FDMS7602S双N沟道PowerTrench® MOSFET：特性与应用解析

在电子设计领域，MOSFET作为关键元件，其性能对电路的效率和稳定性起着至关重要的作用。今天我们就来深入了解一下FDMS7602S双N沟道PowerTrench® MOSFET，看看它有哪些独特之处。

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一、ON Semiconductor的整合说明

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改以符合ON Semiconductor的系统要求。由于ON Semiconductor的产品管理系统无法处理带有下划线（）的零件命名法，Fairchild零件编号中的下划线（）将改为破折号（-）。大家可以通过ON Semiconductor网站（www.onsemi.com）验证更新后的设备编号。若对系统集成有任何疑问，可发邮件至[e-mail]。

二、FDMS7602S MOSFET概述

1. 基本信息

FDMS7602S是一款双N沟道PowerTrench® MOSFET，采用双MLP封装，包含两个专门的N沟道MOSFET。开关节点内部连接，便于同步降压转换器的放置和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFETTM（Q2）经过精心设计，可提供最佳的功率效率。

2. 主要参数

• Q1：30 V，30 A，最大导通电阻 (r{DS(on)}) 在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=12 A) 时为7.5 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)、(I_{D}=10 A) 时为12 mΩ。
• Q2：30 V，30 A，最大导通电阻 (r{DS(on)}) 在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=17 A) 时为5.0 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)、(I_{D}=14 A) 时为6.8 mΩ。

三、产品特性

1. 电气特性

（1）关断特性

• 漏源击穿电压（(BVDSS)）：Q1和Q2在 (I{D}=250 mu A)、(V{GS}=0 V) 时均为30 V。
• 温度系数（(ABVDSS ATJ)）：Q1和Q2在 (I_{D}=250 mu A) 、参考温度 (25^{circ}C) 时为15 mV/°C。
• 零栅压漏电流：最大为1 aA AA 。
• 栅源泄漏电流（(IGSS)）：在 (V{GS}=20 V)、(V{DS}=0 V) 时，Q2最大为100 nA。

  （2）导通特性

• 栅源阈值电压（(VGS(th))）：Q1和Q2在 (V{GS}=V{DS})、(I_{D}=250 mu A) 时，典型值为1.8 V，最大值为3 V。
• 漏源导通电阻（(r_{DS(on)})）：不同条件下有不同取值，如Q1在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=12 A) 时最大为7.5 mΩ 。

  （3）动态特性

• 输入电容（(Ciss)）：Q1为1315 - 2690 pF，Q2为2020 - 2690 pF。
• 输出电容：Q1为445 - 600 pF，Q2为860 - 1145 pF。
• 栅电阻：Q1和Q2均为0.9 Ω。

  （4）开关特性

• 上升时间（(tr)）：Q1为27 - 43 ns，Q2为2.5 - 10 ns。
• 下降时间（(tf)）：Q1为2.3 - 3.2 ns。
• 总栅电荷（(Qg)）：不同条件下Q1和Q2有不同取值。

  2. 热特性

• 结到环境热阻（(R_{θJA})）：有不同情况，如在特定条件下Q1为57 °C/W或125 °C/W，Q2为50 °C/W或120 °C/W。
• 结到外壳热阻（(R_{θJC})）：Q1为3.5 °C/W，Q2为2 °C/W。

四、应用领域

FDMS7602S适用于多个领域，包括计算、通信、通用负载点以及笔记本VCORE等。在这些应用中，其低导通电阻和良好的开关特性能够有效提高电路的效率和性能。

五、注意事项

1. 零件编号更改

由于整合原因，需注意零件编号中符号的变化，及时通过官网验证更新后的编号。

2. 应用限制

ON Semiconductor产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA 3类医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。若买家将产品用于此类非预期或未授权的应用，需承担相应责任。

3. 参数验证

“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间改变。所有工作参数，包括“典型值”，都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。

大家在使用FDMS7602S进行设计时，一定要充分考虑上述特性和注意事项，以确保设计的电路能够稳定、高效地运行。你在使用MOSFET的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享。