深入解析FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET

一、引言

在电子工程师的日常工作中，MOSFET是不可或缺的重要元件。今天我们要详细探讨的是FAIRCHILD（现属于ON Semiconductor）的FDMS5672 N - Channel UltraFET Trench® MOSFET。这款MOSFET在功率转换应用中具有出色的性能，下面将从多个方面对其进行深入分析。

文件下载：FDMS5672-D.pdf

二、产品背景与系统整合

（一）品牌整合

FAIRCHILD现已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，具体来说，Fairchild零件编号中的下划线（_）将改为破折号（ - ）。大家可通过ON Semiconductor网站核实更新后的设备编号，最新的订购信息可在www.onsemi.com上找到。

（二）知识产权与责任声明

ON Semiconductor拥有众多专利、商标、版权等知识产权。同时，该公司保留对产品进行更改的权利，并且不承担产品在特定用途中的适用性保证和相关责任。用户需自行负责产品应用的合规性，特别是在使用ON Semiconductor产品用于非授权应用时，需承担相应的法律责任。

三、FDMS5672 MOSFET特性

（一）基本参数

FDMS5672是一款60V、22A、11.5mΩ的N - Channel UltraFET Trench® MOSFET。在VGS = 6V、ID = 8A时，最大rDS(on) = 16.5mΩ，具有低米勒电荷的特点，在高频下实现了优化效率，并且符合RoHS标准。

（二）应用领域

这款MOSFET主要应用于DC - DC转换，其UltraFET器件结合了多种特性，能在功率转换应用中实现基准效率，非常适合高频DC - DC转换器。

四、电气特性

（一）最大额定值

符号	参数	条件	额定值	单位
VDS	漏源电压	-	60	V
VGS	栅源电压	-	±20	V
ID（连续）	漏极电流	TC = 25°C（Note 5）	65	A
		TC = 100°C（Note 5）	39	A
		TA = 25°C（Note 1a）	10.6	A
ID（脉冲）	漏极电流	-（Note 4）	176	A
EAS	单脉冲雪崩能量	-（Note 3）	337	mJ
PD	功率耗散	TC = 25°C	78	W
		TA = 25°C（Note 1a）	2.5	W
TJ, TSTG	工作和存储结温范围	-	-55 to +150	°C

（二）热特性

符号	参数	条件	数值	单位
RθJC	结到外壳的热阻	-	1.6	°C/W
RθJA	结到环境的热阻	（Note 1a）	50	°C/W

（三）电气参数

1. 关断特性

包括漏源击穿电压（BVDSS）、击穿电压温度系数（∆BVDSS/∆TJ）、零栅压漏极电流（IDSS）和栅源泄漏电流（IGSS）等参数。

2. 导通特性

如栅源阈值电压（VGS(th)）、栅源阈值电压温度系数（∆VGS(th)/∆TJ）、漏源导通电阻（rDS(on)）和正向跨导（gFS）等。

3. 动态特性

涵盖输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）、反向传输电容（Crss）和栅极电阻（Rg）等。

4. 开关特性

包含导通延迟时间（td(on)）、上升时间（tr）、关断延迟时间（td(off)）、下降时间（tf）、总栅极电荷（Qg(TOT)）、栅源栅极电荷（Qgs）和栅漏“米勒”电荷（Qgd）等。

5. 漏源二极管特性

有源漏二极管正向电压（VSD）、反向恢复时间（trr）和反向恢复电荷（Qrr）等参数。

五、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、非钳位电感开关能力等。这些曲线有助于工程师更直观地了解该MOSFET在不同条件下的性能表现。

六、封装与订购信息

（一）封装标记

器件标记为FDMS5672，采用Power 56封装。

（二）订购信息

器件标记	器件	封装	卷盘尺寸	胶带宽度	数量
FDMS5672	FDMS5672	Power 56	13’’	12mm	3000 units

七、总结

FDMS5672 N - Channel UltraFET Trench® MOSFET在DC - DC转换等功率转换应用中具有显著的优势，其低导通电阻、低米勒电荷和高频优化效率等特性使其成为电子工程师的理想选择。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，结合该MOSFET的各项参数和典型特性曲线，合理选择和使用该器件。同时，要注意ON Semiconductor的相关责任声明和系统整合要求，确保设计的可靠性和合规性。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享交流。