不承担产品在特定用途中的适用性保证和相关责任。
2. 所有“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也会随时间改变，客户的技术专家需对每个应用的所有操作参数进行验证。
3. 该产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。若买家将其用于非预期或未授权的应用，需承担相关责任。

六、总结

FDMS86180 N - Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET凭借其先进的技术、卓越的电气特性和广泛的应用领域，为电子工程师在设计中提供了一个可靠的选择。在实际应用中，工程师需充分了解其特性和注意事项，以确保设计的可靠性和性能。大家在使用过程中是否遇到过类似MOSFET的特殊问题呢？欢迎在评论区分享交流。