onsemi FDME1024NZT MOSFET：助力超便携应用的理想选择

在电子设计领域，MOSFET作为关键的开关元件，其性能直接影响着整个电路的效率与稳定性。今天我们来深入了解一下安森美（onsemi）推出的FDME1024NZT MOSFET，它专为满足特定应用需求而设计，在超便携设备中有着出色的表现。

文件下载：FDME1024NZT-D.pdf

产品概述

FDME1024NZT是一款双N沟道MOSFET，采用MicroFET™ 1.6x1.6薄型封装，适用于手机和其他超便携应用中的双开关需求。该封装不仅具有卓越的热性能，还符合环保标准，无卤化物和氧化锑，并且是无铅产品，符合RoHS规范。

关键特性

低导通电阻

FDME1024NZT的一大亮点是其低导通电阻，能有效降低传导损耗。不同栅源电压下的最大导通电阻如下：

• 当$V{GS}=4.5 V$，$I{D}=3.4 A$时，$Max R_{DS(on)}=66 mOmega$；
• 当$V{GS}=2.5 V$，$I{D}=2.9 A$时，$Max R_{DS(on)}=86 mOmega$；
• 当$V{GS}=1.8 V$，$I{D}=2.5 A$时，$Max R_{DS(on)}=113 mOmega$；
• 当$V{GS}=1.5 V$，$I{D}=2.1 A$时，$Max R_{DS(on)}=160 mOmega$。

低外形设计

该器件的最大厚度仅为0.55 mm，非常适合对空间要求苛刻的超便携应用。

ESD保护

具备HBM ESD保护，保护等级 > 1600 V，能有效防止静电对器件的损害。

绝对最大额定值

符号	参数	值	单位
$V_{DS}$	漏源电压	20	V
$V_{GS}$	栅源电压	± 8	V
$I_{D}$	漏极电流（$T_{A}=25^{circ} C$，连续）	3.8	A
$I_{D}$	漏极电流（$T_{A}=25^{circ} C$，脉冲）	6	A
$P_{D}$	功率耗散（$T_{A}=25^{circ} C$，单操作，Note 1a）	1.4	W
$P_{D}$	功率耗散（$T_{A}=25^{circ} C$，单操作，Note 1b）	0.6	W
$T{J}, T{stg}$	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

热特性

• 结到环境的热阻（单操作，Note 1a）：$R_{theta JA}=90 °C/W$；
• 结到环境的热阻（单操作，Note 1b）：$R_{theta JA}=195 °C/W$。

电气特性

关断特性

• 零栅压漏极电流：当$V{GS}= pm 8 V$，$V{DS}=0 V$时，为 ±10 μA。

导通特性

• 栅源阈值电压：当$I_{D}=250 μA$，参考温度为$25^{circ} C$时，典型值为1.0 V。
• 导通电阻：不同条件下有不同取值，例如$V{GS}=2.5 V$，$I{D}=2.9 A$时，典型值为86 mΩ。

动态特性

• 输入电容$C{iss}$：当$V{DS}=10 V$，$V_{GS}=0 V$，$f = 1 MHz$时，典型值为225 pF。
• 输出电容$C_{oss}$：典型值为40 pF。
• 反向传输电容$C_{rss}$：典型值为25 pF。

开关特性

• 开启延迟时间$t{d(on)}$：当$V{DD}=10 V$，$I{D}=1 A$，$V{GS}=4.5 V$，$R_{GEN}=6 Ω$时，典型值为4.5 ns。
• 上升时间$t_{r}$：典型值为2 ns。
• 关断延迟时间$t_{d(off)}$：典型值为15 ns。
• 下降时间$t_{f}$：典型值为1.7 ns。

栅极电荷特性

• 总栅极电荷$Q{g}$：当$V{DD}=10 V$，$I{D}=3.4 A$，$V{GS}=4.5 V$时，典型值为3 nC。
• 栅源栅极电荷$Q_{gs}$：典型值为0.4 nC。
• 栅漏“米勒”电荷$Q_{gd}$：典型值为0.6 nC。

漏源二极管特性

• 源漏二极管正向电压$V{SD}$：当$V{GS}=0V$，$I_{S}=0.9 A$时，典型值为0.7 V。
• 反向恢复时间$t{rr}$：当$I{P}=3.4 A$，$di/dt = 100 A/μs$时，典型值为8.5 ns。
• 反向恢复电荷$Q_{rr}$：典型值为1.4 nC。

典型应用

• 基带开关：在通信设备中，用于基带信号的切换，确保信号的稳定传输。
• 负载开关：控制负载的通断，实现对电源的有效管理。

总结

FDME1024NZT MOSFET凭借其低导通电阻、低外形设计、良好的热性能和ESD保护等特性，为超便携应用提供了可靠的解决方案。电子工程师在设计相关电路时，可以充分考虑该器件的优势，以提高电路的性能和稳定性。大家在实际应用中是否遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。