onsemi FDMC86244与FDMC86244 - L701 MOSFET深度解析

在电子设计领域，MOSFET作为关键元件，其性能对电路的稳定性和效率起着至关重要的作用。今天，我们将深入探讨 onsemi 公司的 FDMC86244 和 FDMC86244 - L701 这两款 N 沟道 MOSFET。

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产品概述

FDMC86244 和 FDMC86244 - L701 采用了 onsemi 先进的 POWERTRENCH 工艺，并融入了屏蔽栅技术。这种工艺在优化导通电阻的同时，还能保持出色的开关性能。这两款 MOSFET 适用于 DC - DC 转换等应用场景。

产品特性

低导通电阻

• 在 $V{GS}=10 V$，$I{D}=2.8 A$ 时，最大 $r_{DS(on)} = 134 mOmega$；
• 在 $V{GS}=6 V$，$I{D}=2.4 A$ 时，最大 $r_{DS(on)} = 186 mOmega$。 低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET 的功耗更低，能有效提高电路的效率。这对于追求节能和高效的电子设备来说，是非常重要的特性。

低外形封装

采用 Power 33 封装，最大高度仅为 1 mm。这种低外形封装使得 MOSFET 在空间受限的电路板上也能轻松布局，为设计人员提供了更多的灵活性。

可靠性测试

经过 100% UIL（非钳位感性负载）测试，确保了产品在实际应用中的可靠性。同时，这两款产品为无铅产品，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

电气特性

最大额定值

参数	符号	额定值	单位
漏源电压	$V_{DS}$	150	V
栅源电压	$V_{GS}$	±20	V
连续漏极电流（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	9.4	A
连续漏极电流（$T_{A}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	2.8	A
脉冲漏极电流	$I_{D}$	12	A
单脉冲雪崩能量	$E_{AS}$	12	mJ
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	26	W
功率耗散（$T_{A}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	2.3	W
工作和存储结温范围	$T{J}, T{STG}$	- 55 至 +150	$^{circ}C$

电气特性细节

• 关断特性：漏源击穿电压 $B{V{DSS}}$ 在 $I{D}=250 mu A$，$V{GS}=0 V$ 时为 150 V；击穿电压温度系数 $B{V{DSS}}/T{J}$ 为 106 mV/$^{circ}C$；零栅压漏极电流 $I{DSS}$ 在 $V{DS}=120 V$，$V{GS}=0 V$ 时为 1 $mu A$；栅源泄漏电流 $I{GSS}$ 在 $V{GS}=±20 V$，$V_{DS}=0 V$ 时为 ±100 nA。
• 导通特性：开启阈值电压 $V{GS(th)}$ 在 $V{GS}=V{DS}$，$I{D}=250 mu A$ 时为 4 V；静态漏源导通电阻在不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 条件下有不同的值，例如在 $V{GS}=6 V$，$I{D}=2.4 A$ 时为 120 m$Omega$ 至 254 m$Omega$。
• 动态特性：输入电容 $C{iss}$ 在 $V{DS}=75 V$，$V{GS}=0 V$，$f = 1 MHz$ 时为 257 pF 至 345 pF；输出电容 $C{oss}$ 为 32 pF 至 45 pF；反向传输电容 $C_{rss}$ 为 1.8 pF 至 5 pF。
• 开关特性：包括导通延迟时间 $t{d(on)}$、上升时间、关断延迟时间 $t{d(off)}$、下降时间 $t{f}$ 以及总栅极电荷 $Q{g}$ 等参数，这些参数对于评估 MOSFET 的开关速度和性能至关重要。

热特性

热阻是衡量 MOSFET 散热性能的重要指标。$R{theta JA}$（结到环境的热阻）在特定条件下为 125 $^{circ}C$/W，$R{theta JC}$（结到外壳的热阻）在不同的安装条件下有所不同，例如在 1 in² 的 2 oz 铜焊盘上为 53 $^{circ}C$/W，在最小的 2 oz 铜焊盘上为 125 $^{circ}C$/W。了解这些热阻参数，有助于设计人员合理设计散热方案，确保 MOSFET 在工作过程中不会因过热而损坏。

封装与标识

封装形式

两款产品均采用 WDFN8 3.3x3.3，0.65P 封装。这种封装具有良好的电气性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺。

标识说明

标识包含了特定设备代码、组装地点、日期代码、批次追溯代码等信息。例如，FDMC86244 的标识为 “FDMC86244”，其中 “FDMC86244” 为特定设备代码，“A” 表示组装地点，“XY” 为 2 位日期代码等。

订购信息

设备型号	设备标识	封装类型	卷盘尺寸	胶带宽度	包装数量
FDMC86244	FDMC86244	WDFN8 3.3x3.3, 0.65P Power 33 (无铅)	13”	12 mm	3000 / 卷带包装
FDMC86244 - L701	FDMC86244	WDFN8 3.3x3.3, 0.65P	13”	12 mm	3000 / 卷带包装

需要注意的是，FDMC86244 - L701 已停产。在实际设计中，工程师需要根据具体需求和供应情况选择合适的产品。

总结

onsemi 的 FDMC86244 和 FDMC86244 - L701 MOSFET 凭借其低导通电阻、低外形封装、高可靠性等特性，在 DC - DC 转换等应用中具有很大的优势。在设计过程中，工程师需要充分考虑其电气特性、热特性等参数，合理选择和使用这些 MOSFET，以确保电路的性能和稳定性。同时，由于 FDMC86244 - L701 已停产，在选择产品时要注意供应情况。大家在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的选型和使用问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。