onsemi FDMC8097AC双N和P沟道MOSFET的特性与应用

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，对于电路性能有着至关重要的影响。今天，我们来深入了解一下安森美（onsemi）的FDMC8097AC，这是一款双N和P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的POWERTRENCH工艺制造，具有诸多出色的特性。

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一、产品概述

FDMC8097AC是一款双N和P沟道增强型功率MOSFET，采用安森美的先进POWERTRENCH工艺生产。该工艺经过特别优化，能够有效降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。其优势在于缩小了有源钳位拓扑实现所需的面积，从而实现了一流的功率密度。

二、产品特性

2.1 电气特性

1. N沟道（Q1）
   • 在(V{GS}=10V)，(I{D}=2.4A)时，最大(R{DS(on)} = 155mOmega)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=2A)时，最大(R{DS(on)} = 212mOmega)。
   • 正向跨导(g{FS})在(V{DD}=10V)，(I_{D}=2.4A)时为(6.4S)。
2. P沟道（Q2）
   • 在(V{GS}=-10V)，(I{D}=-0.9A)时，最大(R{DS(on)} = 1200mOmega)；在(V{GS}=-6V)，(I{D}=-0.8A)时，最大(R{DS(on)} = 1400mOmega)。
   • 正向跨导(g{FS})在(V{DD}=-10V)，(I_{D}=-0.9A)时为(0.75S)。

2.2 开关特性

• 开关特性方面，包括开启延迟时间(t{d(on)})、上升时间(t{r})、关断延迟时间(t{d(off)})和下降时间(t{f})等参数，不同沟道在不同测试条件下有相应的数值。例如，N沟道在(V{DD}=75V)，(I{D}=2.4A)，(V{GS}=10V)，(R{GEN}=6Omega)时，(t{d(on)} = 5.4ns)，(t{r} = 10ns)。

2.3 其他特性

• 该产品还具有优化的有源钳位正向转换器特性，并且符合无铅、无卤和RoHS标准。

三、产品参数

3.1 最大额定值

参数	Q1	Q2	单位
(V_{DS})（漏源电压）	150	- 150	V
(V_{GS})（栅源电压）	±20	±25	V
(I_{D})（漏极电流）	不同条件下有不同值，如连续电流在(T{C}=25^{circ}C)时为(6.3A)，(T{A}=25^{circ}C)时为(2.4A)等	不同条件下有不同值，如连续电流在(T{C}=25^{circ}C)时为 - 2.0A，(T{A}=25^{circ}C)时为 - 0.9A等	A
(E_{AS})（单脉冲雪崩能量）	24	6	mJ
(P_{D})（单操作功率耗散）	不同条件下有不同值，如(T_{A}=25^{circ}C)时为(1.9W)等	不同条件下有不同值，如(T_{A}=25^{circ}C)时为(1.9W)等	W
(T{J})，(T{STG})（工作和存储结温范围）	- 55至 + 150	- 55至 + 150	°C

3.2 热特性

热阻方面，如结到环境的热阻(R_{theta JA})在特定条件下为(65^{circ}C/W) 。

四、典型特性曲线

4.1 N沟道典型特性

• 导通区域特性：展示了不同栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系。例如，在(V_{GS}=10V)、(6V)等不同电压下，漏极电流随漏源电压的变化情况。
• 归一化导通电阻与漏极电流和栅源电压的关系：可以看到在不同栅源电压下，导通电阻随漏极电流的变化趋势。
• 归一化导通电阻与结温的关系：体现了导通电阻随结温的变化规律，有助于工程师在不同温度环境下评估器件性能。

4.2 P沟道典型特性

与N沟道类似，P沟道也有相应的导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅源电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等典型特性曲线，为工程师提供了全面的性能参考。

五、应用领域

FDMC8097AC适用于DC - DC转换器等领域，特别是在有源钳位电路中能够发挥其优势。在设计DC - DC转换器时，工程师可以根据其特性合理选择工作条件，以实现高效、稳定的功率转换。

六、封装与订购信息

该产品采用WDFN8封装，无铅、无卤，每盘3000个。对于封装的尺寸和安装要求，文档中也有详细说明。同时，对于焊接和安装技术，可参考安森美的相关手册。

作为电子工程师，在选择MOSFET时，我们需要综合考虑产品的各项特性和参数，以确保其能够满足设计需求。FDMC8097AC凭借其出色的性能和广泛的应用领域，是一款值得考虑的功率MOSFET产品。大家在实际应用中是否遇到过类似MOSFET的选型问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。