FDMS6673BZ P - Channel PowerTrench® MOSFET深度解析

一、引言

在电子设备的设计中，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天我们就来详细探讨一下Fairchild（现已并入ON Semiconductor）的FDMS6673BZ P - Channel PowerTrench® MOSFET。

文件下载：FDMS6673BZ-D.pdf

二、产品背景与整合说明

Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，原编号中的下划线（_）将改为破折号（ - ）。大家可通过ON Semiconductor网站（www.onsemi.com）核实更新后的器件编号。

三、FDMS6673BZ MOSFET的特点

3.1 低导通电阻

• 在(V{GS}=-10 V)，(I{D}=-15.2 A)时，最大(r{DS(on)} = 6.8 mΩ)；在(V{GS}=-4.5 V)，(I{D}=-11.2 A)时，最大(r{DS(on)} = 12.5 mΩ)。先进的封装和硅技术结合，有效降低了导通电阻，减少了负载开关应用中的损耗。

  3.2 ESD保护

  HBM ESD保护等级典型值为8 kV，能有效防止静电对器件造成损害，提高了器件的可靠性。

  3.3 稳健的封装设计

  MSL1级封装设计，具有良好的防潮性能，并且符合RoHS标准，环保又可靠。

四、应用领域

4.1 笔记本和服务器的负载开关

可用于控制笔记本和服务器中的电源通断，低导通电阻能减少功率损耗，提高系统效率。

4.2 笔记本电池组电源管理

在电池组的充放电管理中发挥重要作用，确保电池的安全和稳定供电。

五、电气特性

5.1 最大额定值

符号	参数	条件	额定值	单位
(V_{DS})	漏源电压	-	-30	V
(V_{GS})	栅源电压	-	±25	V
(I_{D})	连续漏极电流	(T_{C}=25^{circ}C)	-82	A
		(T_{C}=100^{circ}C)	-52	A
	脉冲漏极电流	-	-422	A
(P_{D})	功率耗散	(T_{C}=25^{circ}C)	73	W
		(T_{A}=25^{circ}C)	2.5	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	-	-55 至 +150	°C

5.2 电气参数

• 截止特性：如(BVDSS)（漏源击穿电压）在(I{D}=-250 A)，(V{GS}=0 V)时为 - 30 V ，其温度系数为 - 18 mV/°C 。
• 导通特性：(V{GS(th)})（栅源阈值电压）在不同条件下有不同取值，静态漏源导通电阻(r{DS(on)})也随(V{GS})和(I{D})变化。
• 动态特性：包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)等。
• 开关特性：如开通延迟时间(td(on))、上升时间(tr)、关断延迟时间(td(off))和下降时间(tf)等。
• 漏源二极管特性：源漏二极管正向电压(VSD)在不同电流下有不同表现，反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(Qrr)也是重要参数。

六、典型特性曲线分析

6.1 导通区域特性

从“On Region Characteristics”曲线可以看出，不同(V_{GS})下，漏极电流(-ID)随漏源电压(-VDS)的变化情况，有助于我们了解器件在不同工作条件下的导通性能。

6.2 归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系

“Normalized On - Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage”曲线直观地展示了导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化规律，为工程师在设计中选择合适的工作点提供了参考。

6.3 归一化导通电阻与结温的关系

“Normalized On Resistance vs. Junction Temperature”曲线表明了导通电阻随结温的变化情况，在高温环境下，导通电阻会有所增加，这在实际应用中需要考虑。

七、封装与订购信息

FDMS6673BZ采用Power 56封装，卷盘尺寸为13英寸，胶带宽度为12 mm，每卷数量为3000个。器件标记为FDMS6673BZ 。

八、注意事项

• ON Semiconductor保留对产品进行更改而不另行通知的权利。
• 产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。
• 买家需对使用ON Semiconductor产品的自身产品和应用负责，包括遵守所有法律法规和安全要求。

作为电子工程师，在使用FDMS6673BZ MOSFET时，我们需要充分了解其各项特性和参数，结合实际应用场景进行合理设计，以确保系统的性能和可靠性。大家在实际应用中遇到过哪些关于MOSFET的问题呢？欢迎在评论区分享交流。