FDMS7678 N-Channel Power Trench® MOSFET：高效电源管理的理想之选

在电子工程师的日常工作中，选择合适的MOSFET对于电源管理和负载开关应用至关重要。今天，我们就来深入了解一下FDMS7678 N-Channel Power Trench® MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。

文件下载：FDMS7678-D.pdf

产品背景与变更说明

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合。由于ON Semiconductor产品管理系统无法处理含下划线（_）的部件命名，Fairchild部分可订购部件编号中的下划线将更改为破折号（-）。大家可在ON Semiconductor网站（www.onsemi.com）核实更新后的设备编号。若有系统集成相关问题，可发邮件至[e-mail]。

产品特性

低导通电阻

FDMS7678采用先进的Power Trench®工艺，能有效降低导通电阻。在(V{GS}=10V)、(I{D}=17.5A)时，最大(r{DS(on)}=5.5mΩ)；在(V{GS}=4.5V)、(I{D}=15A)时，最大(r{DS(on)}=6.8mΩ)。这种低导通电阻特性可减少功率损耗，提高能源效率，在电源管理应用中表现出色。大家在设计电源电路时，是否考虑过低导通电阻对整体性能的提升呢？

环保设计

该MOSFET的终端无铅，符合RoHS标准，满足环保要求，有助于工程师设计出更绿色环保的产品。

应用领域

DC - DC降压转换器

在DC - DC降压转换器中，FDMS7678能高效地将高电压转换为低电压，为电子设备提供稳定的电源。

笔记本电池电源管理

对于笔记本电脑，电池电源管理至关重要。FDMS7678可精确控制电池的充放电过程，延长电池使用寿命，提高电池使用效率。

笔记本负载开关

在笔记本电脑中，负载开关用于控制不同电路的通断。FDMS7678凭借其快速的开关特性和低导通电阻，能实现高效的负载切换。

电气特性

最大额定值

符号	参数	额定值	单位
(V_{DS})	漏源电压	30	V
(V_{GS})	栅源电压	±20	V
(I_{D})	连续漏极电流（封装限制，(T_{C}=25^{circ}C)）	26	A
(I_{D})	连续漏极电流（硅限制，(T_{C}=25^{circ}C)）	72	A
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）	17.5	A
(I_{D})	脉冲漏极电流	70	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	54	mJ
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	41	W
(P_{D})	功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	2.3	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	-55 to +150	°C

热特性

符号	数值	单位
(R_{θJC})	3	°C/W
(R_{θJA})	50（安装在1 in² 2 oz铜焊盘上）	°C/W

电气参数

关断特性

包括漏源击穿电压、击穿电压温度系数、零栅压漏极电流、栅源泄漏电流等参数，这些参数反映了MOSFET在关断状态下的性能。

导通特性

如栅源阈值电压、栅源阈值电压温度系数、静态漏源导通电阻、正向跨导等，这些参数对于评估MOSFET在导通状态下的性能至关重要。

动态特性

涵盖输入电容、输出电容、反向传输电容、栅极电阻等，这些参数影响着MOSFET的开关速度和响应时间。

开关特性

包含开启延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、总栅极电荷等，这些参数决定了MOSFET的开关性能。

漏源二极管特性

有源极到漏极二极管正向电压、反向恢复时间、反向恢复电荷等，这些参数对于二极管的性能评估很关键。

典型特性

文档中还给出了多个典型特性曲线，如导通区域特性、归一化导通电阻与结温的关系、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系等。这些曲线能帮助工程师更好地了解FDMS7678在不同工作条件下的性能表现。在实际设计中，大家是否会充分利用这些典型特性曲线来优化电路设计呢？

封装标记与订购信息

设备标记	设备	封装	卷盘尺寸	胶带宽度	数量
FDMS7678	FDMS7678	Power 56	13’’	12 mm	3000 units

综上所述，FDMS7678 N-Channel Power Trench® MOSFET凭借其低导通电阻、环保设计和广泛的应用领域，是电子工程师在电源管理和负载开关应用中的理想选择。在实际设计中，大家可根据具体需求，结合其电气特性和典型特性，充分发挥该MOSFET的优势，设计出高效、稳定的电路。